Vishay Siliconix

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SQM120N04-1M9_GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SQM120N04-1M9_GE3 — 고신뢰성 트랜지스터(FETs, MOSFETs) 단일 소자 주요 특징 및 설계 이점 SQM120N04-1M9_GE3는 저전압에서의 전도 손실 감소와 신속한 스위칭 특성을 결합한 고성능 MOSFET으로, 고주파 전력 변환과 정밀 전력 제어에 최적화되어 있습니다. 낮은 RDS(on)은 시스템 전체의 효율을 높이고 열 손실을 억제해 열 관리 요구가 까다로운 설계에서도 안정적으로 작동합니다. 넓은 작동 범위 덕분에 다양한 전압 및 온도 조건에서 예측 가능한 성능을 제공합니다. 또한 Vishay의 첨단 실리콘 공정 기술로 제작되어 장시간의 신뢰성과 일관된 성능을 유지합니다. 패키지 측면에서 TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지 옵션을 제공해 PCB 레이아웃의 유연성을 극대화하고, 기존 설계와의 호환성을 높입니다. 품질과 규정 준수 측면에서도 JEDEC 표준, AEC-Q101(자동차 등급 모델), RoHS 및 REACH를 충족해 자동차 및 산업용 애플리케이션의 까다로운 환경 요건에 대응합니다. 응용 분야 및 성능 이점 SQM120N04-1M9_GE3는 전력 관리 회로의 핵심 구성으로서 다양한 분야에 폭넓게 적용됩니다. DC-DC 컨버터, 로드 스위치, 파워 모듈에서의…
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SIR106DP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SIR106DP-T1-RE3 — 고신뢰성 트랜지스터(FET/MOSFET) 단일 패키지로 효율적 전력 및 신호 제어 Vishay Siliconix는 Power MOSFET와 고성능 디지털/아날로그 솔루션 분야를 선도하는 브랜드로, 전력 효율, 열 성능, 그리고 장기 신뢰성에 집중합니다. SIR106DP-T1-RE3는 이러한 강점을 바탕으로 낮은 컨덕턴스 손실, 빠른 스위칭 특성, 그리고 열 관리가 중요한 고부하 환경에서 안정적인 동작을 제공합니다. 실리콘 공정의 최신 기술을 적용해 전력 변환과 정밀 제어를 필요로 하는 다양한 설계에 폭넓게 적용됩니다. 특징과 기술적 우위 저 RDS(on): 도통 손실을 최소화하여 시스템 효율을 높이고 발열도 관리합니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에서도 안정적인 스위칭으로 응답성과 에너지 손실 감소를 지원합니다. 열 안정성: 낮은 열 저항과 우수한 방열 특성으로 고온 환경에서도 성능 저하를 최소화합니다. 넓은 작동 범위: 전압 및 온도 범위가 넓어 다양한 운영 조건에서 안정적인 동작을 보장합니다. 패키지 다양성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 산업 표준 패키지로 설계 유연성과 PCB 레이아웃의 편의성을 제공합니다. 품질 및…
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SIHB12N65E-GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SIHB12N65E-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터(FET), MOSFET 단일 소자, 효율적인 전력 및 신호 제어를 위한 최적의 선택 Vishay Siliconix는 전 세계적으로 널리 알려진 반도체 브랜드인 Vishay Intertechnology의 일환으로, 고성능 MOSFET, 전력 IC 및 분리형 반도체 솔루션을 전문으로 합니다. Vishay Siliconix의 제품은 전력 효율성, 열 성능, 그리고 장기적인 신뢰성에 중점을 두고 설계되어, 자동차, 산업, 소비자, 컴퓨팅 등 다양한 분야에서 폭넓게 사용되고 있습니다. Vishay Siliconix SIHB12N65E-GE3의 주요 특징 Vishay Siliconix SIHB12N65E-GE3는 고성능 트랜지스터인 FET 및 MOSFET 단일 소자로, 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 동작, 그리고 까다로운 전기적 및 열적 조건에서 안정적인 동작을 제공합니다. Vishay의 첨단 실리콘 공정을 통해 설계된 이 소자는 효율적인 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 지원하며, 다양한 운영 시나리오에 적합하게 동작합니다. 이 제품은 다양한 산업 표준 패키지로 제공되며, 유연한 PCB 레이아웃과 현대적인 전력 및 신호 제어 설계에 간편하게 통합될 수 있습니다. 주요 특성 및 장점…
