Vishay Siliconix SIZ918DT-T1-GE3 — 고신뢰성 MOSFET로 구현하는 효율적 전력·신호 제어 효율과 신뢰성이 동시에 요구되는 전력 설계에서 소자 선택은 전체 성능을 좌우한다. Vishay Siliconix의 SIZ918DT-T1-GE3는 낮은 온저항과 빠른 스위칭 특성, 우수한 열 안정성을 결합한 고성능 단일 MOSFET으로, 전력 변환과 정밀 제어가 필요한 다양한 응용에서 뛰어난 가치를 제공한다. Vishay Siliconix의 공정 기술을 바탕으로 설계된 이 소자는 전도 손실을 줄이고 고주파 동작에서도 안정적인 동작을 유지하도록 최적화되어 있다. 핵심 특징 낮은 RDS(on): 전도 손실을 최소화해 효율을 높이고 발열을 줄인다. 이로 인해 소형화된 열 설계에서도 더 높은 전류를 처리할 수 있다. 빠른 스위칭 성능: 게이트-드레인/게이트-소스 특성이 고주파 응용에 적합하게 튜닝되어 스위칭 손실이 줄어든다. 열 안정성: 낮은 열저항과 효율적인 열 방출 설계로 장시간 고온 환경에서도 안정적인 동작을 지원한다. 넓은 동작 범위: 확장된 전압·온도 등급에서 안정적으로 동작해 자동차·산업·통신 등 환경 변화가 큰 시스템에 적합하다. 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 산업…
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Vishay Siliconix SIZ918DT-T1-GE3 — 고신뢰성 MOSFET으로 전력과 신호를 효율적으로 제어하다 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology 산하의 전력 반도체 전문 브랜드로, 고성능 MOSFET과 전력 IC, 디스크리트 솔루션에서 오랜 신뢰도를 쌓아왔다. SIZ918DT-T1-GE3는 이러한 기술 역량을 집약한 단일 채널 MOSFET 제품으로, 낮은 도통 손실과 빠른 스위칭 특성, 그리고 열적·전기적 안정성을 동시에 요구하는 설계에 적합하다. 자동차, 산업용, 소비자 전자 및 컴퓨팅 분야에서 전력 변환과 정밀 제어를 필요로 하는 시스템에 널리 활용될 수 있도록 설계되었다. 제품 개요 및 핵심 특징 SIZ918DT-T1-GE3는 Vishay의 첨단 실리콘 공정을 바탕으로 제작되어 저온도 상승과 낮은 RDS(on)를 구현함으로써 시스템 효율을 향상시킨다. 주요 특징은 다음과 같다: 낮은 RDS(on): 도통 손실 감소로 전력 효율 개선과 발열 저감 효과 빠른 스위칭 성능: 고주파 애플리케이션에서 스위칭 손실 최소화 및 응답성 향상 열적 안정성: 낮은 열저항과 견고한 열확산 설계로 높은 온도 환경에서도 안정적 동작 넓은 동작 범위: 확장된 전압 및 온도 사양을…
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Vishay Siliconix SQ4920EY-T1_BE3 — 고신뢰성 트랜지스터(FET, MOSFET)로 효율적인 전력·신호 제어 구현 Vishay Siliconix 브랜드의 SQ4920EY-T1_BE3는 낮은 전도 손실과 빠른 스위칭 특성, 그리고 가혹한 전기·열 환경에서도 안정적으로 동작하도록 설계된 고성능 단일 채널 MOSFET입니다. 첨단 실리콘 공정과 검증된 설계로 전력 변환과 정밀 전력 제어에서 탁월한 효율과 신뢰성을 제공합니다. 모듈화된 패키지 옵션과 운용 범위의 폭넓음은 현대적 PCB 설계에 손쉬운 통합을 가능하게 합니다. 핵심 특성 및 설계 이점 낮은 RDS(on): SQ4920EY-T1_BE3는 낮은 온저항으로 전도 손실을 줄여 전력 효율을 향상시킵니다. 이는 열 발생을 억제하고 배터리 기반 시스템에서 동작 시간을 늘리는 데 유리합니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용을 고려한 최적화로 스위칭 손실을 최소화하고, DC-DC 컨버터나 고속 스위칭 회로에서 우수한 응답성을 제공합니다. 열적 안정성: 낮은 열저항과 효과적인 열 분산 특성으로 높은 온도 환경에서도 성능 저하를 최소화하며 장기 신뢰성을 보장합니다. 광범위 동작 범위: 확장된 전압·온도 사양으로 자동차용 전자장치부터 산업용 파워 서플라이까지 다양한 환경에서…
