SI4101DY-T1-GE3 Vishay Siliconix

📅 2025-12-16

SI4101DY-T1-GE3 — 고신뢰도 FET로 효율과 제어의 새로운 표준

Vishay Siliconix는 고성능 MOSFET과 파워 IC, 디스크리트 솔루션을 전문으로 하는 글로벌 선두 브랜드로서 전력 효율성과 열 성능, 장기 신뢰성에 집중합니다. SI4101DY-T1-GE3는 단일 트랜지스터로서 낮은 전도 손실(RDS(on))과 빠른 스위칭 특성을 갖추어 다양한 전력 변환 및 신호 제어 설계에서 우수한 성능을 제공합니다. 이 소자는 Vishay의 첨단 실리콘 공정으로 제조되어 폭넓은 작동 조건 아래 안정적 동작을 보장하며, 최신 전력 관리 회로의 핵심 구성요소로 활용됩니다. 또한 TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 업계 표준 패키지로 제공되어 PCB 레이아웃과 설계 유연성을 크게 높여줍니다.

주요 특징
저 RDS(on) 설계로 전도 손실이 최소화되어 효율이 향상됩니다. 빠른 스위칭 특성은 고주파 응용 분야에서의 성능을 극대화합니다. 열 안정성이 뛰어나 열 저항이 낮고 열 분산이 원활해 고온 환경에서도 안정적인 동작이 가능합니다. 넓은 작동 전압 및 온도 범위를 지원하여 다양한 시스템 설계에 적합합니다. 패키지 유연성은 TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 포맷으로 선택의 폭을 넓혀줍니다. 품질 및 규격 측면에서 JEDEC, AEC-Q101(자동차급 모델), RoHS, REACH를 충족하여 자동차 및 산업용 애플리케이션에서도 신뢰를 제공합니다.

적용 분야

• 전력 관리: DC-DC 컨버터, 로드 스위치, 파워 모듈
• 자동차 전자: 차대 전장, 인포테인먼트, 조명, EV 서브시스템
• 산업 시스템: 모터 드라이브, 파워 서플라이, 자동화 제어
• 소비자 기기: 노트북, 충전기, 어댑터, 휴대용 디바이스
• 컴퓨팅 및 네트워킹: 서버, VRM, 데이터 센터의 전력 구조
• 재생 에너지: 인버터, 에너지 저장 및 전력 conditioning 시스템

대표적 장점은 전력 변환 효율과 회로 설계의 단순화에 있다. 낮은 RDS(on) 덕분에 열 관리가 상대적으로 수월하고, 고주파 스위칭과 안정적인 동작 특성은 빠른 제어 응답과 일관된 시스템 성능으로 이어진다. 다양한 패키지 옵션은 레이아웃 제약이 있는 소형 기기부터 고전력 모듈까지 폭넓은 적용 가능성을 제공한다.

유통 및 지원
ICHOME은 Vishay Siliconix의 SI4101DY-T1-GE3 시리즈를 100% 정품으로 공급합니다. 인증된 소싱 채널과 추적 가능한 구매 이력으로 안정적인 공급망을 보장하며, 경쟁력 있는 가격과 부품 선택에 대한 기술 지원을 제공합니다. 또한 글로벌 배송이 빠르게 이루어져 리드타임 리스크를 줄이고, 장기 생산 안정성과 재고 관리에 도움을 줍니다. 전력 설계 엔지니어와 구매 담당자 모두를 위한 신뢰성 높은 파트 공급 파트너로서, SI4101DY-T1-GE3의 선택과 조합에 대해 전문적인 조언을 제공합니다.

결론
SI4101DY-T1-GE3는 낮은 전도 손실과 빠른 스위칭, 뛰어난 열 안정성, 넓은 작동 범위를 갖춘 단일 MOSFET으로서 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 애플리케이션에서 고효율의 파워 및 신호 제어를 가능하게 합니다. 다수의 표준 패키지와 엄격한 품질 규격 준수는 설계의 유연성과 내구성을 크게 높여주며, 신뢰할 수 있는 파트 공급과 빠른 배송을 제공하는 공급 체인 파트너를 통해 장기 생산 안정성을 확보합니다.