Vishay Siliconix

Vishay Siliconix IRF610STRR — 고신뢰성 FET로 효율적 전력 제어와 신호 제어를 실현 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology 계열의 신뢰받는 반도체 브랜드로, 고성능 MOSFET, 파워 IC 및 디스크리트 솔루션에 집중합니다. 전력 효율성과 열 성능, 장기 신뢰성에 대한 강한 집중으로 자동차, 산업, 가전, 컴퓨팅 분야에서 폭넓게 채택되고 있습니다. IRF610STRR는 이러한 철학을 담아 설계된 고성능 트랜지스터-펫 MOSFET으로, 낮은 컨덕션 손실과 빠른 스위칭 특성, 그리고 까다로운 전기·열 조건에서도 안정적인 동작을 제공합니다. Vishay의 첨단 실리콘 공정으로 제조되어, 폭넓은 작동 시나리오에서 효율적인 전력 변환과 정밀한 파워 컨트롤이 가능하도록 설계되었습니다. 주요 특징 저 RDS(on)로 컨덕션 손실 감소: 전력 효율성을 높이고 열 관리 부담을 줄여줍니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에서 우수한 스위칭 속도를 제공합니다. 열 안정성: 낮은 열 저항과 견고한 방열 특성으로 다양한 열 환경에 잘 대응합니다. 넓은 동작 범위: 전압 및 온도 범위가 넓어 다양한 시스템에서 유연하게 사용할 수 있습니다. 패키지 선택의 폭:…

Vishay Siliconix IRF9Z10 — 고신뢰성 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 제품으로 효율적인 전력 및 신호 제어 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology의 자회사로, 고성능 MOSFET, 전력 IC, 그리고 개별 반도체 솔루션을 전문으로 하는 잘 알려진 반도체 브랜드입니다. 전력 효율성, 열 성능, 장기 신뢰성에 강점을 두고 있으며, 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 애플리케이션에서 널리 채택되고 있습니다. 이러한 특징을 바탕으로, Vishay Siliconix의 IRF9Z10은 효율적인 전력 변환 및 정밀한 전력 제어를 위한 고성능 FET(MOSFET) 단일 제품입니다. IRF9Z10의 주요 특징 Vishay Siliconix IRF9Z10은 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 성능, 그리고 높은 열 안정성을 제공하는 고성능 트랜지스터입니다. 이 제품은 Vishay의 고급 실리콘 공정을 사용하여 설계되었으며, 다양한 전기적 및 열적 조건에서 안정적인 동작을 보장합니다. 특히 다음과 같은 주요 특징들이 돋보입니다. 낮은 RDS(on): 전도 손실을 줄여 높은 효율성을 제공합니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 애플리케이션에 최적화되어 있습니다. 열 안정성: 낮은 열 저항과 강력한 열 방출 성능을…

Vishay Siliconix SI5855DC-T1-E3 — 고신뢰성 트랜지스터 FET, MOSFET - 효율적인 전력 및 신호 제어를 위한 단일 디바이스 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology의 자회사로, 고성능 MOSFET, 전력 IC, 그리고 이산 반도체 솔루션을 전문으로 하는 브랜드입니다. 전력 효율성, 열 성능, 그리고 장기적인 신뢰성에 강한 집중을 보이는 Vishay Siliconix의 제품들은 자동차, 산업, 소비자, 컴퓨팅 등 다양한 분야에서 널리 사용되고 있습니다. SI5855DC-T1-E3 개요 Vishay Siliconix의 SI5855DC-T1-E3는 고성능 트랜지스터인 FET, MOSFET 단일 디바이스로, 낮은 도통 손실, 빠른 스위칭 성능, 그리고 까다로운 전기적 및 열적 조건에서도 안정적인 작동을 제공합니다. Vishay의 첨단 실리콘 공정을 통해 설계된 이 제품은 효율적인 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 지원하며, 다양한 운영 시나리오에서 탁월한 성능을 발휘합니다. 또한, SI5855DC-T1-E3는 여러 산업 표준 패키지로 제공되어 유연한 PCB 레이아웃을 지원하고, 현대적인 전력 및 신호 제어 설계에 쉽게 통합될 수 있습니다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 도통 손실을 줄여 높은 효율성 제공 빠른…

