Vishay Siliconix SI7141DP-T1-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터 및 MOSFET으로 효율적인 전력 및 신호 제어 Vishay Siliconix는 고성능 MOSFET, 전력 IC, 그리고 이산 반도체 솔루션을 전문으로 하는 Vishay Intertechnology의 주요 브랜드로, 전력 효율성, 열 성능, 그리고 긴 사용 수명을 중심으로 설계된 제품을 제공합니다. 이 회사의 제품은 자동차, 산업, 소비자 전자기기 및 컴퓨팅 애플리케이션에서 널리 사용됩니다. Vishay Siliconix의 SI7141DP-T1-GE3는 고성능 트랜지스터 FETs 및 MOSFET으로, 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 성능, 그리고 까다로운 전기적 및 열적 조건에서 안정적인 작동을 제공합니다. Vishay의 첨단 실리콘 공정을 사용하여 설계된 이 제품은 효율적인 전력 변환과 정확한 전력 제어를 지원하며, 다양한 운영 시나리오에 적합한 성능을 자랑합니다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 전도 손실을 줄여 높은 효율성을 제공합니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 애플리케이션에 최적화되어 있습니다. 열 안정성: 낮은 열 저항과 견고한 열 방출 성능을 제공합니다. 넓은 운영 범위: 확장된 전압 및 온도 범위를 지원합니다. 패키지 유연성:…
더 읽어보기 →
Vishay Siliconix
해당 카테고리에 2000개의 글이 있습니다.
Vishay Siliconix SIR610DP-T1-RE3 — 고신뢰성 트랜지스터: 효율적인 전력 및 신호 제어를 위한 MOSFET Vishay Siliconix는 고성능 MOSFET, 전력 IC, 및 이산 반도체 솔루션을 전문으로 하는 Vishay Intertechnology의 잘 알려진 반도체 브랜드입니다. 이 회사는 전력 효율성, 열 성능, 그리고 장기적인 신뢰성에 중점을 둔 제품을 제공하며, 이러한 특징으로 인해 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 애플리케이션에서 널리 채택되고 있습니다. Vishay Siliconix SIR610DP-T1-RE3 소개 Vishay Siliconix SIR610DP-T1-RE3는 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 성능, 그리고 까다로운 전기 및 열 조건에서 안정적인 동작을 제공하는 고성능 트랜지스터입니다. 이 제품은 Vishay의 첨단 실리콘 공정을 사용하여 설계되었으며, 효율적인 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 지원하는 다양한 운용 시나리오에 적합합니다. 이 장치는 다양한 산업 표준 패키지로 제공되며, 이를 통해 유연한 PCB 레이아웃과 최신 전력 및 신호 제어 설계에 대한 간편한 통합이 가능합니다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 전도 손실을 최소화하여 더 높은 효율성을 제공합니다. 빠른 스위칭 성능:…
더 읽어보기 →
Vishay Siliconix SUM70090E-GE3 — 효율적인 전력 및 신호 제어를 위한 고신뢰성 트랜지스터 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology의 자회사로, 고성능 MOSFET, 전력 IC, 이산 반도체 솔루션을 전문으로 하는 브랜드입니다. 전력 효율성, 열 성능 및 장기적인 신뢰성에 중점을 둔 Vishay Siliconix의 제품들은 자동차, 산업, 소비자, 컴퓨터 애플리케이션에서 널리 사용되고 있습니다. 특히 Vishay Siliconix의 SUM70090E-GE3 모델은 낮은 전도 손실과 빠른 스위칭 성능을 제공하며, 다양한 전기적 및 열적 조건에서 안정적인 동작을 보장합니다. SUM70090E-GE3의 주요 특징 낮은 RDS(on): SUM70090E-GE3는 낮은 RDS(on)을 제공하여 전도 손실을 줄이고 효율성을 높입니다. 이는 높은 전력 효율이 요구되는 애플리케이션에서 중요한 성능을 발휘하며, 전력 손실을 최소화하여 시스템의 전체적인 에너지 소비를 절감합니다. 빠른 스위칭 성능: 이 모델은 고주파수 애플리케이션에 최적화된 빠른 스위칭 성능을 제공하여, 신속한 전환을 필요로 하는 다양한 전력 변환 시스템에서 탁월한 성능을 발휘합니다. 빠른 스위칭은 회로의 반응 속도와 효율성을 높여 시스템의 안정성과 속도를 향상시킵니다. 열적 안정성: 낮은…
더 읽어보기 →
