Vishay Siliconix

Vishay Siliconix

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IRFZ48PBF Vishay Siliconix
Vishay Siliconix IRFZ48PBF — 고신뢰성 트랜지스터- FET, MOSFET 단일 소자 Vishay Siliconix의 IRFZ48PBF는 고성능 MOSFET으로, 전도 손실을 줄이고 빠른 스위칭 특성으로 강력한 전력 제어를 제공합니다. 이 소자는 Vishay의 최신 실리콘 공정을 활용해 다양한 동작 조건에서도 안정적으로 작동하도록 설계되었습니다. 효율적인 전력 변환과 정밀한 전력 제어가 필요한 시스템에서 높은 신뢰성과 일관된 성능을 약속합니다. 여러 표준 패키지로 제공되어, 현대의 파워 및 신호 제어 설계에 유연한 레이아웃과 간편한 통합을 가능하게 합니다. 특징 요약 저 RDS(on): 전도 손실을 감소시켜 시스템 효율성을 높임. 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에서도 안정적인 동작을 지원. 열 안정성: 낮은 열 저항과 우수한 방열 특성으로 고온에서도 파워를 안정적으로 유지. 넓은 작동 범위: 전압 및 온도 범위가 확장되어 다양한 애플리케이션에 적용 가능. 패키지 다양성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 설계 유연성 제공. 품질 및 규정 준수: JEDEC, AEC-Q101(자동차 등급 모델), RoHS, REACH를 충족하는 신뢰성 있는 부품.…
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SI7336ADP-T1-E3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SI7336ADP-T1-E3 — 고신뢰성 FET로 효율적 전력 및 신호 제어 SI7336ADP-T1-E3는 Vishay Siliconix의 고성능 트랜지스터-펫 MOSFET으로, 낮은 RDS(on)와 빠른 스위칭 특성을 바탕으로 고주파 전력 변환과 정밀 신호 제어를 동시에 구현합니다. 이 소자는 열 관성에 강하고 다양한 전압-온도 조건에서도 안정적으로 동작하도록 설계되어, 자동차, 산업, 소비자 전자 및 컴퓨팅 분야의 까다로운 애플리케이션에 적합합니다. 여러 표준 패키지로 제공되어 설계 유연성을 극대화하며, PCB 레이아웃에의 간편한 통합이 가능하다는 점도 큰 강점으로 작용합니다. 특징과 성능 포인트 저 RDS(on)로 전력 손실 최소화: 컨덕션 손실이 줄어 전체 시스템 효율이 향상됩니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에서의 응답 속도와 제어 정확도가 개선됩니다. 열 안정성: 낮은 열저와 우수한 내려앉은 온도 특성으로 고온에서도 신뢰로운 동작을 유지합니다. 넓은 동작 범위: 확장된 전압 및 온도 조건에서의 작동 가능성으로 다양한 설계 요구를 충족합니다. 패키지 다양성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 제공되어 PCB 레이아웃과 제조 공정에 융통성을 제공합니다.…
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IRFR214TRRPBF Vishay Siliconix
Vishay Siliconix IRFR214TRRPBF — 고신뢰성 FET로 효율적 전력 및 신호 제어 IRFR214TRRPBF는 Vishay Siliconix의 고성능 트랜지스터- FET 시리즈 중 하나로, 단일 소자에서 낮은 전도 손실과 빠른 스위칭 특성, 열 조건에서도 안정적인 동작을 제공합니다. 고전류와 고주파 환경에서도 신뢰할 수 있도록 설계된 이 소자는 전력 변환과 정밀 제어가 요구되는 현대 시스템에서 핵심 역할을 수행합니다. Vishay의 첨단 실리콘 공정 기술로 만들어져 전력 변환 효율을 높이고, 다양한 작동 조건에서 일관된 성능을 보장합니다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 전도 손실을 줄여 시스템 효율성을 향상시키고 발열을 관리하기 쉽습니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에서 불필요한 에너지 손실을 최소화하며 고속 제어를 지원합니다. 열 안정성: 낮은 열 저항과 견고한 발열 해소 특성으로 고부하 환경에서도 안정적 동작을 제공합니다. 넓은 작동 범위: 전압 및 온도 범위가 넓어 다양한 전력 설계에 유연하게 적용됩니다. 패키지 다양성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 제공되어 PCB 레이아웃에 융통성을 부여합니다. 품질…
