Vishay Siliconix IRFR014TRLPBF-BE3 — 고신뢰성 트랜지스터-전력제어의 새로운 표준 Vishay Siliconix의 IRFR014TRLPBF-BE3는 단일 구성의 고성능 MOSFET로, 낮은 컨덕션 손실과 빠른 스위칭 특성, 까다로운 열 조건에서도 안정적으로 작동하는 설계를 갖추고 있습니다. 전원 관리와 신호 제어의 정밀화를 동시에 요구하는 현대 애플리케이션에서 효율성과 신뢰성을 모두 만족시키도록 개발된 이 소자는 자동차, 산업, 소비자 전자 및 컴퓨팅 분야의 다양한 구현에 적합합니다. Vishay Siliconix는 파워 전자 솔루션에서의 열 성능과 장기 신뢰성에 초점을 맞춰 왔으며, IRFR014TRLPBF-BE3 역시 이러한 브랜드 강점을 반영합니다. 다양한 표준 패키지로 제공되어 PCB 레이아웃과 인터페이스 설계의 융통성을 높이고, 현대의 전원 및 신호 제어 회로에 원활히 통합될 수 있습니다. 주요 특징 Low RDS(on): 도통 손실을 줄여 전체 시스템 효율 향상과 발열 관리 간소화에 기여 Fast Switching Performance: 고주파 응용에서의 속도와 응답성 향상 Thermal Stability: 낮은 열저항과 견고한 방열 특성으로 고부하 환경에서도 신뢰 가능한 동작 Wide Operating Range: 넓은 전압 및 온도…
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Vishay Siliconix
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Vishay Siliconix SIHFR420TRL-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터: 효율적인 전력 및 신호 제어를 위한 FET, MOSFET 단일 소자 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology의 하위 브랜드로, 고성능 MOSFET, 전력 IC, 그리고 분리형 반도체 솔루션을 전문으로 하는 제조업체입니다. 이 회사는 전력 효율성, 열 성능, 그리고 장기적인 신뢰성에 중점을 두고 있으며, 이러한 특성 덕분에 다양한 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨터 애플리케이션에 널리 채택되고 있습니다. SIHFR420TRL-GE3의 특징과 성능 Vishay Siliconix의 SIHFR420TRL-GE3는 고성능 트랜지스터(FET) 및 MOSFET 단일 소자로 설계되어, 낮은 전도 손실과 빠른 스위칭 성능, 그리고 전기적 및 열적 조건에서 안정적인 동작을 제공합니다. Vishay의 첨단 실리콘 프로세스를 통해 설계된 이 소자는 효율적인 전력 변환과 정확한 전력 제어를 지원하며, 다양한 운영 환경에서 뛰어난 성능을 발휘합니다. 주요 특성 낮은 RDS(on): 전도 손실을 최소화하여 높은 효율성 제공 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용 프로그램에 최적화 열 안정성: 낮은 열 저항과 뛰어난 열 분산 성능 넓은 동작 범위:…
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Vishay Siliconix SUM60030E-GE3 — 효율적인 전력 및 신호 제어를 위한 고신뢰성 트랜지스터 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology의 일환으로, 고성능 MOSFET, 전력 IC, 그리고 이산 반도체 솔루션을 전문으로 하는 잘 알려진 반도체 브랜드입니다. Vishay Siliconix는 전력 효율성, 열 성능, 장기적인 신뢰성에 중점을 두고 있으며, 자동차, 산업, 소비자, 컴퓨팅 애플리케이션에서 널리 채택되고 있습니다. Vishay Siliconix SUM60030E-GE3는 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 성능, 그리고 까다로운 전기적 및 열적 조건에서 안정적인 작동을 제공하도록 설계된 고성능 트랜지스터입니다. Vishay의 첨단 실리콘 공정을 통해 제작되어, 광범위한 작동 시나리오에서 효율적인 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 지원합니다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 전도 손실을 줄여 더 높은 효율성을 제공합니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 애플리케이션을 위해 최적화되었습니다. 열적 안정성: 낮은 열 저항과 견고한 열 방산 성능을 자랑합니다. 광범위한 작동 범위: 확장된 전압 및 온도 범위를 지원합니다. 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 다양한 표준 패키지 옵션을…
