Vishay Siliconix SIHD5N50D-E3 — 고신뢰성 트랜지스터(FET, MOSFET) 단일 구성으로 효율적인 전력 및 신호 제어를 제공합니다 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology 산하의 대표적 반도체 브랜드로서, 고성능 MOSFET, 파워 IC, 디스크리트 솔루션 분야에서 오랜 신뢰를 쌓아 왔습니다. 파워 효율성, 열 성능, 장기 신뢰성에 강점이 있어 자동차, 산업, 가전 및 컴퓨팅 분야에서 널리 채택됩니다. SIHD5N50D-E3는 이러한 브랜드의 강점을 바탕으로 저전도 손실, 빠른 스위칭 특성, 열 환경에서도 안정적인 동작을 구현하도록 설계된 고성능 단일 트랜지스터(-FET, MOSFET) 입니다. 첨단 실리콘 공정 기술로 구성되어 있어 전력 변환과 정밀 파워 제어를 폭넓은 작동 조건에서 지원합니다. 주요 특징 및 기술 사양 낮은 RDS(on): 콘덕션 손실을 줄여 시스템 효율을 높이고 발열을 억제합니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에 최적화되어 고속 전력 제어를 가능하게 합니다. 열 안정성: 낮은 열저항과 견고한 방열 특성으로 가혹한 환경에서도 일관된 동작을 제공합니다. 넓은 동작 범위: 전압 및 온도 범위가 넓어 다양한 설계 조건에…
더 읽어보기 →
Vishay Siliconix
해당 카테고리에 2000개의 글이 있습니다.
Vishay Siliconix SQD70140EL_GE3 — 고신뢰성 트랜지스터 FETs, MOSFETs 단일형으로 효율적인 전력 및 신호 제어 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology의 주요 반도체 브랜드로, 고성능 MOSFETs, 전력 ICs 및 분리형 반도체 솔루션을 전문으로 합니다. 전력 효율성, 열 성능 및 장기 신뢰성에 집중한 Vishay Siliconix의 제품은 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 분야에서 널리 사용되고 있습니다. SQD70140EL_GE3의 성능과 특징 Vishay Siliconix의 SQD70140EL_GE3는 고성능 트랜지스터 FETs, MOSFETs 단일형으로 설계되어, 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 성능 및 열적 안정성을 제공합니다. 이 장치는 Vishay의 첨단 실리콘 공정을 통해 제작되어 효율적인 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 지원합니다. 높은 주파수 환경에서 뛰어난 성능을 발휘하며, 다양한 전기적 및 열적 조건에서도 안정적인 작동이 가능합니다. SQD70140EL_GE3는 여러 산업 표준 패키지 옵션을 제공하여 PCB 레이아웃에서의 유연성을 보장하고, 현대적인 전력 및 신호 제어 시스템 설계에 쉽게 통합될 수 있습니다. 주요 특징은 다음과 같습니다: 낮은 RDS(on): 전도 손실을 줄여 효율성을 극대화…
더 읽어보기 →
주요 특징 Vishay Siliconix의 SQJ454EP-T1_BE3는 고성능 트랜지스터-펜서 구동의 FET/ MOSFET 솔루션으로, 단일 소자로 설계되어 전도 손실을 낮추고 빠른 스위칭 특성을 제공합니다. 낮은 RDS(on)으로 컨덕션 손실이 줄어 고효율 파워 컨버전이 가능하며, 빠른 스위칭은 고주파 응용에서의 성능 이점을 제공합니다. 또한 열 안정성도 뛰어나 열저항이 낮고 열 방출이 견고해 열 집중 환경에서도 안정적으로 작동합니다. 광범위한 동작 범위를 지원해 다양한 전압과 온도 조건에서 신뢰성 있는 동작을 보장합니다. 패키징 측면에서도 TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지를 포함한 다양한 옵션을 제공해 PCB 레이아웃의 유연성을 높이고 설계 단계를 간소화합니다. 품질과 규격 측면에서는 JEDEC, AEC-Q101( automotive-grade 모델), RoHS, REACH를 충족하여 자동차 및 산업 환경에서의 신뢰성 요구를 충족합니다. 적용 분야 및 이점 SQJ454EP-T1_BE3는 전원 관리 구간에서 특히 강력합니다. DC-DC 컨버터, 로드 스위치, 파워 모듈 등에서 전력 손실을 줄이고 회로의 안정성과 응답 속도를 개선합니다. 자동차 전자 분야에서는 차체 전자장치, 인포테인먼트 시스템, 조명 및 EV…
더 읽어보기 →