개요 Vishay Siliconix의 IRFBC40LCPBF는 단일 트랜지스터- MOSFET 계열로, 낮은 전도 손실(RDS(on))과 빠른 스위칭 특성, 그리고 까다로운 전기 및 열 조건에서도 안정적인 동작을 목표로 설계되었습니다. 이 부품은 Vishay의 첨단 실리콘 공정 기술을 바탕으로 폭넓은 작동 전압과 온도 범위를 지원하며, 효율적인 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 가능하게 합니다. 여러 표준 패키지로 제공되므로 PCB 레이아웃에 대한 설계 유연성도 크게 높아집니다. 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 애플리케이션에서 다양한 구동 및 제어 목적에 적합한 고신뢰성 솔루션으로 자리매김하고 있습니다. 주요 특징 및 패키지 옵션 저 RDS(on): 전도 손실을 최소화해 시스템 효율을 향상시키고 열 관리 부담을 낮춥니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에서도 안정적인 동작과 효율 향상을 제공합니다. 열 안정성: 낮은 열 저항과 견고한 열 해소 능력으로 열피크 상황에서도 안정적으로 작동합니다. 광범위한 작동 범위: 전압 및 온도 범위가 넓어 다양한 설계 요구를 충족합니다. 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지에서 선택…
더 읽어보기 →
개요 및 특징 Vishay Siliconix SIHFL110TR-GE3은 고신뢰성 트랜지스터- FET, MOSFET 시리즈 중 단일 소자로 설계된 부품으로, 전력 변환과 신호 제어에서 낮은 전도 손실과 빠른 스위칭 특성을 구현합니다. 이 소자는 저 RDS(on) 구성을 통해 전도 손실을 최소화하고, 고주파 영역에서도 안정적으로 작동하도록 설계되어 시스템의 전력 효율을 높입니다. 또한 넓은 작동 온도와 전압 범위를 지원하여 다양한 환경에서 예측 가능한 동작을 제공합니다. Vishay의 첨단 실리콘 공정으로 제조되어 열 관리와 열 손실 제어가 중요한 애플리케이션에서 신뢰성 있는 성능을 제공합니다. 이 디바이스는 현대의 전력 관리 회로에서 안정적인 전력 모듈링과 정밀한 제어를 가능하게 하는 핵심 솔루션으로, 고주파 스위칭과 고전류 구간에서도 우수한 동작 특성을 제공합니다. 패키지 다양성과 설계 유연성 SIHFL110TR-GE3는 여러 산업 표준 패키지로 제공되어 설계의 융통성을 크게 높입니다. TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 다양한 패키지를 통해 PCB 레이아웃과 실장 옵션을 폭넓게 선택할 수 있습니다. 표준 패키지의 활용은 공간 제약이 있는 모듈링 설계에서…
더 읽어보기 →
Vishay Siliconix SQA401CEJW-T1_GE3 — 고신뢰성 트랜지스터 - 효율적인 전력 및 신호 제어를 위한 MOSFET Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology의 산하에 있는 대표적인 반도체 브랜드로, 고성능 MOSFET, 전력 IC, 및 분리형 반도체 솔루션을 전문적으로 다룹니다. Vishay Siliconix는 전력 효율성, 열 성능, 그리고 긴 신뢰성에 중점을 둔 제품으로, 자동차, 산업, 소비자, 컴퓨터 등의 다양한 분야에서 널리 사용됩니다. SQA401CEJW-T1_GE3의 특징 Vishay Siliconix의 SQA401CEJW-T1_GE3는 고성능 트랜지스터로, 전도 손실을 최소화하고 빠른 스위칭 동작을 제공하며, 까다로운 전기적 및 열적 조건에서 안정적인 작동을 보장합니다. 이 제품은 Vishay의 첨단 실리콘 공정을 사용하여 설계되었으며, 효율적인 전력 변환과 정확한 전력 제어를 지원하여 다양한 작동 시나리오에서 우수한 성능을 발휘합니다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 전도 손실을 줄여 효율을 높입니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용을 최적화하여 성능을 극대화합니다. 열 안정성: 낮은 열 저항과 뛰어난 열 방산 특성. 광범위한 작동 범위: 확장된 전압 및 온도 범위에서 안정적인 동작을 지원합니다. 패키지…
더 읽어보기 →
