Vishay Siliconix SIHF7N60E-GE3는 고성능 트랜지스터(FET, MOSFET)로 단일 소자로 구성되어 전력 변환과 신호 제어에서 낮은 전도 손실과 빠른 스위칭 특성을 제공합니다. Vishay Siliconix는 전력 효율성과 열 성능, 장기 신뢰성에 초점을 맞춘 솔루션으로 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 분야에서 널리 채택되고 있습니다. SIHF7N60E-GE3는 까다로운 전기적/열적 조건에서도 안정적으로 동작하도록 설계되었으며, 현대의 고성능 파워 회로에서 효율적 전력 관리와 정밀 제어를 가능하게 합니다. 주요 특징과 설계 이점 저 RDS(on): 전도 손실을 줄여 시스템 전체 효율을 향상시키며, 더 작고 덜 더운 전력 회로를 구현합니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 애플리케이션에서도 안정적인 동작이 가능하며, 스위칭 로스 및 EMI 관리에 유리합니다. 열적 안정성: 낮은 열저항과 우수한 방열 특성으로 높은 부하에서도 일관된 성능을 유지합니다. 넓은 작동 범위: 다양한 전압과 온도 조건에서 설계의 여유를 확보합니다. 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 제공되어 PCB 레이아웃과 기계적 설계의 융통성이 큽니다. 품질과 규정 준수: JEDEC, AEC-Q101(자동차…
더 읽어보기 →
당사 재고 구성품
ICHOME Technology의 최신 통찰력, 뉴스 및 업데이트
Vishay Siliconix IRLI630GPBF — 고신뢰성 트랜지스터 FET으로 효율적 전력 및 신호 제어 실현 개요 및 기술 포인트 Vishay Siliconix의 IRLI630GPBF는 단일 소자의 고성능 트랜지스터- FET, MOSFET로서 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 특성, 엄격한 전기적/열적 조건에서도 안정적인 동작을 목표로 설계되었습니다. Vishay의 진보된 실리콘 공정을 기반으로 만들어져 효율적인 전력 변환과 정밀한 파워 제어를 다양한 작동 시나리오에서 가능하게 합니다. 이 부품은 산업 표준의 패키지로 제공되어 현대의 전력 및 신호 제어 설계에 유연한 PCB 배치를 가능하게 하며 설치를 간소화합니다. 주요 특징으로는 저 RDS(on)으로 구동손실을 줄이고, 고주파 애플리케이션에 적합한 빠른 스위칭 성능, 낮은 열저항과 견고한 방열 성능, 그리고 넓은 동작 전압/온도 범위가 있습니다. 또한 TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 다양한 표준 패키지로 선택의 폭이 넓고, JEDEC, AEC-Q101(오토모티브 등급), RoHS, REACH와 같은 품질 및 규정 준수를 충족합니다. 적용 사례 및 설계 이점 IRLI630GPBF는 전력 관리 분야에서의 구동 회로 및 DC-DC 컨버터,…
더 읽어보기 →
Vishay Siliconix SIHB053N60E-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터(FET, MOSFET) 단일 칩으로 효율적 전력 및 신호 제어를 실현 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology 산하의 대표적인 반도체 브랜드로, 고성능 MOSFET과 파워 IC, 디스크리트 솔루션에 집중합니다. 전력 효율과 열 성능, 장기 신뢰성에 대한 강한 초점을 바탕으로 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 분야에서 널리 채택되고 있습니다. SIHB053N60E-GE3 역시 이러한 브랜드 강점을 반영한 고성능 트랜지스터로, 낮은 컨덕션 손실과 빠른 스위칭 특성, 열적 조건에서도 안정적인 작동을 구현합니다. 정교한 실리콘 공정 기술로 설계된 이 소자는 폭넓은 동작 시나리오에서 효율적 전력 변환과 정밀한 파워 제어를 가능하게 합니다. 주요 특징과 설계 이점 저 RDS(on): 도통 손실을 최소화하여 시스템 효율 향상에 기여 빠른 스위칭 성능: 고주파 환경에서도 안정적인 작동과 간섭 감소 열 안정성: 낮은 열저항과 우수한 발열 관리로 신뢰성 증가 넓은 작동 범위: 전압 및 온도 조건이 넓어 다양한 어플리케이션에 적합 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등…
