Vishay Siliconix

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SI2319DS-T1-E3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SI2319DS-T1-E3 — 고신뢰성 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 제품으로 효율적인 전력 및 신호 제어 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology의 하위 브랜드로, 고성능 MOSFET, 전력 IC, 및 이차 반도체 솔루션을 전문으로 하는 유명한 반도체 브랜드입니다. 전력 효율성, 열 성능, 그리고 장기적인 신뢰성에 집중하는 Vishay Siliconix의 제품은 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨터 분야에서 광범위하게 사용되고 있습니다. Vishay Siliconix SI2319DS-T1-E3의 특징 Vishay Siliconix SI2319DS-T1-E3는 저전도 손실, 빠른 스위칭 성능, 그리고 높은 전기적 및 열적 요구 조건에서 안정적인 작동을 제공하는 고성능 트랜지스터입니다. Vishay의 고급 실리콘 공정을 통해 설계된 이 제품은 효율적인 전력 변환과 정확한 전력 제어를 지원하며, 다양한 동작 환경에서도 우수한 성능을 발휘합니다. 이 MOSFET는 낮은 RDS(on)을 통해 전도 손실을 최소화하고, 빠른 스위칭 속도를 제공하여 고주파 애플리케이션에서 뛰어난 성능을 발휘합니다. 또한, 열 안정성이 뛰어나며, 낮은 열 저항과 견고한 열 분산 성능으로 고온 환경에서도 안정적으로 작동합니다. 이 제품은 다양한 전압과…
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IRF9610SPBF Vishay Siliconix
Vishay Siliconix IRF9610SPBF — High-Reliability Transistors - FETs, MOSFETs - Single for Efficient Power and Signal Control Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology의 핵심 포트폴리오를 구성하는 고성능 MOSFET, 파워 IC, 디스크리트 솔루션의 선두 브랜드입니다. 전력 효율성과 열 관리, 장기 신뢰성에 집중하는 브랜드 철학은 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 분야에서 광범위하게 채택되는 배경이 되었습니다. 이 맥락에서 IRF9610SPBF는 단일 소자 구성으로 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 특성, 까다로운 전기/열 조건에서도 안정적인 동작을 제공하도록 설계되었습니다. Vishay의 첨단 실리콘 공정으로 제조되어, 다양한 작동 시나리오에서 효율적인 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 가능하게 합니다. 주요 특징 저 RDS(on)로 전도 손실 감소: 고효율 전력 변환을 위한 낮은 저항값 특성. 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에서도 안정적인 제어를 지원. 열 안정성: 낮은 열 저항과 견고한 방열 성능으로 열 피크 관리가 용이. 넓은 작동 범위: 전압 및 온도 범위가 넓어 다양한 환경에서 활용 가능. 패키지 유연성: TO,…
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SIHH11N65EF-T1-GE3 Vishay Siliconix
SIHH11N65EF-T1-GE3의 핵심 특징과 설계 이점 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology 아래에서 파워 MOSFET 및 고성능 디스크리트 솔루션 분야를 선도하는 브랜드로, 전력 효율성, 열 성능, 장기 신뢰성에 집중해 왔습니다. 이 맥락에서 SIHH11N65EF-T1-GE3는 단일 포지션의 고성능 트랜지스터-전력 FET로 설계되어 낮은 RDS(on)으로 도전 손실을 줄이고, 빠른 스위칭 특성으로 고주파 응용에서 효율을 극대화합니다. 또한 폭넓은 작동 범위와 견고한 열 비교적 안정성을 제공해 까다로운 전기적, 열적 환경에서도 안정적으로 작동합니다. Vishay의 최첨단 실리콘 공정으로 개발된 이 부품은 효율적인 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 다양한 작동 시나리오에서 지원합니다. 표준 패키지 외 다수의 산업 표준 패키지로 제공되어 PCB 설계의 융통성과 호환성이 뛰어납니다. 또한 JEDEC, AEC-Q101( automotive-grade 모델), RoHS, REACH와 같은 품질 및 규정 준수를 충족합니다. 적용 분야 및 시스템 영향 SIHH11N65EF-T1-GE3는 전력 관리 영역에서 DC-DC 컨버터, 로드 스위치, 파워 모듈 등에 핵심 구성요소로 활용됩니다. 자동차 전자 분야에서는 차체 전자, 인포테인먼트, 조명 시스템 및 전기차…
