SI2301BDS-T1-GE3 Vishay Siliconix

SI2301BDS-T1-GE3 Vishay Siliconix

📅 2025-12-15

SI2301BDS-T1-GE3는 Vishay Siliconix의 고신뢰성 단일 트랜지스터(FET, MOSFET)로, 낮은 전도 손실과 빠른 스위칭 특성, 열 환경이 까다로운 조건에서도 안정적인 동작을 제공합니다. Vishay Siliconix는 전력 효율과 열 성능, 장기 신뢰성에 집중하는 반도체 브랜드로, 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 분야에서 널리 채택되고 있습니다. SI2301BDS-T1-GE3는 고성능 전력 변환과 신호 제어를 필요로 하는 설계자에게 매력적인 솔루션으로 설계되었습니다. 다양한 표준 패키지로 제공되어 현대의 PCB 레이아웃과 설계 흐름에 유연하게 대응합니다.

주요 특징과 설계 이점

  • 낮은 RDS(on): 전도 손실이 감소해 시스템 효율이 향상됩니다.
  • 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에서도 안정적인 동작을 지원합니다.
  • 열 안정성: 낮은 열 저항 및 견고한 방열 특성으로 고온 환경에서도 성능 저하를 최소화합니다.
  • 넓은 동작 범위: 전압과 온도 범위가 넓어 다양한 설계 시나리오에 적용 가능합니다.
  • 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 제공되어 설계 선택의 폭이 넓습니다.
  • 품질 및 규정 준수: JEDEC, AEC-Q101(자동차 등급 모델), RoHS, REACH를 충족하는 품질 관리 체계를 갖추고 있습니다.

응용 시나리오 및 성능 이점

  • 전력 관리: DC-DC 컨버터, 부하 스위치, 파워 모듈 등에서 효율적 전력 제어를 구현합니다.
  • 자동차 전자: 차체 전자장치, 인포테인먼트, 조명, EV 서브시스템 등에서 신뢰성 높은 구동을 제공합니다.
  • 산업 시스템: 모터 드라이브, 전원 공급장치, 자동화 제어 시스템 등에서 견고한 동작을 지원합니다.
  • 소비자 전자: 노트북, 충전기, 어댑터, 모바일 기기 등 휴대용 전력 관리에 적합합니다.
  • 컴퓨팅 및 네트워킹: 서버의 VRM, 텔레콤 파워 아키텍처에서 안정적인 전력 제어를 가능하게 합니다.
  • 재생 에너지 및 저장: 인버터와 전력 조건화 시스템에서 효율과 신뢰성을 강화합니다.

패키지 옵션 및 품질 보증

  • 패키지 다양성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 다양한 표준 패키지로 제공되어 기존 보드 설계에 쉽게 통합될 수 있습니다.
  • 품질 표준: JEDEC, RoHS, REACH를 준수하고, 필요에 따라 AEC-Q101 등급의 자동차용 모델도 선택 가능합니다.
  • 신뢰성 포커스: Vishay Siliconix의 제조 공정은 열 관리와 수명 주기를 고려한 설계로, 고온·고부하 환경에서도 일관된 성능을 제공합니다.

결론
Vishay Siliconix SI2301BDS-T1-GE3는 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭, 열 안정성 및 패키지 선택의 유연성을 한꺼번에 제공하는 고신뢰성 MOSFET 솔루션입니다. 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 분야에서 전력 관리와 신호 제어를 더 효율적으로 구현하고자 하는 엔지니어에게 매력적인 선택지로 자리 잡고 있습니다. ICHOME의 유통 및 지원으로 100% 정품 확인 가능한 공급처, 경쟁력 있는 가격, 부품 선정에 대한 기술 지원, 전 세계 신속 배송이 결합되어, 리드타임 위험을 낮추고 장기 생산 안정성을 확보하는 데 도움을 드립니다. SI2301BDS-T1-GE3를 통해 높은 신뢰성과 설계 유연성을 필요로 하는 프로젝트의 성공 가능성을 한층 높여 보세요.

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