SIHB11N80AE-GE3 Vishay Siliconix
📅 2025-12-18
Vishay Siliconix SIHB11N80AE-GE3는 고신뢰성 FET로서 저전도 손실, 빠른 스위칭 특성, 열 관리의 안정성까지 한꺼번에 제공하는 단일 소자입니다. Vishay의 최신 실리콘 공정을 기반으로 설계되어 다양한 전력 변환 및 신호 제어 애플리케이션에서 효율을 높이고 정확한 제어를 가능하게 합니다. 다수의 표준 패키지로 제공되어 현대의 PCB 레이아웃에 유연하게 맞물리며, 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 분야의 까다로운 운용 조건에서도 안정적으로 작동합니다.
핵심 특성 및 설계 이점
- Low RDS(on): 작동 중 전도 손실을 줄여 시스템 효율을 높임.
- Fast Switching Performance: 고주파 대역에서도 우수한 스위칭 특성으로 전력 변환 대역에서 과도 응답을 빠르게 처리.
- Thermal Stability: 낮은 열 저항과 효과적인 방열로 고부하 상황에서도 열로 인한 성능 저하를 최소화.
- Wide Operating Range: 넓은 전압 및 온도 범위를 지원하여 급격한 환경 변화에도 신뢰성 유지.
- Package Flexibility: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 다양한 표준 패키지로 제공되어 설계 유연성 극대화.
- Quality
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