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SQS660CENW-T1_GE3 Vishay Siliconix
개요 및 브랜드 소개 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology의 핵심 자회사로, 고성능 MOSFETs, 파워 IC, 디스크리트 반도체 솔루션 분야에서 오랜 역사를 자랑합니다. 전력 효율성, 열 성능, 신뢰성에 대한 꾸준한 집중으로 자동차, 산업계, 소비자 전자, 컴퓨팅 등 다양한 분야에서 폭넓게 채택되고 있습니다. Vishay Siliconix의 제품군은 고밀도 전력 변환과 정밀 전력 제어를 필요로 하는 현대 설계에서 핵심 역할을 하며, 열 관리와 장기 신뢰성에 대한 강력한 보장을 제공합니다. 이러한 배경 속에서 SQS660CENW-T1_GE3은 단일 소자의 고성능 FET로서, 낮은 컨덕션 손실과 빠른 스위칭 특성을 바탕으로 효율적인 전력 변환과 안정적인 작동을 구현합니다. SQS660CENW-T1GE3의 주요 특징 SQS660CENW-T1GE3는 고효율과 고신뢰성을 동시에 달성하기 위한 설계가 반영된 실리콘 공정 기술로 제조되었습니다. 주요 특징은 다음과 같습니다. 낮은 RDS(on): 도통 손실을 줄여 전체 시스템 효율을 높이고, 발열 관리의 부담을 경감합니다. 빠른 스위칭 특성: 고주파 응용에 적합한 스위칭 속도와 제어 정밀성을 제공합니다. 열적 안정성: 낮은 열저항 및 견고한 발열…
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SI7414DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix의 SI7414DN-T1-GE3는 단일형 MOSFET으로, 낮은 전도 손실과 빠른 스위칭 특성을 결합한 고성능 트랜지스터입니다. 이 소자는 Vishay의 첨단 실리콘 공정으로 제작되어 전력 변환 효율을 높이고, 다양한 전압/온도 조건에서 안정적인 동작을 제공합니다. 또한 TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 제공되어 현대의 복합적인 PCB 설계에 융통성을 부여합니다. 개요 및 특징 낮은 RDS(on): 전도 손실을 최소화해 효율성을 높이고 열 관리 부담을 줄입니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 애플리케이션에서의 제어 정밀성과 응답 속도를 향상시키며, 인덕터와 커패시터의 크기를 줄일 수 있습니다. 열 안정성: 낮은 열 저항과 견고한 방열 특성으로 고부하 운용에서도 안정적 동작을 유지합니다. 넓은 작동 범위: 폭넓은 전압 및 온도 범위에서 신뢰성 있는 성능을 제공합니다. 패키지 다양성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 다양한 표준 패키지 옵션으로 레이아웃 유연성을 확보합니다. 품질 및 규정 준수: JEDEC 표준, AEC-Q101( automotive-grade 모델), RoHS, REACH를 충족합니다. 적용 분야 및 설계 이점 SI7414DN-T1-GE3는 전력 관리와…
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SUM90N10-8M2P-E3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SUM90N10-8M2P-E3 – 고효율 전력 및 신호 제어를 위한 고신뢰성 트랜지스터 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology의 자회사로, 고성능 MOSFET, 전력 IC, 그리고 분리형 반도체 솔루션을 제공하는 잘 알려진 브랜드입니다. 이 회사는 전력 효율성, 열 성능 및 장기적인 신뢰성에 중점을 둔 제품을 제조하며, 그 제품들은 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨터 응용 분야에서 널리 사용됩니다. Vishay Siliconix SUM90N10-8M2P-E3 트랜지스터 소개 Vishay Siliconix SUM90N10-8M2P-E3는 뛰어난 성능을 제공하는 단일 MOSFET로, 저항 손실을 최소화하고 빠른 스위칭 성능을 제공하며, 고온과 고전압 환경에서도 안정적인 작동을 보장합니다. 이 제품은 Vishay의 첨단 실리콘 공정을 통해 설계되어 전력 변환 효율을 극대화하며, 정밀한 전력 제어가 가능합니다. 다양한 산업 표준 패키지로 제공되어, 유연한 PCB 레이아웃과 현대적인 전력 및 신호 제어 설계에 손쉽게 통합될 수 있습니다. 주요 특성 저 RDS(on): 전도 손실을 줄여 효율성을 높입니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용 프로그램에 최적화되어 있습니다. 열 안정성: 낮은 열 저항과…
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IRFU024PBF Vishay Siliconix
