Vishay Siliconix

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SIR5102DP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SIR5102DP-T1-RE3 — 고신뢰성 트랜지스터(FET, MOSFET) 싱글로 효율적 전력 및 신호 제어 주요 특징과 성능 Vishay Siliconix의 SIR5102DP-T1-RE3는 단일 모스펫으로서 낮은 RDS(on)과 빠른 스위칭 특성을 결합해 전력 손실을 최소화합니다. 이 부품은 고주파에서도 안정적인 동작을 보이고, 열 관리가 용이하도록 낮은 열저항과 견고한 방열 특성을 제공합니다. 광범위한 작동 전압과 온도 범위를 지원해 다양한 전력 변환 시스템에서 예측 가능한 성능을 발휘합니다. 패키지 측면에서도 TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 제공되어 PCB 레이아웃에 유연성을 제공합니다. 품질 및 규정 준수 측면에서는 JEDEC 표준, 자동차 분야에 강한 AEC‑Q101(자동차급 모델), RoHS, REACH를 충족해 신뢰성과 법적 준수를 동시에 달성합니다. 적용 사례 및 설계 이점 이 MOSFET은 전력 관리 영역에서 탁월한 선택지입니다. DC-DC 컨버터의 입력/출력 스위칭 요소로서 고효율 변환과 빠른 응답을 제공합니다. 로드 스위치로서 전압 스파이크를 억제하고 전력 모듈의 소형화와 열 관리 이점을 제공합니다. 자동차 전자 영역에서 바디 전자장치, 인포테인먼트 시스템, 조명…
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IRF9510STRLPBF Vishay Siliconix
Vishay Siliconix IRF9510STRLPBF — 고신뢰도 트랜지스터(FET, MOSFET) 단일 패키지로 효율적 전력 및 신호 제어를 구현하다 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology 산하의 대표적인 반도체 브랜드로, 고성능 MOSFET, 파워 IC 및 디스크리트 솔루션에 집중합니다. 전력 효율, 열 성능, 장기 신뢰성을 중시하는 설계 철학으로 자동차, 산업, 가전, 컴퓨팅 분야에서 널리 채택되고 있습니다. IRF9510STRLPBF는 이러한 브랜드 가치를 바탕으로, 저전도 손실과 빠른 스위칭 특성을 균형 있게 제공하도록 설계된 고성능 단일 MOSFET입니다. 다양한 표준 패키지로 구성되어 있어 현대 파워 및 신호 제어 설계에 손쉽게 통합할 수 있습니다. 주요 특징 및 성능 저 RDS(on)으로 전도 손실 최소화: 회로의 효율을 높이고 열 관리 부담을 줄여, 고효율 전력 변환에 유리합니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에서의 응답 속도와 제어 정밀도 향상에 기여합니다. 열 안정성 및 방열 성능: 낮은 열저항과 우수한 열 확산 특성으로 고부하 조건에서도 안정적으로 작동합니다. 넓은 작동 범위: 전압 및 온도 범위가 넓어 다양한…
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SIA110DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SIA110DJ-T1-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터(FET/MOSFET) 단일 소자, 효율적 전력 및 신호 제어를 위한 선택 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology 산하의 대표적인 반도체 브랜드로, 고성능 MOSFET, 파워 IC 및 디스크리트 솔루션에 집중합니다. 전력 효율성, 열 성능, 장기 신뢰성에 대한 강한 초점을 통해 자동차, 산업, 가전 및 컴퓨팅 분야에서 널리 채택되고 있습니다. SIA110DJ-T1-GE3는 이러한 철학을 반영한 고성능 트랜지스터-전력 소자이며, 낮은 컨덕션 손실과 빠른 스위칭 특성, 열 조건이 빡빡한 환경에서도 안정적인 동작을 제공합니다. 첨단 실리콘 공정을 바탕으로 한 설계로 다양한 작동 상황에서 효율적인 파워 변환과 정밀한 파워 제어를 지원합니다. 표준 업계 패키지로 제공되어 현대의 파워 및 신호 제어 설계에 유연한 PCB 레이아웃을 제공합니다. 주요 특징과 설계 이점 SIA110DJ-T1-GE3는 낮은 RDS(on)으로 도통 손실을 최소화해 시스템 효율을 높이고, 빠른 스위칭 특성으로 고주파 응용에 최적화되었습니다. 또한 열 저항이 낮고 열 해석이 뛰어나 열 관리가 어려운 구동에서도 안정된 동작을 보장합니다. 넓은 작동…