Vishay Siliconix SI7440DP-T1-E3 — 고신뢰성 트랜지스터, FETs, MOSFETs 단일 패밀리로 효율적 전력 및 신호 제어 개요 및 특징 Vishay Siliconix의 SI7440DP-T1-E3은 고성능 단일 MOSFET으로, 낮은 컨덕션 손실과 빠른 스위칭 특성, 열 조건에 대한 안정성을 바탕으로 까다로운 전기적/열적 환경에서도 안정적으로 작동하도록 설계되었습니다. 이 소자는 Vishay의 최신 실리콘 공정을 사용해 개발되었으며, 전력 변환 효율을 높이고 정교한 전력 제어를 가능하게 합니다. 다양한 산업 표준 패키지로 제공되므로, 현대의 전력/신호 제어 설계에서 PCB 레이아웃의 유연성을 크게 높이고 손쉬운 통합을 돕습니다. 주요 특징으로는 낮은 RDS(on)으로 전도 손실을 줄이고, 고주파 응용에 최적화된 빠른 스위칭 성능, 낮은 열 저항과 견고한 열 방출로 인한 열 안정성, 넓은 작동 전압 및 온도 범위가 포함됩니다. TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 다양한 표준 패키지로 제공되어 설계 유연성을 극대화합니다. 또한 JEDEC 규격 준수, 자동차 등급 모델인 AEC-Q101, RoHS, REACH 등의 품질 및 규정 준수를 충족합니다. 이러한 조합은 전력…

Vishay Siliconix SI5410DU-T1-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터 FET, MOSFET 단일형 효율적인 전력 및 신호 제어용 Vishay Siliconix는 전 세계적으로 잘 알려진 반도체 브랜드로, Vishay Intertechnology의 자회사로 고성능 MOSFET, 전력 IC, 그리고 분리형 반도체 솔루션을 전문으로 합니다. 전력 효율성, 열 성능, 그리고 장기적인 신뢰성에 강점을 가진 Vishay Siliconix의 제품은 자동차, 산업, 소비자, 컴퓨팅 등 다양한 분야에서 널리 사용되고 있습니다. Vishay Siliconix SI5410DU-T1-GE3 개요 Vishay Siliconix SI5410DU-T1-GE3는 고성능 트랜지스터 FET, MOSFET 단일형으로 설계되어 전도 손실을 최소화하고 빠른 스위칭 성능을 제공하며, 전기적 및 열적 조건이 까다로운 환경에서도 안정적인 동작을 보장합니다. 이 제품은 Vishay의 고급 실리콘 공정을 통해 제작되어 효율적인 전력 변환 및 정밀한 전력 제어가 가능하며, 다양한 동작 시나리오에 걸쳐 안정적인 성능을 발휘합니다. 이 MOSFET는 여러 산업 표준 패키지로 제공되어, PCB 레이아웃에서 유연성을 제공하며, 최신 전력 및 신호 제어 설계에 쉽게 통합될 수 있습니다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 전도…

Vishay Siliconix SI4336DY-T1-E3는 고성능 트랜지스터-전력 MOSFET 계열의 핵심 구성요소로, 단일 소자에서도 높은 효율과 안정적인 신호 제어를 제공합니다. Vishay Siliconix는 전력 효율성, 열 성능, 장기 신뢰성에 중점을 둔 파워 MOSFET과 이산 반도체 솔루션 분야에서 오랜 역사를 가진 브랜드로, 자동차, 산업, 소비자 가전, 컴퓨팅 분야에서 광범위하게 채택되고 있습니다. SI4336DY-T1-E3는 이러한 기술적 강점을 기반으로, 저전도 손실과 빠른 스위칭 특성을 필요로 하는 다양한 구동 및 전력 변환 애플리케이션에서 신뢰성을 보장합니다. 자체 실리콘 공정 기반의 설계로, 까다로운 전기적/열적 조건에서도 안정적으로 동작하도록 최적화되어 있습니다. 또한 TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 제공되어 현대 파워 및 신호 제어 설계에 쉽게 적용할 수 있습니다. 주요 특징과 성능 저 RDS(on)로 도통 손실 최소화: 전력 효율을 높이고 방열 요구를 완화합니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 애플리케이션에서도 안정적인 작동을 지원합니다. 열 안정성: 낮은 열저항과 우수한 방열 특성으로 고부하에서도 신뢰성 있는 동작을 유지합니다. 넓은 작동 범위: 다양한…

Vishay Siliconix IRF530L — 고신뢰성 트랜지스터(FETs, MOSFETs) - 효율적인 전력 및 신호 제어를 위한 단일 소자 Vishay Siliconix는 전력 효율성, 열 성능, 그리고 장기적인 신뢰성을 중심으로 한 고성능 반도체 솔루션을 제공하는 글로벌 브랜드로, Vishay Intertechnology의 자회사입니다. 이 회사는 자동차, 산업, 소비자 전자기기, 컴퓨터 애플리케이션에서 널리 채택되는 MOSFET, 전력 IC, 그리고 분리형 반도체 솔루션을 제공합니다. Vishay Siliconix의 IRF530L은 고성능 트랜지스터인 FET(MOSFET)로, 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 성능, 그리고 열적 안정성을 제공하며, 까다로운 전기적 및 열적 조건에서도 안정적인 동작을 보장합니다. Vishay의 고급 실리콘 공정을 통해 설계된 IRF530L은 다양한 운영 시나리오에서 효율적인 전력 변환 및 정밀한 전력 제어를 지원합니다. 주요 특징 낮은 RDS(on) IRF530L은 낮은 RDS(on) 값을 제공하여 전도 손실을 최소화하고, 높은 효율성을 유지합니다. 이는 전력 시스템에서 중요한 성능 요소로, 에너지 소비를 줄이고 발열을 최소화합니다. 빠른 스위칭 성능 이 MOSFET은 고주파 응용

