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SI9945BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SI9945BDY-T1-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터-FET 어레이로 효율적 전력 및 신호 제어 Vishay Siliconix의 SI9945BDY-T1-GE3는 고성능 트랜지스터- FET 어레이로, 낮은 도통 손실, 빠른 스위칭 특성, 열 관리 안정성을 바탕으로 까다로운 전력 변환 및 신호 제어 요구를 충족합니다. 이 소자는 Vishay의 고도화된 실리콘 공정으로 설계되어 폭넓은 작동 조건에서 효율적인 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 구현합니다. 다양한 산업 표준 패키지로 제공되어 현대의 전력·신호 제어 설계에 유연하고 간편한 보드 구성과 손쉬운 통합을 지원합니다. 주요 특징 저 RDS(on)로 도통 손실 감소: 전력 변환 효율을 높이고 방열 부하를 줄여 시스템 전력 밀도를 개선합니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에서의 응답 속도와 제어 정확성을 향상시키며, 전력 모듈의 다이나믹 스펙트럼에 잘 맞습니다. 열 안정성: 낮은 열저항과 견고한 방열 특성으로 고부하 환경에서도 안정적인 동작을 유지합니다. 광범위한 작동 범위: 전압 및 온도 범위를 넓게 확보해 자동차, 산업, 컴퓨팅 등 다양한 어플리케이션에 적용 가능합니다. 패키지 유연성:…
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SI1967DH-T1-BE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SI1967DH-T1-BE3 — 고신뢰성 FET/MOSFET 배열로 효율적 전력 및 신호 제어 Vishay Siliconix는 고성능 MOSFET, 파워 IC 및 디스크리트 솔루션 분야에서 오랜 기간 신뢰받아온 반도체 브랜드다. 전력 효율성과 열성능, 장기 신뢰성에 집중하는 이들의 제품은 자동차, 산업, 소비자, 컴퓨팅 분야에서 널리 채택된다. 그 흐름 속에서 SI1967DH-T1-BE3는 저전도 손실, 빠른 스위칭 특성, 엄격한 작동 조건에서도 안정성을 발휘하는 고성능 트랜지스터/배열로 설계되었다. SI1967DH-T1-BE3의 핵심 기술 특징 저 RDS(on) 설계로 전도 손실을 최소화해 시스템 전체 효율을 높인다. 이를 통해 DC-DC 컨버터, 로드 스위치 등 파워 모듈에서 열 관리와 충전 속도에 긍정적 영향을 준다. 빠른 스위칭 성능은 고주파 응용에서 손실 감소와 응답 속도 개선을 가능하게 하며, 고주파 전력 변환과 신호 제어에 특히 유리하다. 열 안정성은 낮은 열저항과 우수한 방열 특성으로 고부하 조건에서도 성능 저하를 억제한다. 넓은 작동 범위는 다양한 전압과 온도에서 일관된 동작을 보장하며, 까다로운 환경에서도 설계 여지를 넓혀 준다.…
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SQ4937EY-T1_BE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SQ4937EY-T1_BE3 — 고신뢰성 트랜지스터 및 MOSFET 배열로 효율적인 전력 및 신호 제어 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology의 자회사로, 고성능 MOSFET, 전력 IC 및 이산 반도체 솔루션을 전문으로 하는 회사입니다. 이 회사는 전력 효율성, 열 성능 및 장기적인 신뢰성에 중점을 두고 있으며, 그 제품들은 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 분야에서 널리 사용되고 있습니다. Vishay Siliconix SQ4937EY-T1_BE3: 고성능 트랜지스터 - MOSFET 배열 Vishay Siliconix의 SQ4937EY-T1_BE3는 전도 손실이 낮고, 빠른 스위칭 성능을 제공하며, 전기적 및 열적 조건에서 안정적인 작동을 보장하는 고성능 트랜지스터 - MOSFET 배열입니다. 이 제품은 Vishay의 첨단 실리콘 공정을 사용하여 설계되었으며, 다양한 작동 시나리오에서 효율적인 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 지원합니다. 다양한 산업 표준 패키지로 제공되어 PCB 레이아웃의 유연성을 높이고 현대적인 전력 및 신호 제어 설계에 쉽게 통합할 수 있습니다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 낮은 전도 손실로 더 높은 효율성 제공 빠른 스위칭 성능: 고주파…