Vishay Siliconix SQ4182EY-T1_GE3 — 고신뢰성 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 소자: 효율적인 전력 및 신호 제어를 위한 최적의 선택 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology의 자회사로, 고성능 MOSFET, 전력 IC 및 분리형 반도체 솔루션을 전문으로 하는 브랜드입니다. 전력 효율성, 열 성능 및 장기적인 신뢰성에 중점을 두고 설계된 Vishay Siliconix의 제품들은 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 응용 프로그램에서 널리 사용됩니다. Vishay Siliconix SQ4182EY-T1_GE3는 고성능 트랜지스터인 FET, MOSFET 단일 소자로 설계되어, 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 성능 및 열적 스트레스와 전기적 조건에서도 안정적인 동작을 제공합니다. Vishay의 고급 실리콘 공정을 통해 설계된 이 소자는 효율적인 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 지원합니다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 전도 손실을 줄여 높은 효율성 제공 빠른 스위칭 성능: 고주파수 응용에 최적화 열적 안정성: 낮은 열 저항 및 강력한 열 방출 능력 광범위한 작동 범위: 확장된 전압 및 온도 범위 지원 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK,…
더 읽어보기 →
Vishay Siliconix SQM120P04-04L_GE3 — 고신뢰성 FET로 효율적 전력 및 신호 제어 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology 산하의 대표적인 반도체 브랜드로, 고성능 MOSFET, 파워 IC, 디스크리트 솔루션에서 강점을 보이고 있습니다. 전력 효율성, 열 성능, 장기 신뢰성에 집중하는 이들 제품은 자동차, 산업, 가전 및 컴퓨팅 분야에서 널리 채택되고 있습니다. SQM120P04-04L_GE3는 이러한 브랜드 역량을 바탕으로 설계된 단일 트랜지스터 – FET/MOSFET로, 낮은 컨덕션 손실, 빠른 스위칭 특성, 열적 조건에서도 안정적인 동작을 제공합니다. 핵심 특징 낮은 RDS(on): 전도 손실을 줄여 시스템 효율성을 높임 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에서의 전력 변환 효율 개선 열 안정성: 낮은 열 저항과 우수한 방열 특성으로 고부하 환경에서도 성능 유지 폭넓은 작동 범위: 전압 및 온도 범위가 넓어 다양한 설계 유연성 제공 패키지 다양성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 쉬운 PCB 레이아웃 가능 품질 및 규정 준수: JEDEC, AEC-Q101(자동차용 모델), RoHS, REACH 등 국제 표준…
더 읽어보기 →
Vishay Siliconix SQJ170ELP-T1_GE3 — 고신뢰성 트랜지스터 및 FET, MOSFET - 단일 채널 효율적인 전력 및 신호 제어 Vishay Siliconix는 전력 효율성, 열 성능, 그리고 장기적인 신뢰성을 강조하는 고성능 반도체 솔루션을 제공하는 브랜드로, Vishay Intertechnology의 자회사입니다. Vishay Siliconix는 다양한 산업 분야에서 사용되는 MOSFET, 전력 IC, 분리형 반도체를 제공하며, 그 제품들은 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 애플리케이션에서 널리 사용되고 있습니다. SQJ170ELP-T1_GE3의 특징과 성능 Vishay Siliconix의 SQJ170ELP-T1_GE3는 고성능 트랜지스터인 FET(MOSFET) 단일 채널로 설계된 부품으로, 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 성능, 그리고 높은 신뢰성을 자랑합니다. 이 MOSFET는 전력 변환 및 정확한 전력 제어를 위한 필수적인 특성을 제공하며, 다양한 전기적 및 열적 조건에서 안정적인 동작을 보장합니다. Vishay의 첨단 실리콘 공정을 사용하여 제작된 이 부품은 고주파 응용 분야에서 우수한 성능을 발휘합니다. 핵심 특성 낮은 RDS(on): 전도 손실이 적어 높은 효율성을 제공합니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에 최적화되어 빠른 스위칭이 가능합니다. 열…
더 읽어보기 →
Vishay Siliconix SISHA10DN-T1-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터, FET, MOSFET 싱글로 효율적인 전력 및 신호 제어 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology의 자회사로, 고성능 MOSFET, 전력 IC 및 분리형 반도체 솔루션을 전문으로 하는 세계적인 반도체 브랜드입니다. 전력 효율성, 열 성능, 그리고 장기적인 신뢰성에 중점을 두고 제품을 개발하는 Vishay Siliconix는 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 애플리케이션에서 널리 사용됩니다. 그 중, SISHA10DN-T1-GE3는 전력 변환 및 정밀한 전력 제어를 위한 탁월한 선택으로 자리잡고 있습니다. SISHA10DN-T1-GE3의 특징 및 장점 낮은 RDS(on) (드레인-소스 저항): SISHA10DN-T1-GE3는 낮은 드레인-소스 저항 값을 제공하여 전도 손실을 최소화하고, 높은 전력 효율을 달성합니다. 이를 통해 에너지 절약 및 열 발산이 감소하여 시스템 전체의 성능을 향상시킵니다. 빠른 스위칭 성능: 이 트랜지스터는 고주파수 응용 분야에서 최적화되어 빠른 스위칭 성능을 자랑합니다. 높은 스위칭 속도는 전력 변환 시스템에서의 효율성을 극대화하며, 더 작은 크기의 부품으로도 동일한 성능을 발휘할 수 있도록 합니다. 우수한 열 안정성: SISHA10DN-T1-GE3는…