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SIHA24N65EF-E3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SIHA24N65EF-E3 — 고신뢰성 MOSFET로 효율적인 전력·신호 제어의 새로운 표준 Vishay Siliconix는 고성능 MOSFET, 파워 IC, 디스크리트 솔루션 분야의 확고한 리더입니다. 전력 효율성과 열 성능, 그리고 장기 신뢰성에 집중하는 이 브랜드의 제품은 자동차, 산업, 가전, 컴퓨팅 등 다양한 영역에서 널리 채택되고 있습니다. SIHA24N65EF-E3는 이러한 강점을 한 자리에서 구현하도록 설계된 고성능 트랜지스터- FET, MOSFET입니다. 저손실 전도와 빠른 스위칭, 열 환경에서의 안정적인 동작을 바탕으로 폭넓은 작동 조건에서 정밀한 파워 컨트롤을 가능케 합니다. 핵심 특징과 성능 저 RDS(on): 전도 손실을 최소화해 전체 시스템 효율을 높임 빠른 스위칭 성능: 고주파 애플리케이션에 최적화된 전환 특성 열 안정성: 낮은 열 저항과 우수한 방열 능력으로 고부하에서도 안정적 동작 넓은 작동 범위: 전압 및 온도 범위 확장으로 다양한 환경에 대응 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 설계 유연성 향상 품질 및 규정 준수: JEDEC, AEC-Q101(자동차 등급), RoHS, REACH 규격…
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SIHF28N60EF-GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SIHF28N60EF-GE3 — 고신뢰성 FET, MOSFET 단일 소자으로 효율적 전력 및 신호 제어 구현 SIHF28N60EF-GE3는 Vishay Siliconix의 최첨단 실리콘 공정을 활용해 설계된 고성능 트랜지스터- FET, MOSFET 단일 소자입니다. 전력 효율성과 열적 성능, 긴 수명 신뢰성에 중점을 두고 차량용, 산업용, 소비자 전자 및 컴퓨팅 분야에서 안정적인 전력 관리와 정밀한 제어를 가능하게 합니다. 다양한 업계 표준 패키지로 제공되어 PCB 레이아웃의 융통성과 현대 파워·신호 제어 설계에의 손쉬운 통합이 가능합니다. 핵심 특징 저 RDS(on)로 도통 손실 감소: 실전 구동 중 열 손실을 낮춰 시스템 효율을 높이고 발열 관리 여건을 완화합니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에도 뛰어난 스위칭 속도와 제어 응답성을 제공합니다. 열적 안정성: 낮은 열저항과 우수한 방열 특성으로 열 피크를 억제하고 신뢰성 있는 동작을 유지합니다. 넓은 작동 범위: 전압과 온도 범위가 넓어 다양한 환경에서도 안정적으로 작동합니다. 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 제공되어 설계 및…
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SQJ182EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SQJ182EP-T1_GE3 — 고신뢰성 트랜지스터(FET)로 효율적 전력 및 신호 제어 개요 및 핵심 특징 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology 소속의 고성능 MOSFET, 파워 IC 및 디스크리트 솔루션으로 널리 알려진 브랜드다. SQJ182EP-T1_GE3는 단일 구성의 고성능 트랜지스터- FET로, 낮은 전도 손실(RDS(on))과 빠른 스위칭 특성, 그리고 혹독한 전기적·열적 조건에서도 안정적인 동작을 목표로 설계되었다. 이 소자는 Vishay의 첨단 실리콘 공정을 통해 개발되어 효율적인 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 폭넓은 작동 조건에서 가능하게 한다. 또한 다양한 산업 표준 패키지로 제공되어, 현대 파워 및 신호 제어 설계에 유연한 레이아웃과 신속한 통합을 가능하게 한다. 성능 세부사항과 패키지 옵션 저 RDS(on): 전도 손실을 낮춰 시스템 효율을 높인다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에 최적화되어, DC-DC 컨버터와 같은 고속 토폴로지에 적합하다. 열적 안정성: 낮은 열 저항과 견고한 방열 특성으로 열 관리 부담을 줄인다. 넓은 동작 범위: 폭넓은 전압 및 온도 범위를 지원한다. 패키지 유연성: TO,…
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SQD50P08-28_GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SQD50P08-28_GE3 — 고신뢰성 트랜지스터: 효율적인 전력 및 신호 제어를 위한 MOSFET Vishay Siliconix는 고성능 MOSFET, 전력 IC, 분리형 반도체 솔루션을 전문으로 하는 Vishay Intertechnology의 브랜드로, 전력 효율성, 열 성능 및 장기적인 신뢰성에 강점을 두고 있습니다. Vishay Siliconix의 제품은 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 애플리케이션에서 널리 사용되고 있습니다. SQD50P08-28_GE3: 고성능 MOSFET Vishay Siliconix SQD50P08-28_GE3는 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 성능, 그리고 높은 전기 및 열 조건에서도 안정적인 작동을 제공하는 고성능 트랜지스터입니다. 이 MOSFET는 Vishay의 고급 실리콘 프로세스를 사용하여 설계되었으며, 효율적인 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 지원합니다. 다양한 산업 표준 패키지로 제공되어 PCB 레이아웃의 유연성과 현대적인 전력 및 신호 제어 설계에 쉽게 통합할 수 있습니다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 전도 손실을 줄여 효율성을 높입니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용 분야에 최적화되어 있습니다. 열 안정성: 낮은 열 저항과 견고한 열 방산 성능을 제공합니다. 광범위한 작동 범위:…