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SQ4917EY-T1_BE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SQ4917EY-T1_BE3 — 고신뢰성 트랜지스터(FET, MOSFET) 배열로 효율적 전력 및 신호 제어 고효율과 빠른 스위칭의 조합 SQ4917EY-T1_BE3는 저항손실(RDS(on))을 낮춰 실제 회로에서 구동 손실을 크게 줄여주는 고성능 트랜지스터- MOSFET 배열입니다. 낮은 conduction 손실은 DC-DC 변환기나 로드 스위치 같은 구동 경로에서 더 높은 효율과 더 낮은 발열을 가능하게 합니다. 또한 빠른 스위칭 특성은 고주파 환경에서 스위칭 손실을 최소화해, 고주파 수반 애플리케이션의 응답 속도와 신호 정확성을 향상시킵니다. Vishay의 최적화된 실리콘 공정을 통해 열적 스트레스가 큰 상황에서도 안정적인 성능을 유지하며, 전력 제어 및 신호 제어 설계에서 예측 가능한 동작을 제공합니다. 열 관리와 패키지 선택의 자유로움 SQ4917EY-T1_BE3는 열적 안정성에 중점을 둔 설계로 낮은 열저저를 통해 고부하 상황에서도 견고한 열 분산을 구현합니다. 이로 인해 밀집된 파워 모듈이나 모듈러 설계에서 고온 환경에서도 성능 저하를 최소화할 수 있습니다. 패키지 측면에서도 다양성이 제공되어 보드 레이아웃의 유연성을 확보합니다. TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 업계…
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SI7997DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SI7997DP-T1-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터/ MOSFET 배열로 효율적 전력 및 신호 제어 주요 특징과 성능 Vishay Siliconix는 전력 소자 분야의 선도 브랜드로, SI7997DP-T1-GE3는 낮은 컨덕션 손실과 빠른 스위칭 특성을 통해 전력 변환 효율을 높이고, 까다로운 열 환경에서도 안정적인 동작을 제공하도록 설계된 FET 배열이다. 이 소자는 저 RDS(on)를 통해 전도 손실을 줄이고, 고주파 응용에서의 스위칭 속도 최적화를 실현한다. 또한 열 저항이 낮고 열 해소가 우수한 구조로 열 축적에 따른 성능 저하를 최소화한다. 넓은 동작 전압 및 온도 범위를 지원하여 다양한 설계 조건에서 신뢰성 있는 성능을 유지한다. 패키지 측면에서도 TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지를 폭넓게 제공해 PCB 레이아웃의 융통성과 설계 평형을 쉽게 맞출 수 있다. 품질 면에서는 JEDEC, AEC-Q101(자동차급 모델), RoHS, REACH 같은 국제 표준과의 준수를 보장한다. 적용 분야와 설계 이점 전력 관리 영역에서 SI7997DP-T1-GE3는 DC-DC 컨버터, 로드 스위치, 파워 모듈 등에서 효율과 응답성을…
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SQJ244EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SQJ244EP-T1_GE3 — 고신뢰성 트랜지스터-펫 FET 어레이로 효율적 전력 및 신호 제어 주요 특징 낮은 RDS(on)로 전도 손실 감소: SQJ244EP-T1_GE3는 도체 저항을 줄여 전력 변환 시의 손실을 최소화하고, 고효율 설계에 유리한 열 관리 여유를 제공합니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 애플리케이션에서 신속한 전환 특성을 제공해 전력 모듈 및 신호 제어 시스템의 응답성을 개선합니다. 열 안정성 및 열저항: 낮은 열저항과 견고한 방열 특성으로 연속 운용 시 신뢰성을 높이고, 다양한 실환경에서도 안정된 작동을 보장합니다. 광범위한 동작 범위: 고전압 및 넓은 온도 범위를 지원하여 자동차, 산업 및 하이브리드 시스템의 까다로운 조건에서도 성능을 유지합니다. 패키지 다양성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 제공되어 PCB 레이아웃의 자유도와 설치 용이성을 제공합니다. 품질 및 준수: JEDEC 표준, AEC-Q101(자동차용 등급 모델), RoHS, REACH를 충족해 자동차 및 산업 응용에서의 규정 준수를 확보합니다. 적용 분야 전원 관리: DC-DC 컨버터, 로드 스위치, 파워 모듈에서의 전력…
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