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Vishay Siliconix SI1403BDL-T1-BE3 — 효율적인 전력 및 신호 제어를 위한 고신뢰성 트랜지스터 Vishay Siliconix는 고성능 MOSFET, 전력 IC, 이산 반도체 솔루션을 전문으로 하는 Vishay Intertechnology의 브랜드로, 전력 효율성, 열 성능 및 장기적인 신뢰성에 강점을 지닌 제품들을 제공합니다. 이 제품들은 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 애플리케이션에서 광범위하게 채택되고 있습니다. 그 중에서 Vishay Siliconix SI1403BDL-T1-BE3는 효율적인 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 지원하는 고성능 트랜지스터입니다. SI1403BDL-T1-BE3의 주요 특징 1. 낮은 RDS(on)으로 높은 효율성 제공 SI1403BDL-T1-BE3는 낮은 RDS(on) 값을 가지고 있어 전도 손실을 최소화하고, 고효율의 전력 전달을 제공합니다. 이는 다양한 전력 관리 애플리케이션에서 중요한 성능 특성으로, 시스템의 전체적인 에너지 효율성을 향상시킵니다. 2. 빠른 스위칭 성능 이 MOSFET은 고주파 응용 분야에 최적화되어 빠른 스위칭 성능을 제공합니다. 이를 통해 높은 속도의 전력 변환을 실현하며, 특히 DC-DC 컨버터와 같은 시스템에서 중요한 역할을 합니다. 3. 우수한 열 안정성 SI1403BDL-T1-BE3는 낮은 열 저항과 뛰어난…
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Vishay Siliconix SIHW73N60E-GE3 — 고신뢰성 FET로 효율적 전력 및 신호 제어를 위한 단일 솔루션 Vishay Siliconix는 고성능 MOSFET, 파워 IC, 디스크리트 반도체 솔루션 분야의 오랜 역사를 지닌 브랜드로서 전력 효율성, 열성능, 장기 신뢰성에 중점을 두고 있습니다. SIHW73N60E-GE3는 이러한 강점을 바탕으로 저전도 손실, 빠른 스위칭 특성, 열적 안정성을 한데 모아 다양한 작동 환경에서 우수한 전력 변환과 정밀 제어를 실현하도록 설계된 고성능 트랜지스터- MOSFET 단일 소자입니다. 주요 특징 저 RDS(on): 도통 손실을 최소화해 전력 효율을 높입니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에 최적화되어 시스템의 응답 속도를 개선합니다. 열적 안정성: 낮은 열저항과 robust한 방열 특성으로 고부하 조건에서도 안정적으로 동작합니다. 넓은 작동 범위: 폭넓은 전압 및 온도 조건에서 신뢰성 있는 작동을 제공합니다. 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 다양한 PCB 레이아웃과 손쉬운 적용이 가능합니다. 품질 및 규정 준수: JEDEC, AEC-Q101(자동차용 등급 모델), RoHS, REACH를 지원합니다. 적용 시나리오…
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Vishay Siliconix SI2333DS-T1-E3: 고신뢰성 FET로 효율적 전력 및 신호 제어 주요 특징과 설계 이점 SI2333DS-T1-E3는 단일 소자로 설계된 고성능 MOSFET으로, 전력 변환과 신호 제어에서 낮은 전도 손실과 빠른 스위칭 특성을 제공합니다. 저 RDS(on) 설계로 도통 손실이 감소하고, 고주파 적용에서도 안정적인 동작을 유지합니다. 열 저항이 낮고 열 방출이 우수해 까다로운 전기적/열적 조건에서도 열 안정성을 발휘합니다. 작동 전압 및 온도 범위가 넓어 다양한 시스템에서 활용 가능하며, TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 다양한 표준 패키지로 제공되어 PCB 레이아웃과 배선 설계에 융통성을 제공합니다. 품질 측면에서도 JEDEC, AEC-Q101(자동차 등급 모델), RoHS 및 REACH를 준수해 신뢰성과 규정 준수를 동시에 확보합니다. 이 모든 요소가 전력 관리 모듈과 신호 제어 회로의 효율성, 신뢰성, 수명 주기를 크게 향상시키는 기반이 됩니다. 적용 분야 및 구현 시나리오 다양한 산업군에서 SI2333DS-T1-E3의 강점이 빛납니다. DC-DC 컨버터와 로드 스위치 같은 파워 매니지먼트 구간에서의 높은 효율과 빠른 응답이 필요할 때…
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Vishay Siliconix SISS5708DN-T1-GE3 — 효율적인 전력 및 신호 제어를 위한 고신뢰성 트랜지스터 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology의 자회사로, 고성능 MOSFET, 전력 IC, 그리고 분리형 반도체 솔루션을 전문으로 합니다. 전력 효율성, 열 성능 및 장기적인 신뢰성에 중점을 둔 제품으로, Vishay Siliconix는 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 애플리케이션에서 널리 사용되고 있습니다. SISS5708DN-T1-GE3의 특성 및 장점 Vishay Siliconix SISS5708DN-T1-GE3는 저전도 손실, 빠른 스위칭 성능, 그리고 열적 및 전기적 조건에서 안정적인 동작을 제공하는 고성능 트랜지스터로 설계되었습니다. Vishay의 고급 실리콘 프로세스를 기반으로 제작되어, 다양한 운영 환경에서 효율적인 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 지원합니다. 이 장치는 여러 산업 표준 패키지로 제공되어 유연한 PCB 레이아웃과 최신 전력 및 신호 제어 설계에 쉽게 통합될 수 있습니다. SISS5708DN-T1-GE3의 주요 특징은 다음과 같습니다: 낮은 RDS(on): 전도 손실이 감소하여 더 높은 효율성을 제공합니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에 최적화된 성능을 발휘합니다. 열 안정성: 낮은 열 저항과 견고한…