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SIHG21N60EF-GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SIHG21N60EF-GE3는 단일 N-채널 고전압 MOSFET로, 전력 변환과 신호 제어에서 높은 효율성과 안정성을 제공하도록 설계되었습니다. 이 부품은 Vishay의 첨단 실리콘 공정 기술을 활용해 낮은 RDS(on), 빠른 스위칭 속도, 가혹한 전기-열 조건에서도 견고한 동작을 실현합니다. 다양한 산업 환경에서 파워 모듈 구성과 시스템 레벨의 컨트롤 정밀도를 쉽게 달성할 수 있도록 고안되었습니다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 전도 손실을 최소화하여 시스템 효율을 높이고 방열 부담을 줄여줍니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 어플리케이션에서도 우수한 스위칭 특성을 발휘해 전력 변환 효율을 향상시킵니다. 열 안정성: 열 저항이 낮고 열 방출이 양호하여 고부하 운용에서 동작 온도를 안정적으로 관리합니다. 광범위한 동작 범위: 다양한 전압 및 온도 조건에서 신뢰성 있는 작동을 보장합니다. 패키지 다양성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 제공되어 최신 설계의 PCB 레이아웃에 유연하게 적용할 수 있습니다. 품질 및 규정 준수: JEDEC, AEC-Q101( automotive-grade 모델), RoHS, REACH를 충족하는 신뢰성 규격으로 설계되었습니다. 적용…
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IRFZ44STRLPBF Vishay Siliconix
Vishay Siliconix IRFZ44STRLPBF: 고신뢰성 파워 MOSFET로 효율 및 제어의 새로운 표준 주요 특징 IRFZ44STRLPBF는 Vishay Siliconix의 고성능 MOSFET으로, 단일 소자에서 낮은 전도 손실과 빠른 스위칭 특성을 구현하도록 설계됐다. 저 RDS(on)으로 전도 손실을 줄이고, 빠른 스위칭으로 고주파 응용에서의 응답 속도를 높이며, 열 관리가 용이한 구조로 열 저항을 낮춰 극한의 전력 조건에서도 안정적으로 동작한다. 넓은 작동 범위는 전압 및 온도 변화가 큰 환경에서도 설계 여유를 제공하고, 다양한 PCB 레이아웃에 맞춘 패키지 선택의 유연성을 준다. 패키지는 TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 업계 표준에 걸쳐 제공되어 설계 단계에서의 배치와 조립을 단순화한다. 품질과 규정 준수 측면에서 JEDEC 표준은 물론 AEC-Q101(자동차용 등급 모델), RoHS, REACH를 충족해 자동차, 산업, 가전 등 다양한 분야에 신뢰성을 보장한다. 적용 사례 IRFZ44STRLPBF는 전력 관리와 제어를 요하는 다양한 업무에 적합하다. DC-DC 컨버터와 로드 스위치 같은 파워 모듈에서의 에너지 효율 향상에 기여하며, 자동차 전장(IoT 차량의 바디 전자, 인포테인먼트,…
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SIHB24N65EFT1-GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SIHB24N65EFT1-GE3 — 고효율 파워/시그널 제어를 위한 단일 MOSFET 솔루션 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology 소속의 잘 알려진 반도체 브랜드로, 고성능 MOSFETs와 파워 ICs, 디스크리트 솔루션을 중심으로 파워 효율성과 열 성능, 장기 신뢰성을 강조합니다. SIHB24N65EFT1-GE3은 단일 형식의 고성능 트랜지스터- MOSFET으로, 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 특성, 그리고 까다로운 전기적/열 조건에서도 안정적인 동작을 제공합니다. 이 기기는 Vishay의 진보된 실리콘 공정으로 설계되어, 다양한 작동 시나리오에서 효율적 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 지원합니다. 여러 산업 표준 패키지로 제공되어, 현대의 파워 및 시그널 제어 설계에 유연하고 간편한 PCB laid-out을 가능하게 합니다. 핵심 기술 특징 및 설계 철학 저 RDS(on)로 전도 손실 최소화: 고효율 시스템에서 열 관리와 전력 소모를 줄여, 배터리 수명 연장 및 시스템 냉각 부담 감소에 기여합니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에서 필요로 하는 전환 속도와 게이트 구동 특성을 제공하여 시스템 반응을 향상시킵니다. 열 안정성 및 열 저항:…
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SIHP12N60E-BE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SIHP12N60E-BE3 — 고신뢰성 트랜지스터(FET, MOSFET) 단일 소자로 효율적 전력 및 신호 제어를 실현 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology 아래에서 파워 MOSFET, 파워 IC, 디스크리트 솔루션 분야의 선도적 브랜드로 자리매김해 왔습니다. 전력 효율, 열 성능, 장기 신뢰성에 집중하는 이들의 제품군은 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 분야에서 널리 채택됩니다. SIHP12N60E-BE3는 이러한 브랜드의 설계 철학을 반영한 고성능 트랜지스터- MOSFET 솔루션으로, 단일 소자라도 낮은 conduction 손실, 빠른 스위칭 특성, 열 환경이 까다로운 조건에서도 안정적인 작동을 제공합니다. 첨단 실리콘 공정을 기반으로 한 이 소자는 전력 변환 효율을 높이고 다양한 작동 시나리오에서 정밀한 전력 제어를 가능하게 합니다. 또한 산업 표준 패키지로 제공되어 PCB 설계와 실장 배치를 유연하게 구성할 수 있습니다. 주요 특징과 설계 이점 SIHP12N60E-BE3의 가장 두드러진 이점은 낮은 RDS(on)으로 전도 손실을 줄이고, 빠른 스위칭 특성으로 고주파 환경에서도 효율을 유지한다는 점입니다. 이로 인해 DC-DC 컨버터, 모듈식 파워 설계, 로드 스위치…
