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SI4967DY-T1-E3 Vishay Siliconix
개요 및 특징 Vishay Siliconix SI4967DY-T1-E3는 고신뢰성 트랜지스터(FET) 배열로, 낮은 RDS(on)과 빠른 스위칭 특성을 통해 전력 변환 효율을 높이고, 까다로운 전기적·열적 조건에서도 안정적 작동을 제공합니다. 이 칩은 Vishay의 고급 실리콘 공정을 바탕으로 설계되어 폭넓은 전력 제어와 정밀 제어가 필요한 구간에 적합합니다. 다양한 산업 표준 패키지로 제공되어 PCB 레이아웃의 유연성을 확보하며, TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 여러 형식을 지원합니다. 제조 표준 준수 면에서도 JEDEC, 자동차용 AEC-Q101(자동차 등급 모델), RoHS 및 REACH를 충족하여 신뢰성과 규정 준수를 동시에 확보합니다. 주요 특징 요약 저 RDS(on)으로 컨덕션 손실 감소 및 효율 향상 빠른 스위칭 성능으로 고주파 응용에 최적화 열 저항이 낮고 열 관리가 용이한 열 안정성 넓은 작동 범위로 다양한 전압 및 온도 환경 대응 패키지 다양성으로 설계 유연성 강화 품질 및 규격 준수로 자동차 및 산업용 신뢰성 확보 적용 분야 Vishay Siliconix SI4967DY-T1-E3는 전력 관리 및 신호 제어 시스템…
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SI4816DY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SI4816DY-T1-GE3 — 고신뢰성 FET 배열로 구현되는 효율적 전력 및 신호 제어 주요 특징 Vishay Siliconix의 SI4816DY-T1-GE3는 고성능 Transistors - FETs, MOSFETs 배열로 설계되어, 낮은 순저항(RDS(on))으로 도통 손실을 최소화하고, 빠른 스위칭 특성으로 고주파 응용에서의 성능을 극대화합니다. 이 칩은 Vishay의 첨단 실리콘 공정을 기반으로 하여, 전력 변환의 효율을 높이고 전력 제어의 정밀성을 확보합니다. 또한 넓은 작동 전압 및 온도 범위를 지원해, 다양한 환경 조건에서도 안정적으로 작동합니다. 패키지 측면에서도 TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준형 패키지를 제공해 PCB 레이아웃의 유연성을 극대화하고, 설계 초기 단계부터 실장까지 손쉽게 통합할 수 있습니다. 품질 및 규정 준수 측면에서 JEDEC, AEC-Q101(자동차 등급 모델), RoHS, REACH를 만족해 자동차, 산업, 소비자 및 IT 환경의 엄격한 요구를 충족합니다. 이처럼 SI4816DY-T1-GE3은 모듈화된 MOSFET 배열 특성으로, 고효율 전력 관리와 정확한 신호 제어를 동시에 구현할 수 있도록 설계되었습니다. 응용 시나리오 전력 관리 분야에서 SI4816DY-T1-GE3은 DC-DC 컨버터, 로드…
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SI4910DY-T1-E3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SI4910DY-T1-E3는 고성능 Transistors - FETs, MOSFETs - 배열로 전력 변환과 신호 제어에서 낮은 전도 손실과 빠른 스위칭 특성, 높은 열 안정성을 제공합니다. 이 글은 SI4910DY-T1-E3의 핵심 특징과 적용 시나리오, 그리고 유통·지원 체계를 통해 설계 엔지니어들이 어떻게 활용할지 살펴봅니다. 개요 및 특징 저 RDS(on)으로 전도 손실 감소를 실현하고, 보다 높은 전체 효율을 가능하게 합니다. 빠른 스위칭 성능으로 고주파 애플리케이션에서의 효율과 응답성을 향상합니다. 우수한 열 안정성: 낮은 열 저항과 뛰어난 방열 특성으로 고부하 조건에서도 안정적인 동작을 제공합니다. 광범위 작동 범위: 전압 및 온도 범위가 넓어 다양한 설계 요구에 대응합니다. 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 구성되어 PCB 레이아웃과 설계 선택의 자유도가 큽니다. 품질 및 규정 준수: JEDEC 표준, AEC-Q101(자동차 등급 모델), RoHS, REACH를 충족하는 신뢰성 높은 솔루션입니다. 응용 시나리오 및 설계 이점 전력 관리: DC-DC 컨버터, 로드 스위치, 파워 모듈에서 효율과 반응…
