Vishay Siliconix SIHF12N60E-E3 — 고신뢰성 트랜지스터/ MOSFET 단일 소자, 효율적 전력 및 신호 제어를 위한 솔루션 주요 특징 및 기술 사양 Vishay Siliconix가 선보이는 SIHF12N60E-E3는 고성능 트랜지스터-FET(MOSFET)으로, 단일 소자에서 낮은 전도 손실과 빠른 스위칭 특성을 동시에 제공합니다. 저 RDS(on) 설계로 전도 손실이 감소해 시스템 효율이 향상되며, 고주파 환경에서도 우수한 스위칭 성능을 발휘합니다. 열 관리에 강한 구조로 열 저항이 낮고 방열 성능이 뛰어나, 고부하 상태에서도 안정적인 동작이 가능합니다. 넓은 동작 전압 및 온도 범위를 지원해 다양한 전력 변환 및 제어 시나리오에 적용이 쉽습니다. 패키지 측면에서도 TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 제공되어 PCB 레이아웃의 유연성이 큽니다. 품질과 규정 준수 측면에서도 JEDEC, AEC-Q101(자동차용 모델 포함), RoHS, REACH 등의 국제 표준을 충족합니다. 적용 사례 및 설계 이점 SIHF12N60E-E3의 설계 이점은 전력 관리부터 자동차, 산업, 소비자 가전까지 광범위한 영역에서 빛을 발합니다. DC-DC 컨버터나 로드 스위치 같은 전력 관리…
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Vishay Siliconix
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개요 Vishay Siliconix SQS415ENW-T1_GE3는 단일형 Transistors - FETs, MOSFETs로 설계된 고성능 소자입니다. 저항 손실(RDS(on))을 최소화하고 빠른 스위칭 특성을 제공하여 전력 변환 효율과 신호 제어의 정확성을 동시에 달성합니다. 열 특성 또한 우수하여 높은 온도에서도 안정적으로 작동하며, Vishay의 첨단 실리콘 공정을 바탕으로 다양한 작동 시나리오에서 신뢰성 있는 전력 관리와 제어를 가능하게 합니다. 이 부품은 TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 다양한 업계 표준 패키지로 제공되어 현대의 PCB 설계에 융통성 있는 레이아웃 구성이 가능합니다. 또한 JEDEC, AEC-Q101(자동차급 모델), RoHS, REACH 등 국제 표준과 규정을 충족해 자동차에서부터 산업, 소비자 전자제품에 이르는 광범위한 애플리케이션에 적합합니다. ICHOME은 Vishay Siliconix의 100% 정품 소자를 공급하며, 인증된 소싱, 경쟁력 있는 가격, 기술지원, 글로벌 리드타임 단축 등으로 장기 생산 안정성과 리드타임 리스크 감소를 돕습니다. 주요 특징과 적용 분야 특징 요약 저 RDS(on): 전도 손실을 낮춰 시스템의 전반적 효율 향상 빠른 스위칭 성능: 고주파 애플리케이션에 최적화된 전환…
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Vishay Siliconix SI2356DS-T1-GE3 — 고신뢰성 FET, MOSFET 단일 소자 주요 특징 Vishay Siliconix가 설계한 SI2356DS-T1-GE3은 고성능 트랜지스터-FET/MOSFET 단일 소자로, 저전도 손실과 빠른 스위칭 특성을 통해 전력 변환과 신호 제어의 효율을 극대화합니다. 이 소자는 낮은 RDS(on)으로 전도 손실을 최소화하고, 고주파 환경에서도 안정적인 동작을 유지하도록 최적화된 빠른 스위칭 특성을 제공합니다. 열 저항이 낮고 열 방산이 우수한 구조로 다양한 전기적, 열적 조건에서도 열 안정성을 확보합니다. 넓은 작동 범위를 지원해 고전압 및 고온에서도 일관된 성능을 발휘합니다. 패키지 측면에서도 TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지를 포함한 다양한 옵션이 있어 설계 레이아웃의 유연성을 제공합니다. 품질과 규정 준수 측면에서도 JEDEC, AEC-Q101(자동차 등급 모델), RoHS, REACH를 충족해 안정적인 생산과 신뢰성 있는 부품 공급을 보장합니다. 적용 분야 SI2356DS-T1-GE3는 폭넓은 산업과 시장에서 활용됩니다. 파워 매니지먼트 영역의 DC-DC 컨버터, 로드 스위치, 파워 모듈 구성에 적합합니다. 자동차 전자 분야에서는 바디 일렉트로닉스, 인포테인먼트, 조명 시스템, EV 서브시스템…