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SIS472ADN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SIS472ADN-T1-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 패키지로 효율적 전력 및 신호 제어 Vishay Siliconix SIS472ADN-T1-GE3는 저전력 손실과 빠른 스위칭 특성을 갖춘 고성능 MOSFET으로, 단일 패키지 설계로 전력 변환과 신호 제어에서 우수한 효율과 일관된 동작을 제공합니다. Vishay Siliconix는 파워 MOSFET 및 디스크리트 솔루션 분야에서 오랜 동안 신뢰받아 온 브랜드로, 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 분야에서 널리 채택됩니다. SIS472ADN-T1-GE3는 엄격한 전기적·열적 조건에서도 안정적으로 작동하도록 설계된 고성능 소자이며, 다양한 산업 표준 패키지로 PCB 레이아웃의 유연성을 제공합니다. 주요 특징 낮은 RDS(on)으로 도통 손실 감소 및 효율 향상 빠른 스위칭 특성으로 고주파 애플리케이션에 최적화 열적 안정성: 낮은 열 저항 및 우수한 방열 성능 넓은 작동 범위: 더 높은 전압 및 온도에서도 안정적 동작 패키지 융통성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지에서 선택 가능 품질 및 규정 준수: JEDEC, AEC-Q101(자동차 등급 모델), RoHS, REACH를 충족 적용 시나리오…
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SQJQ100E-T1_GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SQJQ100E-T1_GE3는 고신뢰성 트랜지스터(FET, MOSFET) 중 단일 소자로 설계된 고성능 부품입니다. 전력 변환과 신호 제어에서 낮은 conduction 손실, 빠른 스위칭 특성, 열 관리의 안정성을 함께 제공하도록 최적화되어 있어 다양한 산업 분야의 고주파 및 고전압 환경에서도 안정적으로 작동합니다. Vishay Siliconix의 정밀한 실리콘 공정과 설계 노하우가 반도체의 효율성과 신뢰성을 동시에 높이며, 가전, 산업, 자동차 및 컴퓨팅 애플리케이션에서 널리 채택되고 있습니다. 개요 SQJQ100E-T1_GE3는 단일 MOSFET으로, 전력 변환 회로의 효율 향상과 제어 정확도를 동시에 달성하도록 개발되었습니다. 이 부품은 Vishay의 첨단 공정으로 만들어져 낮은 RDS(on)와 빠른 스위칭 속도를 제공하며, 열 저항이 낮아 고온 환경에서도 안정적인 동작을 지원합니다. 또한 광범위한 동작 전압과 온도 범위를 커버해 다양한 회로 설계에 융통성을 제공합니다. 패키지 측면에서도 TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 업계 표준 패키지를 폭넓게 제공하여 PCB 레이아웃과 시스템 설계의 유연성을 높입니다. 품질 측면으로는 JEDEC, AEC-Q101(자동차 등급 모델), RoHS 및 REACH를 준수하는 것으로 공인되어…
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SI1013CX-T1-GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SI1013CX-T1-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터(FET)로 효율적 전력 및 신호 제어를 실현 개요 및 특징 Vishay Siliconix의 SI1013CX-T1-GE3은 단일 소자로 설계된 고성능 FET 트랜지스터로, 낮은 전도 손실과 빠른 스위칭 특성, 열적 안정성을 동시에 제공합니다. 이 소자는 Vishay의 첨단 실리콘 공정을 통해 만들어져 폭넓은 작동 조건에서도 안정적인 동작을 유지하며, 고효율의 파워 변환과 정밀한 파워 제어를 가능하게 합니다. 다양한 산업 표준 패키지로 제공되어 현대 전력 및 신호 제어 설계에 손쉽게 통합할 수 있습니다. 주요 특징 낮은 RDS(on)로 전도 손실 감소 및 효율 향상 빠른 스위칭 성능으로 고주파 응용에 최적화 열 안정성 우수 및 견고한 발열 해소 특성 넓은 작동 전압 및 온도 범위 지원 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지 다수 품질 및 규격 준수: JEDEC, AEC-Q101( automotive 등급 모델), RoHS, REACH 인증 응용 분야 및 설계 이점 SI1013CX-T1-GE3은 전력 관리 분야에서 DC-DC 컨버터,…
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SISA14BDN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SISA14BDN-T1-GE3 — 고신뢰성 FET로 효율적 전력 및 신호 제어를 실현 Vishay Siliconix는 파워 MOSFET, 파워 IC 및 디스크리트 반도체 솔루션에서 세계적으로 인정받는 브랜드로, 전력 효율, 열 성능, 장기 신뢰성에 초점을 맞춘 설계로 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 분야에서 널리 채택되고 있습니다. SISA14BDN-T1-GE3는 이러한 기술 기조를 바탕으로, 낮은 전도 손실(RDS(on)), 빠른 스위칭 특성, 열 안정성을 겸비한 단일 트랜지스터- MOSFET 솔루션으로, 다양한 전력 변환 및 제어 애플리케이션에서 안정적인 동작을 보장합니다. 이 부품은 Vishay의 첨단 실리콘 공정으로 제조되었으며, 효율적인 전력 변환과 신호 제어를 폭넓은 작동 환경에서 지원합니다. 또한 업계 표준 패키지로 제공되어 현대의 PCB 레이아웃에 융통성 있게 적용 가능합니다. 핵심 특징 및 설계 이점 저 RDS(on)로 컨덕션 손실 감소 및 시스템 효율성 향상 빠른 스위칭 성능으로 고주파 환경에서의 전력 변환 효율 극대화 열 안정성 및 낮은 열 저항으로 고온에서도 견고한 열 관리 가능 넓은 작동 전압…
