Vishay Siliconix의 IRFR024PBF은 고신뢰성 FET/MOSFET 단일 소자로, 낮은 RDS(on)과 빠른 스위칭 특성, 그리고 까다로운 전기적‧열적 조건에서도 안정적인 동작을 제공합니다. 현대의 전력 변환 및 신호 제어 설계에서 핵심 부품으로 자리매김하며, 다양한 표준 패키지로 유연한 PCB 레이아웃과 간편한 설계 통합을 가능하게 합니다. 이 소자는 Vishay의 첨단 실리콘 공정으로 생산되어, 효율적 전력 변환과 정밀한 제어를 요구하는 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 애플리케이션에 이상적입니다. 주요 특징 낮은 RDS(on)으로 도통 손실을 줄여 시스템 효율을 높이고, 고부하 상황에서도 열 상승을 억제합니다. 빠른 스위칭 특성으로 고주파 응용에 최적화되어, 전력용 모듈과 드라이버 회로의 응답 속도를 향상시킵니다. 열적 안정성 우수로 낮은 열저항과 효과적인 방열이 가능해, 지속적인 고부하 운전에서도 성능 저하를 최소화합니다. 넓은 동작 범위: 다양한 전압 및 온도 조건에서 안정된 작동을 제공해 다목적 설계에 유연성을 부여합니다. 패키지 다양성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 구성되어 모듈링과 레이아웃 옵션이 넓습니다. 품질 및 규정 준수:…
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Vishay Siliconix
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Vishay Siliconix IRFP264PBF — 고신뢰성 FET로 효율적 전력 및 신호 제어 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology 산하의 잘 알려진 반도체 브랜드로, 고성능 MOSFET, 파워 IC, 디스크리트 솔루션을 전문으로 합니다. 전력 효율과 열 성능, 장기 신뢰성에 중점을 두고 설계된 제품들은 자동차, 산업, 가전 및 컴퓨팅 분야에서 널리 활용됩니다. IRFP264PBF는 이러한 강점을 바탕으로 낮은 도통 손실과 빠른 스위칭 특성을 제공하며, 까다로운 전기적·열 환경에서도 안정적으로 작동하도록 고안된 단일형 트랜지스터- FET입니다. Vishay의 최첨단 실리콘 공정을 활용해 다양한 작동 시나리오에서 효율적인 전력 변환과 정밀한 제어가 가능하도록 설계되었습니다. 주요 특징 낮은 RDS(on)으로 도통 손실 감소 및 시스템 효율 향상 빠른 스위칭 성능으로 고주파 애플리케이션에 적합 열 안정성 우수: 낮은 열저항 및 견고한 방열 성능 넓은 동작 범위: 다양한 전압 및 온도 조건에서도 안정적 동작 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 간편한 PCB 레이아웃 가능 품질 및 규정 준수: JEDEC,…
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Vishay Siliconix SQJ414EP-T1_GE3 — 고신뢰성 트랜지스터로 효율적인 전력 및 신호 제어 Vishay Siliconix는 전력 효율성, 열 성능, 그리고 장기적인 신뢰성에 중점을 둔 고성능 MOSFET, 전력 IC, 그리고 이차 반도체 솔루션을 전문으로 하는 Vishay Intertechnology의 브랜드입니다. 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 응용 분야에서 널리 채택되는 Vishay Siliconix의 제품은 뛰어난 성능과 안정성을 제공합니다. SQJ414EP-T1_GE3: 고성능 MOSFET Vishay Siliconix SQJ414EP-T1GE3는 효율적인 전력 변환과 정확한 전력 제어를 지원하도록 설계된 고성능 트랜지스터(FET), MOSFET 단일 소자입니다. 이 제품은 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 성능, 그리고 열적 스트레스가 큰 환경에서도 안정적인 동작을 보장하는 특징을 가지고 있습니다. Vishay의 고급 실리콘 프로세스를 통해 제작된 SQJ414EP-T1GE3는 전력 관리 및 신호 제어 설계에서 탁월한 성능을 발휘합니다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 전도 손실을 최소화하여 높은 효율성을 제공 빠른 스위칭 성능: 고주파수 응용 프로그램에 최적화됨 열적 안정성: 낮은 열 저항과 뛰어난 열 방출 성능 넓은 작동 범위: 확장된…