더 읽어보기 →
Vishay Siliconix IRF840ALPBF – 고신뢰성 트랜지스터 및 MOSFET으로 효율적인 전력 및 신호 제어 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology의 하위 브랜드로, 고성능 MOSFET, 전력 IC, 및 이산 반도체 솔루션을 전문적으로 개발하는 회사입니다. 전력 효율성, 열 성능, 및 장기적인 신뢰성에 중점을 두고 설계된 Vishay Siliconix의 제품은 자동차, 산업, 소비자, 그리고 컴퓨터 애플리케이션에서 널리 사용되고 있습니다. 특히 IRF840ALPBF 모델은 효율적인 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 가능하게 하는 뛰어난 특성을 제공합니다. IRF840ALPBF의 특징 Vishay Siliconix IRF840ALPBF는 저전도 손실, 빠른 스위칭 성능, 그리고 열적 안정성에서 탁월한 성능을 보이는 고성능 트랜지스터입니다. 이 MOSFET은 Vishay의 고급 실리콘 공정을 통해 설계되어, 전력 변환 효율과 높은 빈도에서의 안정적인 동작을 제공합니다. 이 모델은 다양한 산업 표준 패키지로 제공되며, 최신 전력 및 신호 제어 시스템 설계에 통합이 용이합니다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 낮은 전도 손실로 더 높은 효율을 제공 빠른 스위칭 성능: 고주파 애플리케이션에 최적화 열 안정성:…
더 읽어보기 →
SI1021R-T1-GE3은 Vishay Siliconix의 고신뢰성 트랜지스터(FET, MOSFET)로, 하나의 소자로 전력 및 신호 제어에서 높은 효율과 안정성을 제공합니다. Vishay Siliconix는 전력 효율, 열 성능, 장기 신뢰성에 중점을 둔 반도체 솔루션의 선도 브랜드로, 자동차, 산업, 소비자 전자, 컴퓨팅 분야에서 광범위하게 채택되고 있습니다. SI1021R-T1-GE3는 이러한 강점을 바탕으로 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 특성, 극한의 전기·열 조건에서도 안정적인 작동을 제공합니다. 다양한 산업 표준 패키지로 제공되어 현대적인 전력 및 신호 제어 설계에 쉽게 적용할 수 있습니다. SI1021R-T1-GE3의 핵심 가치 저 RDS(on): 전도 손실 감소로 시스템 효율 향상 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에 최적화된 동적 응답 열 안정성: 낮은 열 저항과 우수한 방열 특성 넓은 동작 범위: 폭넓은 전압 및 온도 환경에서 안정적 작동 패키지 다양성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지에서 선택 가능 품질 및 규정 준수: JEDEC, AEC-Q101(자동차 등급 모델), RoHS, REACH 규격 충족 설계 이점과 시스템 수준의 혜택…
더 읽어보기 →
Vishay Siliconix SI8821EDB-T2-E1은 단일 FET로서 고효율 파워 및 신호 제어를 위한 설계를 갖춘 고신뢰성 MOSFET입니다. Vishay Siliconix는 파워 MOSFET, 파워 IC 및 이산 반도체 솔루션에 집중하는 브랜드로서, 전력 효율성, 열 성능, 장기 신뢰성에 초점을 맞춰 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 분야에서 널리 활용되고 있습니다. SI8821EDB-T2-E1은 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 동작, 열 환경이 까다로운 조건에서도 안정적인 동작을 제공하도록 설계되었습니다. 고급 실리콘 공정으로 제조되어 다양한 작동 시나리오에서 효율적인 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 지원합니다. 핵심 특징과 성능 이점 낮은 RDS(on)로 전도 손실 감소: 전력 변환 효율을 높이고 방열 부담을 줄여 소자 규모를 최적화합니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에서 스위칭 손실을 억제하고 전력 관리 회로의 응답 속도를 향상시킵니다. 열 안정성: 낮은 열저항과 우수한 방열 특성으로 고온 환경에서도 안정적인 동작을 유지합니다. 넓은 작동 범위: 다양한 전압 및 온도 조건에서 신뢰성 있는 동작을 보장합니다. 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK,…
더 읽어보기 →