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SI7117DN-T1-E3 Vishay Siliconix
SI7117DN-T1-E3: 고신뢰성 모스펫으로 구현하는 효율적 전력 및 신호 제어 개요 및 핵심 특징 Vishay Siliconix는 고성능 MOSFET, 파워 IC, 디스크리트 솔루션으로 잘 알려진 브랜드로, 전력 효율성, 열 성능, 신뢰성에 초점을 맞추어 왔습니다. SI7117DN-T1-E3는 단일 트랜지스터-트랜지스터 소자로서 낮은 RDS(on)으로 인해 컨덕션 손실을 최소화하고, 빠른 스위칭 특성으로 고주파 응용에서의 성능을 극대화합니다. 또한 다양한 작동 조건에서의 안정적인 동작과 견고한 열 관리 특성을 갖추고 있어, 고전류 전력 변환 및 정밀 제어에 적합합니다. 이 소자는 Vishay의 첨단 실리콘 공정을 바탕으로 설계되어, 폭넓은 운용 시나리오에서 효과적으로 전력 관리 및 신호 제어를 수행합니다. 주요 특징은 다음과 같습니다. 저 RDS(on): 컨덕션 손실 감소로 시스템 효율 향상 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에 최적화 열 안정성: 낮은 열 저항과 우수한 방열 특성 확장된 작동 범위: 넓은 전압 및 온도 범위를 지원 패키지 다양성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 설계 유연성 확보 품질 및…
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IRFI634GPBF Vishay Siliconix
Vishay Siliconix IRFI634GPBF — 고신뢰성 트랜지스터: 효율적인 전력 및 신호 제어를 위한 MOSFET Vishay Siliconix는 고성능 MOSFET, 전력 IC, 그리고 분리형 반도체 솔루션을 전문으로 하는 브랜드로, Vishay Intertechnology의 자회사입니다. 전력 효율성, 열 성능, 장기적인 신뢰성에 강점을 두고 있는 Vishay Siliconix 제품은 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 애플리케이션에서 널리 사용됩니다. 그 중 IRFI634GPBF는 뛰어난 성능과 안정성을 제공하는 트랜지스터로, 다양한 전력 및 신호 제어 시스템에 필수적인 부품입니다. 고효율 전력 제어를 위한 IRFI634GPBF Vishay Siliconix IRFI634GPBF는 단일 MOSFET으로 설계되어, 낮은 RDS(on), 빠른 스위칭 성능 및 열 안정성 등의 특성을 제공합니다. 이 MOSFET은 전력 변환 및 정밀한 전력 제어를 지원하며, 다양한 작동 조건에서도 안정적인 성능을 유지합니다. Vishay의 고급 실리콘 공정을 기반으로 설계된 IRFI634GPBF는 고주파 응용 프로그램에서도 뛰어난 효율을 보장하며, 고전압 및 고온 환경에서도 강력한 내구성을 자랑합니다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 낮은 전도 손실로 높은 효율성 달성 빠른 스위칭 성능:…
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SIA446DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SIA446DJ-T1-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 소자로 효율적 전력 및 신호 제어를 제공합니다. Vishay Siliconix는 파워 MOSFET, 파워 IC 및 디스크리트 솔루션 분야에서 오랜 역사를 가진 브랜드로, 전력 효율성, 열 성능, 장기 신뢰성에 중점을 두고 있습니다. 이러한 특성은 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 애플리케이션에서 널리 채택되는 이유이기도 합니다. SIA446DJ-T1-GE3는 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 특성, 까다로운 전기 및 열 조건에서도 안정적으로 작동하도록 설계된 고성능 소자입니다. 최신 실리콘 공정을 적용해 다양한 구동 시나리오에서 전력 변환과 신호 제어의 효율을 높여 줍니다. 여러 표준 패키지로 제공되어 PCB 레이아웃의 융통성과 최신 파워/신호 설계에의 통합이 용이합니다. 주요 특징 저 RDS(on): 전도 손실을 줄여 시스템 효율성을 높임 빠른 스위칭 성능: 고주파 애플리케이션에 최적화된 전환 속도 열 안정성: 낮은 열 저항과 효과적인 방열로 안정적인 동작 보장 넓은 동작 범위: 전압 및 온도 범위의 확장으로 다양한 환경에서 사용 가능 패키지…
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