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Vishay Siliconix SIHFPS38N60L-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터: 효율적인 전력 및 신호 제어를 위한 MOSFET Vishay Siliconix는 고성능 MOSFET, 전력 IC 및 이산 반도체 솔루션을 제공하는 글로벌 반도체 브랜드로, 전력 효율성, 열 성능 및 장기적인 신뢰성에 강력한 집중을 하고 있습니다. Vishay Siliconix의 제품은 자동차, 산업, 소비자, 컴퓨팅 분야에서 널리 사용되며, 전 세계에서 그 신뢰성 높은 성능으로 인정받고 있습니다. SIHFPS38N60L-GE3 개요 Vishay Siliconix의 SIHFPS38N60L-GE3는 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 성능, 안정적인 작동을 제공하는 고성능 트랜지스터로 설계되었습니다. 이 MOSFET는 고전압 및 고온 환경에서 뛰어난 효율성을 자랑하며, 효율적인 전력 변환 및 정밀한 전력 제어를 지원합니다. Vishay의 고급 실리콘 프로세스를 사용하여 설계된 이 제품은 까다로운 전기적 및 열적 조건에서도 우수한 성능을 발휘하며, 다양한 응용 분야에서 뛰어난 안정성을 제공합니다. 핵심 특징 낮은 RDS(on): 낮은 전도 손실로 고효율을 제공하며, 전력 소비를 최소화합니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용 프로그램에 최적화되어 빠른 전환 속도와 높은…
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Vishay Siliconix IRFR214TRLPBF — 고신뢰성 MOSFET으로 효율과 제어를 한 차원 올리다 Vishay Siliconix는 전력용 MOSFET, 파워 IC 및 이산 반도체 솔루션 분야에서 오랜 역사를 자랑하는 브랜드다. 전력 효율과 열 특성, 장기 신뢰성에 집중해 자동차, 산업, 가전 및 컴퓨팅 분야의 고성능 시스템에 널리 채택되어 왔다. IRFR214TRLPBF는 이러한 철학을 바탕으로 설계된 고성능 Transistors - FETs, MOSFETs로, 낮은 컨덕션 손실과 빠른 스위칭 성능, 열 환경에 강한 안정성을 결합하고 있다. Vishay의 최신 실리콘 공정 기술로 제조되어 전력 변환 및 신호 제어에서 효율성을 극대화하고, 다양한 운영 시나리오에서 균형 잡힌 동작을 제공한다. 표준 패키지로 제공되어 현대 파워/신호 제어 설계에 손쉬운 레이아웃과 유연성을 제공한다. 주요 특징과 설계 이점 저 RDS(on): 도통 손실을 줄여 시스템 효율성을 높이고, 더 작은 히트 싱크로도 더 많은 출력을 얻을 수 있다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에서도 열화 없이 안정적인 동작을 지원하며, 효율적인 전력 변환을 가능하게 한다. 열…
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Vishay Siliconix SI7108DN-T1-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터, FET, MOSFET - 효율적인 전력 및 신호 제어를 위한 싱글 디바이스 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology의 자회사로, 고성능 MOSFET, 전력 IC, 그리고 이산 반도체 솔루션을 전문으로 하는 브랜드입니다. 전력 효율성, 열 성능, 그리고 장기적인 신뢰성에 강력한 집중을 두고 있는 Vishay Siliconix의 제품들은 자동차, 산업, 소비자, 그리고 컴퓨팅 분야에서 널리 채택되고 있습니다. Vishay Siliconix SI7108DN-T1-GE3는 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 성능, 그리고 까다로운 전기적 및 열적 조건에서도 안정적인 동작을 제공하는 고성능 트랜지스터 FET, MOSFET 싱글 디바이스입니다. Vishay의 고급 실리콘 공정을 기반으로 설계되어, 효율적인 전력 변환과 정확한 전력 제어를 지원합니다. 이 디바이스는 다양한 운영 시나리오에 걸쳐 뛰어난 성능을 발휘하며, 유연한 PCB 레이아웃과 손쉬운 통합을 가능하게 하는 여러 산업 표준 패키지로 제공됩니다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 전도 손실을 줄여 높은 효율성 제공 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용을 위한 최적화된 성능 열적 안정성: 낮은…
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Vishay Siliconix SIRA10DP-T1-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터 FET로 효율적 전력 및 신호 제어 Vishay Siliconix는 파워 MOSFET, 파워 IC, 디스크리트 솔루션을 전문으로 하는 잘 알려진 반도체 브랜드로, 전력 효율성, 열 성능, 신뢰성에 집중하는 것으로 유명합니다. SIRA10DP-T1-GE3는 이들 강점이 집약된 고성능 트랜지스터- FET로, 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 특성, 열적 안정성을 한꺼번에 제공하도록 설계되었습니다. 이 소자는 Vishay의 선진 실리콘 공정을 활용해 폭넓은 작동 조건에서 신뢰성 있는 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 가능하게 하며, 다양한 표준 패키지로 제공되어 현대 파워 및 신호 제어 설계에 쉽게 적용할 수 있습니다. 주요 특징 및 기술 사양 이 부품은 저 RDS(on)으로 구동 손실을 감소시켜 효율을 높이고, 빠른 스위칭 성능으로 고주파 응용에 최적화되어 있습니다. 열적 안정성도 우수해 낮은 열 저항과 견고한 방열 특성을 제공하며, 광범위한 작동 전압 및 온도 범위를 지원합니다. 패키지 측면에서 TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 다양한 표준 패키지로 제공되어 PCB…