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개요 및 성능 특징 Vishay Siliconix SIDR626LDP-T1-RE3는 단일형 MOSFET으로, 낮은 전도 손실(RDS(on))과 빠른 스위칭 특성을 결합해 효율적 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 가능하게 합니다. 이 소자는 고전류/고주파 환경에서도 안정적으로 작동하도록 설계되었으며, 다양한 공정 온도와 부하 조건에서 열관리와 신뢰성을 유지합니다. Vishay의 첨단 실리콘 공정 기술이 적용되어 있어, 고온에서도 성능 저하를 최소화하고 긴 수명을 보장하는 것이 특징입니다. 주요 특징은 다음과 같습니다: 저 RDS(on)로 구동 손실 감소 및 시스템 효율 향상 빠른 스위칭 성능으로 고주파 응용에 유리 열 저항 및 열 방출이 우수한 구조로 열 안정성 강화 넓은 작동 전압 및 온도 범위로 다양한 설계 조건 대응 표준 패키지로의 유연한 설계 적용 가능(TO, DPAK, PowerPAK, SO 등) JEDEC, AEC-Q101(자동차 등급 모델), RoHS, REACH 등 국제 품질 표준 준수 패키지 옵션 및 설계 유연성 SIDR626LDP-T1-RE3은 다양한 산업 표준 패키지로 제공되어 실무 설계에서 PCB 레이아웃의 유연성을 높입니다. TO, DPAK, PowerPAK,…
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Vishay Siliconix SIJ478DP-T1-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터 FET, MOSFET - 효율적인 전력 및 신호 제어를 위한 단일 소자 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology의 핵심 브랜드로, 고성능 MOSFET, 전력 IC, 분산 반도체 솔루션을 전문으로 합니다. 전력 효율성, 열 성능 및 장기적인 신뢰성에 강한 집중을 보여주는 Vishay Siliconix의 제품들은 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 애플리케이션에서 널리 채택되고 있습니다. 그 중에서 SIJ478DP-T1-GE3는 저전력 소비와 뛰어난 열 안정성, 빠른 스위칭 성능을 제공하는 고성능 트랜지스터입니다. SIJ478DP-T1-GE3의 주요 특징 낮은 RDS(on): 이 MOSFET는 낮은 RDS(on) 값을 자랑하여 전도 손실을 최소화하고, 높은 전력 효율성을 달성합니다. 이는 고주파 및 고전력 애플리케이션에서 특히 중요한 요소입니다. 빠른 스위칭 성능: SIJ478DP-T1-GE3는 빠른 스위칭 속도를 제공하여 높은 주파수 응용 분야에서 뛰어난 성능을 발휘합니다. 이는 전력 변환 시스템에서 에너지 손실을 줄이고, 효율성을 높이는 데 기여합니다. 우수한 열 안정성: 이 MOSFET는 낮은 열 저항과 뛰어난 열 방출 특성을 통해, 고온 환경에서도…
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Vishay Siliconix SQS141ELNW-T1_GE3 — 고신뢰성 트랜지스터(FET/MOSFET) 단일 소자, 효율적 전력 및 신호 제어를 위한 선택 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology 산하의 대표적 파워 반도체 브랜드로, 고성능 MOSFET, 파워 IC, 디스리크 솔루션을 전문으로 합니다. 전력 효율성, 열 성능, 장기 신뢰성에 중점을 두며 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 분야에서 폭넓게 채택되고 있습니다. SQS141ELNW-T1_GE3는 이러한 첨단 설계 철학을 바탕으로, 낮은 전도 손실과 빠른 스위칭 특성, 열적 견고함을 한꺼번에 제공하는 고성능 트랜지스터로 자리매김합니다. 이 소자는 Vishay의 진보된 실리콘 공정으로 만들어져, 다양한 작동 조건에서 효율적인 전력 변환과 정밀 신호 제어를 가능하게 합니다. 또한 산업 표준 패키지로 제공되어 설계 유연성과 PCB 레이아웃의 단순화를 지원합니다. 특징 및 설계 이점 SQS141ELNW-T1GE3의 핵심은 낮은 RDS(on)으로 인한 전도 손실 감소, 빠른 스위칭 특성, 그리고 넓은 작동 범위에서의 안정성에 있습니다. 낮은 RDS(on)는 고효율 DC-DC 컨버터, 로드 스위치, 파워 모듈에서 열 관리 부담을 줄이고, 더 높은 출력 밀도와…
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