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SQJ431AEP-T1_GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SQJ431AEP-T1_GE3 — 효율적인 전력 및 신호 제어를 위한 고신뢰성 트랜지스터 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology의 하위 브랜드로, 고성능 MOSFET, 전력 IC, 그리고 분리형 반도체 솔루션을 전문으로 하는 기업입니다. 전력 효율성, 열 성능, 그리고 장기적인 신뢰성에 중점을 둔 제품군을 제공하며, 이를 통해 자동차, 산업, 소비자, 컴퓨팅 응용 분야에서 널리 사용되고 있습니다. Vishay Siliconix의 SQJ431AEP-T1_GE3는 고성능 트랜지스터로, 전력 변환 및 정밀한 전력 제어를 지원하는 최적의 솔루션을 제공합니다. Vishay Siliconix SQJ431AEP-T1_GE3의 특징 Vishay Siliconix SQJ431AEP-T1_GE3는 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 성능, 그리고 열적 안정성을 갖춘 트랜지스터로, 고주파 및 고전력 응용 분야에서 탁월한 성능을 발휘합니다. 이 부품은 Vishay의 첨단 실리콘 공정을 통해 제작되었으며, 고온 및 고전압 환경에서도 안정적으로 작동합니다. 낮은 RDS(on): 전도 손실이 적어 높은 효율성을 제공합니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에 최적화되어 있어 빠른 전환이 가능합니다. 열 안정성: 낮은 열 저항을 제공하며, 효율적인 열 방출로 장시간 동안…
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SIHD6N62ET1-GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SIHD6N62ET1-GE3 — 고신뢰성 단일 FET로 효율과 제어의 균형을 선도 주요 특징 및 설계 이점 낮은 RDS(on)로 전도 손실 감소와 고효율 실현: SIHD6N62ET1-GE3는 작은 구동손실과 안정적인 작동을 제공해 DC-DC 컨버터, 로드 스위치, 파워 모듈 같은 전력 관리 회로에서 열 관리와 효율을 함께 개선합니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 애플리케이션에서의 스위칭 속도가 빨라져 전체 시스템의 응답성과 전력 밀도를 높여줍니다. 열 안정성 및 열저항 최적화: 낮은 열 저항과 견고한 열 방출 특성으로 전력 집중 영역에서도 안정적인 동작을 유지합니다. 넓은 작동 범위: 다양한 전압 및 온도 환경에서 일관된 동작을 보장해 자동차, 산업 및 컴퓨팅 환경에서의 설계 여유를 제공합니다. 패키지 선택의 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 선별 가능한 유연한 레이아웃을 지원합니다. 품질 및 규정 준수: JEDEC, AEC-Q101(자동차 등급 모델들), RoHS, REACH 등 업계 표준을 충족합니다. 적용 시나리오 및 시스템 이점 파워 매니지먼트 설계: DC-DC 컨버터, 로드…
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SI7390DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SI7390DP-T1-GE3 — 고신뢰성 FET으로 효율적 전력 및 신호 제어 저 RDS(on)와 빠른 스위칭으로 구현되는 고효율 SI7390DP-T1-GE3는 저 저항 특성과 빠른 스위칭 성능으로 전력 손실을 최소화하고, 고주파 응용에서도 안정적인 동작을 제공합니다. 낮은 컨덕션 손실은 DC-DC 컨버터, 로드 스위치, 파워 모듈 등에서 전체 시스템 효율을 높이며, 빠른 스위칭은 고주파 환경에서의 응답성과 제어 정밀도를 향상합니다. 이러한 특성은 전력 변환 단계의 열 축적을 줄이고, 작고 가벼운 방열 솔루션으로도 신뢰성 있는 동작을 가능하게 합니다. 더불어 다양한 전압·온도 조건에서도 일관된 성능을 발휘하도록 설계되어, 고전압 고온 환경에서도 안정적인 동작 범위를 제공합니다. Vishay의 선진 실리콘 공정으로 만들어진 이 소자는 전력 제어 설계에서 효율과 신뢰성을 동시에 추구하는 엔지니어들에게 매력적인 선택지로 자리잡습니다. 다양한 패키지로 설계 유연성 강화 SI7390DP-T1-GE3는 TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 업계 표준 패키지로 제공되어 현대의 전력 설계에서 PCB 레이아웃의 융통성을 크게 높입니다. 표준 패키지의 채택은 보드 공간과 열 관리 설계의…
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SIHP12N65E-GE3 Vishay Siliconix