Vishay Siliconix IRFU024PBF — 고신뢰성 FET로 효율적 전력 및 신호 제어 실현 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology 산하의 선도적인 반도체 브랜드로, 고성능 MOSFET과 파워 IC, 디스크리트 솔루션을 전문으로 합니다. 전력 효율성, 열 성능 및 장기 신뢰성에 집중하는 이 브랜드의 제품은 자동차, 산업, 가전, 컴퓨팅 분야에서 널리 채택되고 있습니다. IRFU024PBF는 이러한 배경 속에서 설계된 고성능 싱글 MOSFET으로, 낮은 컨덕션 손실과 빠른 스위칭 특성, 열 조건에 안정적인 동작을 제공합니다. Vishay의 첨단 실리콘 공정으로 개발된 이 소자는 광범위한 작동 시나리오에서 효율적인 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 가능하게 합니다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 컨덕션 손실 감소로 시스템 효율 향상 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에 최적화된 동작 열 안정성: 낮은 열 저항과 우수한 열 분산 넓은 작동 범위: 전압 및 온도 폭넓은 운영 가능 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등을 포함한 표준 패키지 지원 품질 및 규정 준수: JEDEC, AEC-Q101(…
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SI7463ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SI7463ADP-T1-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터(FET)로 효율성과 제어 정밀성을 한 데 모으다 Vishay Siliconix는 고성능 MOSFET, 파워 IC, 디스크리트 솔루션 분야에서 오랜 역사를 가진 브랜드다. 전력 효율성과 열 성능, 장기 신뢰성에 초점을 맞춘 제품 라인업은 자동차, 산업, 소비자, 컴퓨팅 분야에서 널리 채용되고 있다. 그 가운데 SI7463ADP-T1-GE3는 단일 소자로 설계된 고성능 트랜지스터-전계형 MOSFET로, 낮은 전도 손실과 빠른 스위칭 특성, 그리고 열 환경이 까다로운 조건에서도 안정된 작동을 제공하도록 구성되었다. 다양한 표준 패키지로 제공되어 현대 전력 및 신호 제어 설계에 유연한 실장 배치를 가능하게 한다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 전도 손실을 줄여 시스템 효율성을 높임 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에서의 반응 속도와 제어 정확도 향상 열적 안정성: 낮은 열저항과 우수한 방열 특성으로 고온 환경에서도 성능 저하를 최소화 넓은 작동 범위: 전압 및 온도 범위에서의 안정적 작동 보장 패키지 다양성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 다양한 PCB…
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SIHB18N60E-GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SIHB18N60E-GE3 — 효율적인 전력 및 신호 제어를 위한 고신뢰성 트랜지스터 Vishay Siliconix는 고성능 MOSFET, 전력 IC, 그리고 이산 반도체 솔루션을 전문으로 하는 세계적인 반도체 브랜드로, 전력 효율성, 열 성능 및 장기적인 신뢰성에 대한 강한 집중을 자랑합니다. Vishay Siliconix의 제품은 자동차, 산업, 소비자, 컴퓨팅 분야에서 널리 채택되고 있습니다. Vishay Siliconix SIHB18N60E-GE3의 특징 Vishay Siliconix의 SIHB18N60E-GE3는 전력 및 신호 제어 시스템에서 매우 중요한 역할을 하는 고성능 트랜지스터로, 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 성능, 그리고 열적 및 전기적 조건에서 안정적인 동작을 제공합니다. 이 MOSFET는 Vishay의 고급 실리콘 공정을 기반으로 설계되어, 효율적인 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 지원합니다. 다양한 산업 표준 패키지로 제공되어, 현대적인 전력 및 신호 제어 설계에 쉽게 통합될 수 있습니다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 전도 손실이 적어 높은 효율성 제공 빠른 스위칭 성능: 고주파수 응용 프로그램에 최적화 열 안정성: 낮은 열 저항과 강력한 열…
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