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SI6963BDQ-T1-E3 Vishay Siliconix
개요 및 특징 Vishay Siliconix는 파워 MOSFET, 파워 IC 및 이산 반도체 솔루션 분야에서 오랜 역사를 가진 브랜드로, 전력 효율성, 열 성능 및 장기 신뢰성에 집중합니다. SI6963BDQ-T1-E3는 고성능 Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays로서, 낮은 RDS(on)으로 컨덕션 손실을 줄이고, 빠른 스위칭 특성을 통해 고주파 응용에서도 우수한 성능을 발휘합니다. 이 소자는 Vishay의 최첨단 실리콘 공정을 바탕으로 설계되어 전력 변환을 보다 효율적으로 수행하고, 다양한 작동 조건에서 안정적인 제어를 제공합니다. 또한 여러 산업 표준 패키지로 제공되어 보드 설계의 융통성을 높이고, 최신 전력 및 신호 제어 설계에 간편하게 통합될 수 있습니다. 저 RDS(on)으로 손실 감소와 효율 향상 빠른 스위칭 성능으로 고주파 응용에 적합 열적 안정성과 낮은 열 저항으로 까다로운 열 조건에서도 안정작동 넓은 작동 전압 및 온도 범위로 다목적 사용 가능 TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지의 폭넓은 선택권 JEDEC, AEC-Q101( automotive-grade 모델), RoHS 및 REACH 준수 적용…
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SI4511DY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SI4511DY-T1-GE3는 고신뢰성 파워 및 신호 제어를 위한 트랜지스터- MOSFET 배열의 대표 주자다. 전력 변환과 모듈식 회로 설계에서 필요한 낮은 전도 손실과 빠른 스위칭 속도, 열 관리 안정성을 한꺼번에 제공해 다양한 산업 환경에서 극대화된 효율과 신뢰성을 실현한다. Vishay의 첨단 실리콘 공정으로 제작된 이 소자는 자동차, 산업, 소비자 전자 및 컴퓨팅 분야의 까다로운 조건에서도 견고한 동작을 보장한다. 주요 특징 저 RDS(on)으로 전도 손실을 최소화해 시스템 효율을 높인다. 이는 DC-DC 컨버터나 로드 스위치와 같은 파워 모듈에서 열 관리 부담을 줄이고 열 설계의 여유를 만든다. 빠른 스위칭 성능으로 고주파 애플리케이션에 적합하다. 이를 통해 고주파 구동 회로의 손실을 더 잘 제어하고 응답 시간을 단축할 수 있다. 열 안정성 및 열 저항이 낮아 열 방출이 원활하다. 고열 환경에서도 출력 특성을 안정적으로 유지해 시스템 신뢰성을 향상시킨다. 넓은 동작 전압 및 온도 범위로 설계 유연성을 확보한다. 자동차 등급에서 산업용 모듈까지 다양한…
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SI4920DY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SI4920DY-T1-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터 배열로 효율과 제어를 한층 강화 Vishay Siliconix는 고성능 MOSFET, 파워 IC 및 디스크리트 반도체 솔루션에서 꾸준히 신뢰받아 온 브랜드다. 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 분야의 다양한 애플리케이션에서 전력 효율과 열 성능, 장기 신뢰성에 대한 강한 집중으로 유명하다. 그 흐름 속에서 SI4920DY-T1-GE3는 고성능 트랜지스터(FET, MOSFET) 배열로서 낮은 컨덕션 손실, 빠른 스위칭, 열 관리의 안정성을 하나의 패키지에 담아 제공한다. 이 부품은 Vishay의 첨단 실리콘 제조 공정으로 설계되어 폭넓은 작동 시나리오에서 효율적인 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 가능하게 한다. 또한 산업용 표준 패키지로 제공되어 현대의 PCB 레이아웃과 통합에 유연성을 더한다. 주요 특징 낮은 RDS(on)으로 컨덕션 손실 감소: 전력 경로에서의 저항이 낮아 시스템 효율이 향상된다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 애플리케이션에서도 열 관리와 응답 속도를 개선한다. 열 안정성: 낮은 열 저항과 우수한 방열 특성으로 고온 환경에서도 안정적인 동작을 유지한다. 넓은 작동 범위: 다양한 전압…
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