Vishay Siliconix SI1303DL-T1-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일형 전력 및 신호 제어용 효율적인 솔루션 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology의 하위 브랜드로, 고성능 MOSFET, 전력 IC 및 이산 반도체 솔루션을 전문으로 합니다. 전력 효율성, 열 성능 및 장기적인 신뢰성에 중점을 두고 있는 Vishay Siliconix의 제품은 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 응용 프로그램에서 널리 채택되고 있습니다. Vishay Siliconix SI1303DL-T1-GE3는 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 성능 및 열적 요구가 까다로운 환경에서도 안정적인 작동을 제공하도록 설계된 고성능 트랜지스터입니다. 이 제품은 Vishay의 고급 실리콘 공정을 통해 제작되어 효율적인 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 지원합니다. 주요 특징 낮은 RDS(on) 이 트랜지스터는 낮은 온 상태 저항(RDS(on))을 제공하여 전도 손실을 줄이고, 에너지 효율성을 높입니다. 이는 시스템의 전반적인 성능을 향상시키는 중요한 요소입니다. 빠른 스위칭 성능 SI1303DL-T1-GE3는 고주파 응용 프로그램에 최적화되어 빠른 스위칭 성능을 제공합니다. 이를 통해 전력 변환의 효율성을 극대화하고, 다양한 시스템에서…

Vishay Siliconix SI4850EY-T1 — 고신뢰성 FET로 효율과 신호 제어의 새로운 표준 주요 특징 Vishay Siliconix의 SI4850EY-T1은 단일 고성능 트랜지스터-전력 MOSFET으로 설계되어 낮은 RDS(on)과 빠른 스위칭 특성을 제공한다. 이로 인해 conduction 손실이 줄어 전력 변환 효율이 향상되고 열 관리가 수월해진다. 또한 폭넓은 동작 온도와 전압 범위를 지원해 까다로운 전기적 및 열적 조건에서도 안정적으로 작동한다. 이 소자는 다양한 산업 표준 패키지로 제공되어 PCB 레이아웃의 유연성을 높이며, TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 일반적인 패키지로 손쉽게 설계에 통합할 수 있다. 품질 및 규정 준수 측면에서도 JEDEC, AEC-Q101(자동차 등급 모델), RoHS, REACH를 충족한다는 점이 강조된다. 이러한 설계는 고효율 전력 변환과 정밀한 신호 제어를 필요로 하는 현대의 전력 모듈과 시스템에 적합하다. 적용 분야 및 설계 이점 SI4850EY-T1은 전력 관리 분야에서 DC-DC 컨버터, 로드 스위치, 파워 모듈 등에 이상적이다. 자동차 전자 분야에서는 차체 전자 장치, 인포테인먼트 시스템, 조명 및 EV 하위 시스템에서…

Vishay Siliconix SI5433BDC-T1-GE3 – 효율적인 전력 및 신호 제어를 위한 고신뢰성 트랜지스터 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology의 자회사로, 고성능 MOSFET, 전력 IC 및 이산 반도체 솔루션을 전문으로 하는 잘 알려진 반도체 브랜드입니다. 전력 효율성, 열 성능 및 장기적인 신뢰성에 중점을 두어, 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨터 응용 분야에서 널리 사용되고 있습니다. 그 중에서도 SI5433BDC-T1-GE3는 우수한 전력 관리 성능과 신뢰성을 제공하는 고성능 MOSFET 제품으로 주목받고 있습니다. SI5433BDC-T1-GE3의 주요 특징 낮은 RDS(on) SI5433BDC-T1-GE3는 낮은 RDS(on) 값을 자랑하며, 이는 전도 손실을 줄이고 전력 효율성을 크게 향상시킵니다. 전력 손실을 최소화하는 동시에 높은 효율성을 유지할 수 있어 다양한 응용 분야에서 최적의 성능을 발휘합니다. 빠른 스위칭 성능 이 MOSFET는 고주파 응용을 위해 최적화된 빠른 스위칭 성능을 제공합니다. 이는 고속 전력 변환 및 신호 제어가 중요한 시스템에서 매우 중요한 요소입니다. 특히, 효율적인 전력 관리와 신호 제어가 필요한 최신 전자 기기 및 전력 모듈에…