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Vishay Siliconix SUM110P04-04L-E3는 고신뢰성 트랜지스터- FET, MOSFET로서 단일 소자에서 낮은 컨덕션 손실과 빠른 스위칭 특성, 열 관리의 안정성을 동시에 구현하도록 설계된 부품입니다. Vishay Siliconix는 파워 MOSFET, 파워 IC 및 이산 반도체 솔루션에 집중하는 브랜드로서, 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 분야에서의 전력 효율성과 열 특성, 장기 신뢰성에 강점을 지니고 있습니다. SUM110P04-04L-E3는 이러한 기술력의 집약체로서, 다양한 작동 조건에서 효율적인 전력 변환과 신호 제어를 가능하게 합니다. 핵심 특징과 성능 Low RDS(on): 낮은 드레인-소스 저항으로 컨덕션 손실을 줄여 시스템 효율을 높입니다. Fast Switching Performance: 고주파 애플리케이션에서 필요한 빠른 스위칭으로 전력 변환 효율과 응답 속도를 개선합니다. Thermal Stability: 낮은 열 저항과 견고한 방열 성능으로 고부하 환경에서도 안정적인 동작을 제공합니다. Wide Operating Range: 넓은 전압 및 온도 범위를 지원해 다양한 설계 조건에 대응합니다. Package Flexibility: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지 옵션으로 설계 유연성을 높이고 PCB 레이아웃의 간편화를 가능하게 합니다.…
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Vishay Siliconix SI2300DS-T1-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - 효율적인 전력 및 신호 제어를 위한 단일 소자 Vishay Siliconix는 고성능 MOSFET, 전력 IC, 그리고 이산 반도체 솔루션을 전문으로 하는 잘 알려진 반도체 브랜드로, Vishay Intertechnology의 일부로 활동하고 있습니다. 이 회사는 전력 효율성, 열 성능 및 장기 신뢰성에 중점을 두어, 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨터 응용 분야에서 널리 사용되고 있습니다. Vishay Siliconix의 제품들은 다양한 애플리케이션에서 뛰어난 성능을 발휘하며, SI2300DS-T1-GE3는 이러한 브랜드의 명성을 이어가는 고성능 트랜지스터입니다. SI2300DS-T1-GE3의 주요 특징 Vishay Siliconix SI2300DS-T1-GE3는 뛰어난 전도 손실 감소, 빠른 스위칭 성능, 그리고 까다로운 전기 및 열 조건에서도 안정적인 작동을 제공하는 고성능 트랜지스터입니다. 이 소자는 Vishay의 고급 실리콘 공정을 기반으로 설계되어 효율적인 전력 변환 및 정밀한 전력 제어를 지원합니다. 주요 특징은 다음과 같습니다: 저 RDS(on): 전도 손실을 최소화하여 높은 효율성 달성 빠른 스위칭 성능: 고주파 애플리케이션에 최적화 열 안정성:…
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Vishay Siliconix SUP60020E-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터/ MOSFET 단일 칩의 효율과 제어 역량 Vishay Siliconix는 고성능 MOSFET, 파워 IC 및 디스크리트 솔루션 분야에서 오랜 역사를 가진 브랜드로, 파워 효율성, 열 성능 및 장기 신뢰성에 집중합니다. SUP60020E-GE3는 단일 FET로 설계되어 낮은 RDS(on)으로 컨덕션 로스를 줄이고 빠른 스위칭 특성으로 고주파 응용에서도 안정적인 동작을 제공합니다. 이 부품은 Vishay의 정교한 실리콘 공정을 통해 전력 변환의 효율을 극대화하고, 다양한 작동 조건에서 정밀한 파워 제어를 가능하게 합니다. 또한 여러 산업 표준 패키지로 제공되어 현대의 파워 및 신호 제어 설계에 유연하게 적용할 수 있습니다. 주요 특징 및 성능 Low RDS(on): 컨덕션 로스를 최소화해 시스템 효율을 높임. Fast Switching Performance: 고주파 응용에서의 스위칭 속도 최적화로 손실 감소 및 응답성 향상. Thermal Stability: 낮은 열 저항과 우수한 방열 특성으로 고부하에서도 안정적 운전 유지. Wide Operating Range: 전압 및 온도 범위를 확장해 다양한 환경에서 신뢰성 있는…
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Vishay Siliconix SIHG30N60E-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터(FET/MOSFET) 단일 소자, 효율적 전력 및 신호 제어를 위한 선택 개요와 특징 Vishay Siliconix가 제공하는 SIHG30N60E-GE3은 고성능의 단일 트랜지스터로, 전력 변환 및 신호 제어에 필요한 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 특성, 그리고 열적 안정성을 한꺼번에 제공합니다. 이 소자는 고전압 환경에서 안정적인 동작을 목표로 설계되었으며, 고주파 응용에서도 신뢰성 있는 스위칭 성능을 발휘합니다. 제조사는 고급 실리콘 공정을 적용해 엔드-투-엔드 전력 효율을 높이고, 다양한 PCB 레이아웃에 쉽게 통합될 수 있도록 했습니다. 주요 특징은 다음과 같습니다. 저 RDS(on)으로 전도 손실 감소 빠른 스위칭 성능으로 고주파 응용에 최적화 열적 안정성: 낮은 열저항과 우수한 방열 성능 넓은 작동 범위: 전압 및 온도 조건에서의 폭넓은 운용 가능성 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 제공되어 설계 유연성 강화 품질 및 규격 준수: JEDEC, AEC-Q101( automotive-grade 모델), RoHS, REACH 준수 적용 시나리오 및 설계 이점 SIHG30N60E-GE3는…