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SI2337DS-T1-GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SI2337DS-T1-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터(FET) 모스펫 단일 소자, 효율적 전력 및 신호 제어를 위한 선택 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology의 핵심 브랜드로, 고성능 MOSFET과 파워 IC, 디스크리트 솔루션에서 두각을 나타내는 선도 기업입니다. 전력 효율, 열 성능, 장기 신뢰성에 집중하는 개발 철학으로 자동차, 산업, 가전 및 컴퓨팅 분야에서 널리 채택되고 있습니다. SI2337DS-T1-GE3는 이러한 강점 위에 설계된 고성능 트랜지스터-펫으로, 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 특성, 열적 까다로운 환경에서도 안정적인 작동을 제공합니다. 실리콘 공정의 첨단 기술을 적용해 전력 변환과 정밀 제어를 필요로 하는 다양한 구동 시나리오에서 효율을 극대화합니다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 전도 손실을 줄여 더 높은 효율 달성 빠른 스위칭 성능: 고주파 애플리케이션에 최적화된 전환 속도 열적 안정성: 낮은 열 저항과 견고한 방열 특성 넓은 작동 범위: 다양한 전압 및 온도 조건에서도 신뢰성 있는 동작 패키지 다양성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 설계 융통성 확보…
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SIDR500EP-T1-RE3 Vishay Siliconix
SIDR500EP-T1-RE3 — 고신뢰성 트랜지스터(FET/MOSFET)로서의 새로운 표준 SIDR500EP-T1-RE3는 Vishay Siliconix가 설계한 단일 MOSFET 솔루션으로, 낮은 RDS(on)과 빠른 스위칭 특성, 그리고 까다로운 열 환경에서도 안정적인 동작을 제공합니다. 이 부품은 고효율 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 필요로 하는 애플리케이션에서 특히 강점을 보이며, 고주파 구동과 고온 운용 조건에서도 신뢰성을 유지하도록 설계되었습니다. 실리콘 공정의 최적화를 바탕으로 제작된 SIDR500EP-T1-RE3는 광범위한 작동 전압 및 온도 범위를 커버해, 다양한 전력 설계에 유연하게 활용될 수 있습니다. 핵심 특징과 설계 이점 저 RDS(on): 전도 손실을 줄여 시스템 효율을 높이고, 더 작고 가벼운 열 관리 설계가 가능하게 합니다. 빠른 스위칭 특성: 고주파 애플리케이션에서의 스위칭 손실을 최소화하고, 고속 PWM 제어에 적합합니다. 열 안정성: 낮은 열저항과 우수한 발열 관리로 시스템 신뢰성을 향상시키며, 연속 동작에서도 안정적입니다. 넓은 작동 범위: 다양한 전압 및 온도에서의 운용 가능성을 제공합니다. 패키지 다양성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 구성되어 PCBs에 유연한 레이아웃을…
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IRF9520STRRPBF Vishay Siliconix
Vishay Siliconix IRF9520STRRPBF — 고신뢰성 트랜지스터/FET의 단일 포맷으로 효율적 전력 및 신호 제어 Vishay Siliconix는 고성능 MOSFET과 전력 IC, 디스크리트 반도체 솔루션 분야에서 오랜 역사를 가진 브랜드로, 전력 효율과 열 성능, 장기 신뢰성에 중점을 두고 있습니다. IRF9520STRRPBF는 이러한 강점을 바탕으로 고전류·고전압 환경에서도 낮은 손실과 빠른 스위칭을 구현하도록 설계된 고성능 단일 FET입니다. 다양한 산업 표준 패키지로 제공되어 보드 설계의 여유를 확대하고, 현대의 전력 및 신호 제어 설계에 유연하게 적용할 수 있습니다. 주요 특징 낮은 RDS(on)로 전도 로스 감소: IRF9520STRRPBF의 저항 특성은 회로의 열 방출을 줄이고, 전력 변환 효율을 높여 전력 손실을 최소화합니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 애플리케이션에서의 스위칭 속도를 최적화하여 펌웨어 및 제어 알고리즘의 반응성을 향상시킵니다. 열 안정성: 낮은 열저항과 우수한 방열 특성으로 고부하 상황에서도 안정적으로 작동합니다. 넓은 작동 범위: 다양한 전압 및 온도 범위에서 신뢰성 있는 동작을 유지하도록 설계되었습니다. 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO…
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