SI6562DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix

SI6562DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix

📅 2025-12-22

SI6562DQ-T1-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터/ MOSFET 배열로 효율과 제어를 한층 강화

Vishay Siliconix의 SI6562DQ-T1-GE3은 낮은 conduction 손실과 빠른 스위칭 특성, 열 관리 측면의 안정성을 모두 갖춘 고성능 MOSFET 배열입니다. 이 소자는 Vishay의 최첨단 실리콘 공정을 기반으로 설계·제조되어, 전력 변환과 신호 제어가 필요한 다양한 환경에서 우수한 성능을 발휘합니다. 광범위한 작동 전압과 온도 범위를 지원하며, 현대의 모듈형 전력 설계에 필요한 유연한 PCB 레이아웃을 가능하게 합니다.

주요 특징

  • 낮은 RDS(on)으로 전도 손실 감소: 저항이 작아져 전력 손실이 줄고 시스템 효율이 올라갑니다.
  • 빠른 스위칭 특성: 고주파 응용에서의 응답 속도와 제어 정확도를 향상시킵니다.
  • 열 안정성: 낮은 열저항과 우수한 방열 성능으로 고부하 조건에서도 안정적인 동작을 유지합니다.
  • 폭넓은 작동 범위: 전압 및 온도 범위가 넓어 다양한 환경의 설계에 적합합니다.
  • 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지를 포함하여 설계 유연성을 제공합니다.
  • 품질 및 규정 준수: JEDEC, AEC-Q101(자동차 등급 모델), RoHS, REACH를 충족합니다.

적용 분야 및 설계 이점

  • 파워 매니지먼트: DC-DC 컨버터, 로드 스위치, 파워 모듈 등에서 고효율 전력 제어를 지원합니다.
  • 자동차 전자: 바디 전자, 인포테인먼트, 조명, EV 서브시스템 등 차량 환경의 신뢰성 요구를 충족합니다.
  • 산업 시스템: 모터 드라이브, 파워 서플라이, 자동화 제어기에서 견고한 성능을 제공합니다.
  • 소비자 전자: 노트북, 충전기, 어댑터, 휴대용 기기의 전력 관리에 적합합니다.
  • 컴퓨팅 및 네트워킹: 서버의 VRM, 텔레콤 파워 아키텍처 등 고밀도 전력 제어에 활용됩니다.
  • 재생에너지: 인버터, 에너지 저장 시스템, 파워 컨디셔닝에서 안정적인 동작을 보장합니다.

설계 유연성 및 품질 표준

다양한 표준 패키지 옵션으로 최신 개발 흐름에 맞춘 레이아웃 구성이 가능하며, JEDEC, AEC-Q101 자동차 등급 옵션도 마련되어 있어 자동차 및 산업용 적용에서 신뢰성을 높입니다. 또한 RoHS 및 REACH 규정을 준수하여 글로벌 제조 및 공급망 요구에 부합합니다. 이처럼 SI6562DQ-T1-GE3는 전력 변환 시스템의 효율성과 열 관리, 그리고 시스템 신뢰성을 한꺼번에 강화합니다.

유통 및 지원

ICHOME은 SI6562DQ-T1-GE3를 포함한 Vishay Siliconix 부품의 100% 정품 공급을 제공합니다. 핵심 혜택은 다음과 같습니다:

  • Authorized 및 추적 가능한 소싱
  • 경쟁력 있는 가격
  • 부품 선정에 대한 기술 지원
  • 전 세계 신속 배송
  • 리드타임 리스크 축소 및 장기 생산 안정성 확보

결론

SI6562DQ-T1-GE3은 효율성, 열 안정성, 설계 유연성을 균형 있게 갖춘 고성능 MOSFET 배열로서, 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 영역의 전력 제어 및 신호 관리에 이상적인 솔루션입니다. 빠른 응답과 안정적 동작으로 고부하 환경에서도 퍼포먼스를 유지하며, 패키지 선택의 자유로 다양한 설계 요구를 충족합니다.

구입하다 SI6562DQ-T1-GE3 ?

ICHOME은 고객이 신뢰할 수 있는 독립적인 전자 부품 유통업체가 되기 위해 최선을 다하고 있습니다.

BOM 비용 절감 | 구하기 힘든 부품

클릭하여 보기 SI6562DQ-T1-GE3 →

ICHOME TECHNOLOGY