개요 및 성능 포인트 Vishay Siliconix는 고성능 MOSFET과 파워 솔루션의 선두 주자로 잘 알려진 브랜드입니다. 전력 효율, 열 성능, 장기 신뢰성에 집중하는 이들의 전략은 SIHP12N65E-GE3에서도 뚜렷하게 드러납니다. SIHP12N65E-GE3는 단일 소자로 설계된 고성능 트랜지스터(FET/MOSFET)로, 낮은 전도 손실과 빠른 스위칭 특성, 그리고 까다로운 전기적·열적 조건에서도 안정적인 동작을 제공합니다. Vishay의 첨단 실리콘 공정으로 제조되어 광범위한 작동 환경에서 전력 변환의 효율성과 제어의 정밀성을 보장합니다. 또한 TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 다양하게 제공되어 현대의 파워 및 신호 제어 설계에 필요한 레이아웃 유연성을 제공합니다. 주요 특징 및 응용 분야 주요 특징 저 RDS(on)으로 전도 손실을 줄여 시스템 효율을 높임 빠른 스위칭 성능으로 고주파 응용에 적합한 응답 속도 제공 열 저항 낮음과 견고한 방열 특성으로 고온 환경에서도 안정적인 동작 넓은 작동 전압 및 온도 범위로 다양한 설계 요구를 충족 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지 지원 품질…
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SISH116DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix의 SISH116DN-T1-GE3는 단일 소자로 구성된 고성능 MOSFET로, 낮은 전도 손실과 빠른 스위칭 특성, 그리고 열 관리 능력이 뛰어나 다양한 전력 관리 및 신호 제어 설계에서 신뢰성과 효율을 동시에 제공합니다. 이 소자는 모듈화된 파워 구동 체계에서 정밀한 전력 제어를 가능하게 하며, 까다로운 환경에서도 안정적으로 동작하도록 최적화되었습니다. 개요 및 핵심 특징 낮은 RDS(on)으로 전도 손실 감소와 고효율 달성 빠른 스위칭 성능으로 고주파 애플리케이션에 최적화 열적 안정성 우수, 낮은 열저항과 견고한 방열 특성 광범위한 작동 전압 및 온도 범위 지원 표준 패키지 폭넓은 선택: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 다양한 형상 제공 품질 및 규정 준수: JEDEC, AEC-Q101(자동차 등급 모델 포함), RoHS 및 REACH 준수 패키지 다양성 및 신뢰성 표준 패키지 라인업으로 PCB 레이아웃의 설계 자유도 향상 다중 패키지 옵션은 고밀도 기계적 설계와 열 관리 설계의 유연성을 제공 Vishay의 숙련된 제조 공정으로 신뢰성 있는 품질과 재현성 확보…
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SIRA04DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SIRA04DP-T1-GE3는 단일 소자로 설계된 고신뢰도 트랜지스터(FET, MOSFET)로, 저전도 손실과 빠른 스위칭 특성, 열 특성의 안정성을 함께 제공합니다. Vishay Siliconix는 파워 반도체 분야에서 효율성과 신뢰성을 핵심으로 하는 오랜 역사를 가진 브랜드이며, SIRA04DP-T1-GE3는 이러한 강점을 전력 변환과 정밀 제어에 직접 연결합니다. 다양한 작동 환경에서 견고한 성능을 유지하며, 현대의 전력 관리 설계에 유연한 배치와 손쉬운 통합을 가능하게 합니다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 컨덕션 손실을 줄여 시스템 전체 효율을 향상시킵니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 애플리케이션에서의 응답 속도와 전력 제어의 정밀도를 높입니다. 열적 안정성: 낮은 열저항과 강한 방열 특성으로 고부하 조건에서도 안정적인 동작을 제공합니다. 광범위한 작동 범위: 고전압·고온 환경까지 너그럽게 대응하는 설계 규격을 갖추었습니다. 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 다양하게 제공되어 현대 회로 설계에 쉽게 맞출 수 있습니다. 품질 및 규정 준수: JEDEC, AEC-Q101(자동차용 모델), RoHS, REACH 등 글로벌 규격과 품질 표준에 부합합니다. 적용…
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SIHF520STRR-GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SIHF520STRR-GE3 — 고효율·고신뢰성 MOSFET 단일 소자 개요 및 특징 Vishay Siliconix SIHF520STRR-GE3는 고성능 Transistors - FETs, MOSFETs 단일형으로, 낮은 컨덕션 손실과 빠른 스위칭 특성, 그리고 까다로운 전기·열 조건에서도 안정적인 동작을 구현하도록 설계되었습니다. 이 소자는 정교한 실리콘 공정을 활용해 전력 변환의 효율성을 높이고, 전력 제어의 정밀성을 확보하는 데 중점을 두었습니다. 주요 특징은 다음과 같습니다: 저 RDS(on): 컨덕션 손실을 줄여 시스템 효율을 향상 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에서도 우수한 동작 특성 제공 열 안정성: 낮은 열저항과 효과적인 방열 구조로 고온에서도 안정적 광범위 작동 범위: 전압과 온도 범위가 넓어 다양한 환경에서 신뢰성 유지 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 설계 및 PCB 레이아웃에 유연성 부여 품질 및 규정 준수: JEDEC, AEC-Q101(자동차 등급 모델 포함), RoHS, REACH 등 국제 규격을 충족 또한 SIHF520STRR-GE3는 자동화 및 전력 제어 분야에서의 고신뢰성을 뒷받침하는 구조적 안정성과 열 관리…
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