더 읽어보기 →
Vishay Siliconix IRFI9520GPBF는 고신뢰성 단일 MOSFET으로, 효율적인 전력 변환과 정밀한 신호 제어를 필요로 하는 현대 설계에 최적화되어 있습니다. 전력 모듈부터 자동차 전장, 산업용 시스템까지 다양한 애플리케이션에서 안정적인 동작과 긴 수명을 제공하도록 설계된 이 소자는 Vishay의 첨단 실리콘 공정 기술의 산물로, 열 관리와 전력 손실 최소화에 중점을 둡니다. 여러 표준 패키지로 제공되어 복잡한 보드 레이아웃에서도 손쉽게 통합할 수 있습니다. 핵심 특징과 기술 이점 낮은 RDS(on)으로 전도 손실 감소: 전력 손실을 줄이고 시스템 효율을 높여 열 관리 부담도 경감합니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에서의 전환 지연을 최소화하여 더 작고 가벼운 전력 컨버터 설계가 가능해집니다. 열 안정성: 낮은 열 저항과 견고한 방열 특성으로 열 사이클에서도 안정적인 동작을 유지합니다. 넓은 작동 범위: 다양한 전압 및 온도 조건하에서도 예측 가능한 성능을 제공합니다. 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 다양한 산업 표준 패키지로 구성되어 PCB 레이아웃의 설계 자유도가 높습니다. 품질…
더 읽어보기 →
Vishay Siliconix IRFI9520GPBF — 고신뢰성 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - 단일형 효율적인 전력 및 신호 제어 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology의 중요한 반도체 브랜드로, 고성능 MOSFET, 전력 IC 및 분리형 반도체 솔루션을 전문으로 합니다. 전력 효율성, 열 성능 및 장기적인 신뢰성에 강력한 집중을 두고 있는 Vishay Siliconix의 제품은 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨터 애플리케이션에서 널리 사용됩니다. IRFI9520GPBF 개요 Vishay Siliconix의 IRFI9520GPBF는 고성능 트랜지스터인 FETs, MOSFETs - 단일형으로 설계되어 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 성능, 그리고 고온 및 고전압 조건에서도 안정적인 동작을 제공합니다. 이 부품은 Vishay의 고급 실리콘 프로세스를 기반으로 제작되었으며, 효율적인 전력 변환과 정확한 전력 제어를 지원하는 능력을 갖추고 있습니다. 또한, 여러 산업 표준 패키지로 제공되어 PCB 레이아웃의 유연성을 높이고 현대적인 전력 및 신호 제어 설계에 쉽게 통합될 수 있습니다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 낮은 전도 손실로 높은 효율성 제공 빠른 스위칭 성능: 고주파 애플리케이션에 최적화…
더 읽어보기 →
Vishay Siliconix SIHP30N60E-GE3 — 고신뢰성 FET로 효율적인 전력 및 신호 제어를 구현하다 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology 산하의 잘 알려진 반도체 브랜드로, 고성능 MOSFET, 파워 IC, 디스크리트 솔루션의 설계와 공급에 집중합니다. 전력 효율성, 열 성능, 장기 신뢰성에 대한 강한 초점을 통해 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 분야에서 널리 채택됩니다. SIHP30N60E-GE3는 단일 게이트를 가진 고성능 FET로, 넓은 운영 조건에서 낮은 컨덕턴스 손실과 빠른 스위칭 특성을 제공합니다. 이 소자는 Vishay의 최신 실리콘 공정으로 설계되었으며, 효율적인 파워 변환과 정밀한 전력 제어를 다양한 작동 환경에서 지원합니다. 주요 특징 및 성능 요인 낮은 RDS(on): 전도 손실을 줄여 더 높은 효율을 실현합니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 애플리케이션에 최적화된 동작 특성을 제공합니다. 열적 안정성: 낮은 열 저항과 견고한 방열 성능으로 고온 환경에서도 안정적 동작을 유지합니다. 넓은 작동 범위: 다양한 전압 및 온도 조건에서의 신뢰성 있는 동작을 지원합니다. 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO…
더 읽어보기 →