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Vishay Siliconix SQ4005EY-T1_GE3 — 고신뢰성 트랜지스터(FET/MOSFET) 단일 소자, 효율적 전력 및 신호 제어를 위한 설계 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology 산하의 잘 확립된 반도체 브랜드로서 고성능 MOSFET, 파워 IC, 디스크리트 솔루션에 집중합니다. 파워 효율성, 열 성능, 그리고 장기 신뢰성에 대한 강한 집중으로 자동차, 산업, 가정용 전자제품, 컴퓨팅 영역에서 널리 채택되고 있습니다. 이러한 브랜드 맥락 속에서 SQ4005EY-T1_GE3는 고성능 트랜지스터- FET로서, 낮은 항전류 손실과 빠른 스위칭 특성, 열적 조건이 까다로운 환경에서도 안정적인 동작을 제공합니다. SQ4005EY-T1_GE3는 Vishay의 최신 실리콘 공정을 활용해 설계된 단일 소자의 FET/MOSFET입니다. 이 소자는 전력 변환 효율을 높이고 정밀한 전력 제어를 필요로 하는 다양한 운용 조건에서 뛰어난 성능을 발휘합니다. 고주파 스위칭이 요구되는 응용 환경에서도 안정적인 동작을 유지하며, 전력 관리 시스템의 신뢰성을 한층 강화합니다. 패키지 측면에서 SQ4005EY-T1_GE3는 다수의 산업 표준 패키지로 제공되어 설계 유연성과 PCB 레이아웃의 간편화를 돕습니다. TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 다양한 옵션은 시스템 구성과…
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Vishay Siliconix SIHG73N60AE-GE3는 고성능 트랜지스터- FET, MOSFET 단일 소자로, 저 내전압 전도 손실과 빠른 스위칭 특성, 그리고 혹독한 전기 및 열 조건에서도 안정적인 동작을 목표로 설계되었습니다. Vishay Siliconix는 전력 효율, 열 성능, 장기 신뢰성에 초점을 맞춘 솔루션을 제공하는 브랜드로, 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 분야에서 널리 활용됩니다. SIHG73N60AE-GE3는 이런 철학을 바탕으로 정밀한 전력 제어와 효율적인 전력 변환을 가능하게 합니다. 핵심 특징 및 설계 이점 저 RDS(on): 전도 손실을 줄여 시스템 효율을 향상시킵니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용 및 빠른 응답이 필요한 회로에 적합합니다. 열 안정성: 낮은 열 저항과 견고한 발열 관리로 신뢰성 있는 작동을 제공합니다. 넓은 작동 범위: 전압과 온도 조건의 확장된 범위를 지원합니다. 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 다양한 PCB 레이아웃에 쉽게 통합됩니다. 품질 및 규정 준수: JEDEC, AEC-Q101(자동차 등급 모델), RoHS, REACH를 준수합니다. 적용 분야 및 사용 사례 Vishay…
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Vishay Siliconix SIA811ADJ-T1-GE3 – 고신뢰성 트랜지스터 및 MOSFET: 효율적인 전력 및 신호 제어 Vishay Siliconix는 고성능 MOSFET, 전력 IC, 그리고 이산 반도체 솔루션을 전문으로 하는 Vishay Intertechnology의 브랜드로, 전력 효율성, 열 성능, 장기적인 신뢰성에 집중하는 것으로 잘 알려져 있습니다. 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 애플리케이션에서 널리 채택되는 Vishay Siliconix의 제품들은 다양한 요구사항을 충족하며, 효율적인 전력 변환 및 신호 제어에 이상적입니다. 그 중에서 Vishay Siliconix SIA811ADJ-T1-GE3는 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 성능 및 안정적인 작동을 제공하는 고성능 트랜지스터 – FETs, MOSFETs – 단일 장치로 설계되었습니다. 이 부품은 Vishay의 첨단 실리콘 공정을 사용하여 제작되었으며, 광범위한 전압 및 온도 조건에서도 효율적인 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 지원합니다. 주요 특징 1. 낮은 RDS(on): SIA811ADJ-T1-GE3는 전도 손실을 최소화하여 고효율 성능을 제공합니다. 이 낮은 RDS(on) 값은 전력 소모를 줄이고, 시스템 전체의 효율을 향상시키는 데 중요한 역할을 합니다. 2. 빠른 스위칭 성능:…
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