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Vishay Siliconix SIHLR120-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터: 효율적인 전력 및 신호 제어를 위한 FET 및 MOSFET 단일 장치 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology의 자회사로, 고성능 MOSFET, 전력 IC, 및 이산 반도체 솔루션을 전문적으로 개발하는 글로벌 브랜드입니다. 이 브랜드는 전력 효율성, 열 성능 및 장기적인 신뢰성에 중점을 둔 제품으로 널리 알려져 있으며, 자동차, 산업, 소비자, 컴퓨팅 분야에서 폭넓게 채택되고 있습니다. Vishay Siliconix SIHLR120-GE3 특징 Vishay Siliconix SIHLR120-GE3는 효율적인 전력 변환 및 정확한 전력 제어를 지원하는 고성능 트랜지스터(FET), MOSFET 단일 장치입니다. 이 장치는 Vishay의 첨단 실리콘 공정을 통해 설계되어 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 동작 및 까다로운 전기적 및 열적 조건에서도 안정적인 동작을 제공합니다. SIHLR120-GE3는 높은 주파수 응용에 최적화된 빠른 스위칭 성능과 낮은 RDS(on) 값으로 전도 손실을 최소화하여 높은 효율성을 자랑합니다. 또한, 이 장치는 낮은 열 저항과 우수한 열 방출 성능을 통해 안정적인 열 관리가 가능하며, 다양한 산업 표준…
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Vishay Siliconix SQJ418EP-T1_BE3 — 고신뢰성 트랜지스터(FET, MOSFET) 단일형으로 효율적 전력 및 신호 제어 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology 산하의 안정적이고 성능 지향적인 반도체 브랜드로, 고성능 MOSFET, 파워 IC, 디스크리트 솔루션에 주력합니다. 전력 효율성, 열 성능, 장기 신뢰성에 집중하는 이들의 제품은 자동차, 산업, 소비자, 컴퓨팅 분야에서 널리 채택되고 있습니다. SQJ418EP-T1_BE3는 이러한 철학을 반영하여, 낮은 전도 손실과 빠른 스위칭 특성, 열 환경에서도 안정적으로 동작하는 고성능 트랜지스터로 설계되었습니다. 이 기기는 Vishay의 첨단 실리콘 공정을 적용해 폭넓은 작동 조건에서 전력 변환과 정밀 제어를 가능하게 합니다. 또한 다수의 산업 표준 패키지로 제공되어 현대적인 전력 및 신호 제어 설계에 유연한 배치를 제공합니다. 주요 특징 Low RDS(on): 전도 손실을 줄여 더 높은 시스템 효율 달성 Fast Switching Performance: 고주파 응용에 최적화된 스위칭 속도 Thermal Stability: 낮은 열저항과 견고한 방열 성능으로 고온에서도 안정 Wide Operating Range: 전압 및 온도 범위 확장에 대응 Package Flexibility:…
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Vishay Siliconix SISA10BDN-T1-GE3 — 고신뢰성 MOSFET으로 효율적 전력 및 신호 제어 Vishay Siliconix는 파워 MOSFET, 파워 IC 및 디스크리트 반도체 솔루션에서 세계적으로 인정받는 브랜드로, 전력 효율성, 열 성능, 장기 신뢰성에 집중합니다. SISA10BDN-T1-GE3은 이러한 기술력을 바탕으로 설계된 고성능 단일 트랜지스터- FET, MOSFET으로, 저전도 손실, 빠른 스위칭 특성, 까다로운 전기/열 조건에서도 안정적인 동작을 제공합니다. 첨단 실리콘 공정을 활용해 전력 변환의 효율성을 높이고, 폭넓은 작동 시나리오에서 정밀한 전력 제어를 가능하게 합니다. 다양한 산업 표준 패키지로 제공되어 현대 파워 및 신호 제어 설계의 PCB 레이아웃이 한층 유연해집니다. 개요 및 주요 특징 저 RDS(on): 도통 손실을 줄여 시스템 효율성 향상 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에서의 응답 속도 개선 열 안정성: 낮은 열 저항과 우수한 방열 특성 넓은 작동 범위: 전압 및 온도 조건의 확장된 범위를 지원 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 제공되어 설계 호환성 향상 품질…
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