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Vishay Siliconix SI6913DQ-T1-BE3 — 고신뢰성 트랜지스터 - 효율적인 전력 및 신호 제어를 위한 FET, MOSFET - 단일형 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology의 일원으로, 고성능 MOSFET, 전력 IC, 그리고 이산 반도체 솔루션을 전문으로 하는 반도체 브랜드입니다. 이 회사는 전력 효율성, 열 성능, 그리고 장기적인 신뢰성에 중점을 둔 제품을 제공하며, 자동차, 산업, 소비자, 컴퓨팅 애플리케이션 등에서 널리 사용되고 있습니다. Vishay Siliconix SI6913DQ-T1-BE3는 전도 손실을 최소화하고 빠른 스위칭 성능을 제공하며, 까다로운 전기적 및 열적 조건에서도 안정적으로 작동하도록 설계된 고성능 트랜지스터(FET, MOSFET)입니다. Vishay의 첨단 실리콘 공정을 통해 설계된 이 장치는 전력 변환 효율성과 정밀한 전력 제어를 지원하며, 다양한 운용 시나리오에서 뛰어난 성능을 발휘합니다. 또한, 여러 산업 표준 패키지로 제공되어, 현대적인 전력 및 신호 제어 설계에서 유연한 PCB 레이아웃과 간편한 통합을 가능하게 합니다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 전도 손실이 적어 높은 효율성을 제공 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용 분야에 최적화 열…
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Vishay Siliconix SIZF920DT-T1-GE3 — 고신뢰성 단일 MOSFET로 효율적인 전력 및 신호 제어 실현 제품 개요 Vishay Intertechnology의 고성능 반도체 라인인 Vishay Siliconix가 선보이는 SIZF920DT-T1-GE3는 낮은 도통 손실과 빠른 스위칭을 목표로 설계된 단일 MOSFET입니다. 첨단 실리콘 공정을 적용해 전력 변환 효율과 열 안정성을 개선했으며, 자동차·산업·소비자 전자 및 컴퓨팅 분야의 까다로운 조건에서도 안정적으로 동작하도록 최적화되어 있습니다. 다양한 표준 패키지 옵션을 제공해 PCB 레이아웃의 유연성을 높이고, 기존 설계에 쉽게 통합할 수 있습니다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 낮은 온저항 설계로 도통 손실을 줄여 전력 효율을 향상시킵니다. 소형 폼팩터에서도 발열 저감을 통해 전체 시스템 효율에 기여합니다. 빠른 스위칭 성능: 게이트 전하와 전환 특성이 최적화되어 고주파 운용이 요구되는 DC-DC 컨버터나 스위칭 모듈에 적합합니다. 스위칭 손실을 줄여 전력 손실을 최소화합니다. 열적 안정성: 낮은 열저항과 견고한 열 분산 설계로 높은 전력 밀도 환경에서도 신뢰성 있는 동작을 제공합니다. 방열 설계와의 조합 시 장기적인 신뢰성을…
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Vishay Siliconix SQJB44EP-T1_GE3 — 고신뢰성 단일 MOSFET로 구현하는 효율적 전력·신호 제어 제품 개요 Vishay Siliconix의 SQJB44EP-T1_GE3는 저전력 손실과 빠른 스위칭을 목표로 설계된 단일 MOSFET 소자입니다. Vishay의 성숙한 실리콘 공정과 전력 반도체 설계 경험을 바탕으로, 이 제품은 넓은 전압·온도 범위에서 안정적으로 동작하며 전력 변환과 정밀 전력 제어가 요구되는 시스템에 적합합니다. 다양한 산업 표준 패키지로 제공되어 PCB 설계 유연성이 높고, 자동차·산업용 등 장기간 신뢰성이 요구되는 애플리케이션에서도 사용 가능한 라인업을 포함합니다. 핵심 특징 및 설계 이점 저 RDS(on): 온저항이 낮아 도통 손실을 줄이고 시스템 효율을 향상시킵니다. 특히 배터리 기반 장치나 고효율 레귤레이터에서 유의미한 에너지 절감 효과를 제공합니다. 고속 스위칭 성능: 게이트 전하와 스위칭 특성이 최적화되어 고주파 전력 변환, DC-DC 컨버터, 스위칭 레귤레이터 등에 유리합니다. 열적 안정성: 낮은 열저항과 우수한 방열 특성으로 과열을 억제하고 연속 동작 시에도 성능 저하 없이 안정적인 동작을 유지합니다. 넓은 동작 범위: 확장된 전압 및…
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