SI7960DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

SI7960DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

📅 2025-12-22

Vishay Siliconix SI7960DP-T1-GE3은 고신뢰성 트랜지스터(FET/MOSFET) 배열로, 낮은 전도 손실과 빠른 스위칭 특성, 그리고 까다로운 전기적·열적 조건에서도 안정적인 동작을 제공합니다. 이 소자는 Vishay의 첨단 실리콘 공정을 통해 설계되어, 효율적 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 다양한 작동 시나리오에서 가능하게 합니다. 여러 표준 패키지로 제공되어 PCB 레이아웃의 유연성과 현대 파워/신호 제어 설계에의 손쉬운 통합이 가능합니다.

특징 및 설계 이점
RDS(on) 저감으로 컨덕션 손실을 줄여 시스템 전반의 효율성을 높입니다. 빠른 스위칭 성능은 고주파 애플리케이션에서의 응답 속도를 개선하고, 신호 변환의 정확도와 다이내믹 응답을 강화합니다. 열 안정성은 낮은 열 저항과 뛰어난 방열 특성으로 고부하 조건에서도 온도 상승을 억제합니다. 넓은 작동 범위는 다양한 전압과 온도 환경에서의 안정적 작동을 보장합니다. TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지에서 선택 가능해 설계 유연성이 크게 향상되며, 제조 및 조립 과정에서도 호환성이 우수합니다. 품질 및 규정 준수 측면에서 JEDEC 표준, 자동차용 AEC-Q101(해당 모델의 자동차 등급 버전), RoHS, REACH를 충족하는 신뢰성 높은 부품으로 인증됩니다.

적용 사례
SI7960DP-T1-GE3은 파워 매니지먼트 영역에서 DC-DC 컨버터, 로드 스위치, 파워 모듈 등에 널리 활용됩니다. 자동차 전자 분야에서는 바디 이레이즈먼트, 인포테인먼트, 조명 시스템, 전기차 서브시스템 등 지속 가능한 구동에 기여합니다. 산업 시스템에서는 모터 드라이브, 파워 서플라이, 자동화 컨트롤러의 핵심 부품으로 신뢰성을 제공합니다. 소비자 전자 분야에서는 노트북, 충전기, 어댑터, 휴대용 디바이스에 적합하고, 컴퓨팅 및 네트워킹 분야의 서버, VRM, 통신 전력 아키텍처에서도 고효율 전력 제어를 구현합니다. 재생에너지 영역에서는 인버터, 에너지 저장 장치, 전력 조건 시스템의 신뢰성 높은 구동을 돕습니다.

포장 및 품질/지원
Si7960DP-T1-GE3은 TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 다양한 표준 패키지 옵션을 제공해 설계 및 PCB 배열에 맞는 최적의 솔루션을 선택할 수 있습니다. 또한 JEDEC, AEC-Q101( automotive-grade 모델 포함), RoHS, REACH를 충족하는 품질 기준을 준수합니다. 공급망 측면에서는 ICHOME이 100% 정품 Vishay Siliconix 구성요소를 제공하며, 승인된 소싱과 경쟁력 있는 가격, 부품 선택에 대한 전문 지원, 빠른 글로벌 배송으로 리드타임 리스크를 줄이고 장기 생산 안정성을 확보하는 데 도움을 줍니다.

결론
SI7960DP-T1-GE3는 효율성과 열 관리, 설계 유연성을 한꺼번에 제공하는 고신뢰성 MOSFET 배열로, 자동차, 산업 및 소비자 시장에서 고성능 파워 및 신호 제어 시스템 구축을 가능하게 합니다. 다양한 패키지 옵션과 엄격한 품질 기준, 강력한 공급망 지원이 결합되어 엔지니어가 복합적 전력 설계 도전에 대응하는 데 이상적인 선택이 됩니다. ICHOME은 이 시리즈의 100% 정품 공급과 함께 부품 선정 지원, 경쟁력 있는 가격, 신속한 글로벌 배송으로 지속적인 생산 안정성을 제공합니다.

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