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IRF9640STRLPBF Vishay Siliconix
Vishay Siliconix IRF9640STRLPBF: 고신뢰성 FET/ MOSFET 단일 소자, 효율적 파워 및 신호 제어를 위한 선택 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology 산하의 대표적인 반도체 브랜드로서, 고성능 MOSFET, 파워 IC 및 디스크리트 솔루션 분야에서 축적된 기술력으로 잘 알려져 있습니다. 특히 파워 효율성, 열 성능, 장기 안정성에 집중하는 전략은 자동차, 산업, 가전 및 컴퓨팅 애플리케이션에서 널리 채택되는 이유입니다. IRF9640STRLPBF는 이러한 철학을 바탕으로 설계된 고성능 트랜지스터- FET로서, 낮은 컨덕션 손실과 빠른 스위칭 특성을 제공하며, 까다로운 전기적·열적 환경에서도 안정적인 동작을 목표로 합니다. 다양한 표준 패키지로 제공되어 설계 유연성과 PCB 구성의 간편화를 지원합니다. 주요 특징 저 RDS(on)로 컨덕션 손실 감소: 실전 구동에서 효율 향상을 촉진하며 열 관리 부담을 줄여 줍니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 애플리케이션에서의 반응 속도와 제어 정확성을 향상합니다. 열 안정성: 낮은 열 저항과 뛰어난 방열 특성으로 고부하 상황에서도 신뢰성이 유지됩니다. 넓은 작동 범위: 다양한 전압 및 온도 조건에서 일관된 성능을…
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SI2302CDS-T1-BE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SI2302CDS-T1-BE3: 고신뢰성 FET로 효율적 전력 및 신호 제어 핵심 특징 및 설계 이점 Vishay Siliconix의 SI2302CDS-T1-BE3은 단일 소스로 구성된 고성능 트랜지스터-전계효과트랜지스터(FET)로, 낮은 도통손실과 빠른 스위칭 특성, 열 관리에 강한 안정성을 제공합니다. RDS(on)가 낮아 전도손실이 감소하고, 고주파 응용에서의 스위칭 성능이 최적화되어 효율이 향상됩니다. 이로써 DC-DC 컨버터나 로드 스위치 같은 전력 제어 쪽에서 더 높은 에너지 효율과 더 작은 방열 요구를 달성할 수 있습니다. 또한 넓은 동작 온도와 전압 범위를 지원해 다양한 전력 변환 설계에서 안정적인 동작을 보장합니다. 열 특성 측면에서 SI2302CDS-T1-BE3은 낮은 열저항과 뛰어난 열 분산 특성을 갖추고 있어 고부하 조건에서도 성능 저하를 억제합니다. 이로 인해 자동차, 산업용 시스템, 데이터 센터의 파워 모듈 설계에 특히 유리합니다. 패키지 측면에서는 TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 산업 표준 패키지로 제공되어 PCB 레이아웃과 통합이 간편합니다. 이러한 패키지 다양성은 엔지니어가 기판 면적과 열 관리 설계 사이에서 최적의 균형을 찾도록…
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SIHW47N60E-GE3 Vishay Siliconix
SIHW47N60E-GE3—고신뢰성 FET으로 효율적 전력 및 신호 제어 Vishay Siliconix는 고성능 MOSFET, 파워 IC 및 디스크리트 반도체 솔루션 분야에서 오랜 역사를 가진 브랜드로, 전력 효율성, 열 성능 및 장기 신뢰성에 집중합니다. SIHW47N60E-GE3는 이러한 축적된 기술력을 바탕으로, 낮은 도통손실, 빠른 스위칭 특성, 그리고 까다로운 전기적·열적 조건에서도 안정적으로 작동하는 고성능 트랜지스터- FET로 설계되었습니다. 고전압/고전류 분야에서 효율적 전력 변환과 정밀한 파워 컨트롤이 필요한 현대 시스템에 적합합니다. 다양한 산업 표준 패키지로 제공되어, 설계의 유연성과 PCB 레이아웃의 간편함을 동시에 제공합니다. 주요 특징 저 RDS(on)으로 도통 손실 감소 및 시스템 효율 향상 빠른 스위칭 성능으로 고주파 응용에 최적화 열 안정성: 낮은 열저항 및 우수한 방열 특성 넓은 동작 범위: 다양한 전압 및 온도 조건에서의 신뢰성 확보 패키지 다양성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 제공 품질 및 규정 준수: JEDEC, AEC-Q101(자동차 등급 모델), RoHS, REACH를 충족 적용 분야와 설계 이점 SIHW47N60E-GE3는…
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