SUM110N04-2M1P-E3 Vishay Siliconix

📅 2025-12-19

Vishay Siliconix SUM110N04-2M1P-E3 — 고신뢰성 단일 MOSFET으로 효율적인 전력·신호 제어 실현

제품 개요 및 설계 강점
Vishay Siliconix의 SUM110N04-2M1P-E3는 전력 효율과 열적 안정성을 핵심으로 설계된 단일 채널 MOSFET이다. Vishay Intertechnology 산하의 Siliconix 라인은 오랜 검증을 받은 공정과 엄격한 품질 관리로 알려져 있으며, SUM110N04-2M1P-E3는 저전력 손실과 빠른 스위칭을 통해 다양한 전력 변환 및 제어 환경에서 균형 잡힌 성능을 제공한다. 고급 실리콘 공정을 적용해 도통 손실(RDS(on))을 낮추고, 높은 주파수에서도 안정적인 스위칭 거동을 유지하도록 최적화되었다. 이로 인해 설계자는 소자 발열을 줄이고 PCB 레이아웃을 유연하게 구성할 수 있다.

주요 특징 및 패키지 옵션

• 저 RDS(on): 통전 손실이 적어 전력 효율을 높이고 배터리 기반 기기나 전원 모듈의 열 관리를 용이하게 한다.
• 고속 스위칭 성능: 스위칭 손실을 최소화하도록 튜닝되어 DC-DC 컨버터, 스텝다운/스텝업 회로 등 고주파 애플리케이션에 적합하다.
• 열적 안정성: 낮은 열저항과 견고한 방열 특성으로 고온 동작에서도 성능 저하를 억제한다.
• 넓은 동작 범위: 전압·온도 범위가 확장되어 다양한 산업 환경에서 신뢰성 있는 동작을 보장한다.
• 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 산업용 패키지로 제공되어 PCB 설계와 조립 공정에 맞춰 손쉽게 통합할 수 있다.
• 품질 및 규정 준수: JEDEC 규격을 따르며, 자동차용 모델은 AEC-Q101을 준수하고 RoHS, REACH 등 환경 규제에도 부합한다.

실제 적용 사례 및 설계 팁
SUM110N04-2M1P-E3는 전원 관리, 자동차 전장, 산업용 드라이브, 소비자용 전자기기, 서버·네트워크 전력 아키텍처, 신재생에너지 인버터 등 광범위한 분야에 사용된다. 설계 시 게이트 드라이브 강도를 적절히 조절해 스위칭 손실과 EMI를 균형 있게 다루는 것이 핵심이다. 병렬 사용을 고려할 때는 소스 배선과 게이트 저항을 설계하여 소자 간의 전류 분배를 균일하게 유지하면 신뢰성을 높일 수 있다. 또한, 고온 환경에서는 패키지 선택과 PCB 열 확산 경로를 최적화해 열 집중을 방지하는 것이 권장된다.

유통 및 기술 지원
ICHOME은 SUM110N04-2M1P-E3를 포함한 Vishay Siliconix 정품 부품을 인증된 경로로 공급하며, 경쟁력 있는 가격과 글로벌 배송을 제공한다. 부품 선택에 관한 기술 상담과 장기 공급 안정성 확보를 위한 지원을 제공해 설계 초기 단계부터 양산까지 리드타임 리스크를 줄이는 데 도움을 준다.

결론
SUM110N04-2M1P-E3는 낮은 도통 손실, 빠른 스위칭, 견고한 열적 특성을 결합한 고신뢰성 MOSFET이다. 다양한 패키지와 규격 준수로 설계자에게 높은 유연성을 제공하며, 전력 관리와 신호 제어가 요구되는 자동차·산업·소비자 전자 분야에서 효율적이고 안정적인 솔루션을 구현할 수 있다. ICHOME의 공급망과 기술 지원은 실무에서의 부품 가용성과 장기 생산 안정성을 보장한다.