Vishay Siliconix SIHA22N60AE-E3 — 고신뢰성 FET, MOSFET 단일 소자의 효율과 제어 성능 SIHA22N60AE-E3는 Vishay Siliconix의 고성능 트랜지스터-전력 MOSFET 계열 중 하나로, 낮은 도통 손실과 빠른 스위칭 특성을 통해 전력 변환 및 신호 제어에서 뛰어난 효율을 제공합니다. 이 소자는 까다로운 전기적 및 열적 조건에서도 안정적으로 작동하도록 설계되었으며, 현대의 고주파 전력 설계 및 정밀 제어 애플리케이션에 적합합니다. 다양한 표준 패키지로 제공되어 PCB 레이아웃의 유연성도 갖추고 있습니다. 주요 특징 및 기술 사양 저 RDS(on): 도통 손실을 줄여 시스템 효율 향상에 기여 빠른 스위칭 성능: 고주파 애플리케이션에서의 전환 속도 최적화 열 안정성: 낮은 열 저항과 우수한 방열 성능으로 고부하 운용의 신뢰성 확보 폭넓은 동작 범위: 고전압 및 광범위한 온도 조건에서의 안정적 작동 가능 패키지 다양성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 제공되어 설계 유연성 증가 품질 및 규정 준수: JEDEC, AEC-Q101(자동차급 모델), RoHS, REACH 준수 적용 분야 및…
더 읽어보기 →
Vishay Siliconix IRFI830GPBF — 고신뢰성 트랜지스터로 효율적인 전력 및 신호 제어 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology의 자회사로, 고성능 MOSFET, 전력 IC, 이산 반도체 솔루션을 전문적으로 생산하는 브랜드입니다. 이 회사는 전력 효율성, 열 성능 및 장기 신뢰성에 강한 집중을 하고 있으며, 그 제품은 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 애플리케이션에서 널리 채택되고 있습니다. 그 중 IRFI830GPBF는 고효율 전력 전환 및 정밀한 전력 제어를 제공하는 뛰어난 성능의 트랜지스터로, 다양한 분야에서 사용되고 있습니다. IRFI830GPBF의 주요 특징 IRFI830GPBF는 고성능 FET(MOSFET) 단일 소자로 설계되어 전도 손실을 최소화하고, 빠른 스위칭 성능과 안정적인 동작을 제공합니다. Vishay의 고급 실리콘 프로세스를 통해 제작된 이 부품은 전자적 및 열적 조건이 까다로운 환경에서도 효율적인 전력 전환과 정밀한 전력 제어를 지원합니다. 낮은 RDS(on): 전도 손실을 줄여 효율성을 높임 빠른 스위칭 성능: 고주파수 애플리케이션에 최적화됨 열 안정성: 낮은 열 저항과 강력한 열 방출 넓은 동작 범위: 확장된 전압 및 온도…
더 읽어보기 →
Vishay Siliconix SI7309DN-T1-E3 — 고신뢰성 FET로 효율적 전력 및 신호 제어를 구현하다 개요 및 핵심 특징 Vishay Siliconix SI7309DN-T1-E3은 단일 형태의 고성능 Transistors - FETs, MOSFETs로서 낮은 RDS(on)과 빠른 스위칭 특성을 통해 전도 손실을 최소화하고 고주파 환경에서도 안정적인 동작을 제공합니다. 저 RDS(on)은 실전 전력 변환 회로에서 열 손실을 줄이고 시스템 효율을 높이는 핵심 요소로 작용합니다. 또, 빠른 스위칭 성능은 DC-DC 컨버터, 로드 스위치 등 고주파 응용에서 응답 속도와 제어 정밀도를 향상시키죠. 이 장치는 넓은 작동 전압 및 온도 범위를 지원해 다양한 전력-electronics 설계에서 신뢰성을 확보합니다. Vishay의 첨단 실리콘 공정으로 제조되어 열 저항이 우수하고 열 확산이 잘 이뤄지며, TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 업계 표준 패키지로 제공되어 설계 유연성이 큽니다. 또한 JEDEC 준수, 자동차용 AEC-Q101(특정 자동차 등급 모델), RoHS, REACH 등 품질 및 규격 요건을 충족해 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 분야의 까다로운 환경에서도 신뢰 가능한…
더 읽어보기 →
Vishay Siliconix SI2333CDS-T1-BE3 — 고신뢰성 FET로 효율적 파워 및 신호 제어를 실현 Vishay Siliconix는 파워 MOSFET과 파워 IC, 디스크리트 솔루션 분야에서 오랜 역사를 자랑하는 브랜드로, 전력 효율과 열 성능, 장기 신뢰성에 집중해 왔습니다. SI2333CDS-T1-BE3는 이러한 기술 축적을 바탕으로 저전도 손실, 빠른 스위칭, 까다로운 열 환경에서도 안정적인 동작을 제공하도록 설계된 고성능 단일 트랜지스터 시리즈입니다. 다양한 산업 표준 패키지로 제공되어 현대의 전력 및 신호 제어 설계에 유연한 PCB 레이아웃과 간편한 통합을 가능하게 합니다. 주요 특징 SI2333CDS-T1-BE3의 핵심 매력은 다음과 같습니다. 첫째, 낮은 RDS(on)으로 컨덕션 손실을 최소화해 시스템의 효율을 높이고 발열을 관리합니다. 둘째, 빠른 스위칭 특성은 고주파 응용 분야에서 신호 정확도와 응답 속도를 향상시킵니다. 셋째, 열 저항이 낮고 열 방출이 안정적이도록 설계되어 높은 부하에서도 견고한 작동을 제공합니다. 넷째, 넓은 작동 범위를 지원해 다양한 전압 및 온도 조건에서도 성능 저하 없이 동작합니다. 다섯째, TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준…
더 읽어보기 →