Vishay Siliconix SQJ443EP-T1_GE3 — 고신뢰성 트랜지스터(FET, MOSFET) 단일 소자 for 효율적 전력 및 신호 제어 주요 특징 Vishay Siliconix가 설계한 SQJ443EP-T1_GE3은 고성능 트랜지스터-전력용 MOSFET으로, 낮은 순저항(RDS(on))으로 도전 손실을 줄이고, 빠른 스위칭 동작으로 고주파 응용에서의 효율을 극대화합니다. 이 소자는 까다로운 전기적·열적 조건에서도 안정적인 동작을 제공하도록 설계되었으며, Vishay의 첨단 실리콘 공정 기술을 바탕으로 광범위한 작동 조건에서 효율적 전력 변환과 정밀한 파워 컨트롤을 지원합니다. 또한 다양한 산업 표준 패키지로 제공되어 PCB 레이아웃의 융통성과 설계 유연성을 확보합니다. 주요 특징으로는 저 RDS(on), 고속 스위칭 성능, 높은 열 안정성, 넓은 작동 범위, TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 다양한 패키지 옵션, 그리고 JEDEC, AEC-Q101(자동차 등급 모델), RoHS 및 REACH 규정 준수를 들 수 있습니다. 이 모든 요소가 결합되어 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 응용 분야의 파워 앤드 신호 제어 설계에 이상적입니다. 적용 사례 SQJ443EP-T1_GE3은 전력 관리 분야에서 DC-DC 컨버터, 로드 스위치, 파워…
더 읽어보기 →
Vishay Siliconix
해당 카테고리에 997개의 글이 있습니다.
Vishay Siliconix SI3443BDV-T1-BE3 — 고신뢰성 트랜지스터(FET/MOSFET) 단일 소자, 효율적 전력 및 신호 제어를 위한 선택 Vishay Siliconix는 고성능 MOSFET, 파워 IC, 디스크리트 솔루션 분야에서 오랜 역사를 가진 반도체 브랜드로, 전력 효율, 열 성능, 장기 신뢰성에 중점을 두고 있습니다. SI3443BDV-T1-BE3는 이러한 강점을 바탕으로 낮은 RDS(on)과 빠른 스위칭 특성을 제공해 다양한 전력 변환 및 신호 제어 시나리오에서 안정적인 성능을 구현합니다. 고급 실리콘 공정을 활용해 설계된 이 부품은 범용 및 고주파 응용에서 효율적으로 전력을 관리하고, 열나 합리적으로 분산시키며, 엄격한 작동 조건에서도 일관된 동작을 유지합니다. 다양한 산업 표준 패키지로 제공되어 PCB 설계의 유연성과 구현 편의성을 크게 높여 줍니다. 주요 특징 Low RDS(on): 도통 손실을 최소화해 시스템 효율을 높여 줍니다. Fast Switching Performance: 고주파 응용에서 스위칭 손실을 줄이고 반응 속도를 향상시킵니다. Thermal Stability: 낮은 열 저항과 강력한 방열 특성으로 고온 환경에서도 안정적 작동을 유지합니다. Wide Operating Range: 폭넓은 전압 및…
더 읽어보기 →
IRLR120TRLPBF: 고신뢰성 MOSFET로서의 핵심 가치 Vishay Siliconix는 고성능 MOSFET, 파워 IC 및 디스크리트 솔루션으로 잘 알려진 전자 부품 브랜드입니다. 이 가운데 IRLR120TRLPBF는 단일 소자 MOSFET로 설계되어 낮은 전도 손실(RDS(on))과 빠른 스위칭 특성을 동시에 제공합니다. 칩은 Vishay의 첨단 실리콘 공정을 기반으로 하여 다양한 전력 변환 및 신호 제어 요구에 맞춰 효율적 전력 관리와 안정적인 동작을 구현합니다. 열 특성 역시 주목할 만한 강점으로, 낮은 열 저항과 견고한 방열 설계가 결합되어 고부하 조건에서도 성능 저하를 최소화합니다. PCB 설계의 유연성을 높이는 다양한 패키지 옵션(TO, DPAK, PowerPAK, SO 등)을 제공해 생산 라인과 레이아웃에 맞춘 최적의 구성 선택이 가능합니다. 또한 JEDEC 표준 및 AEC-Q101(자동차용 모델), RoHS, REACH와 같은 품질 및 규정 준수를 충실히 준수합니다. 주요 특징 요약 저 RDS(on)로 전도 손실 감소 및 효율 향상 고주파 애플리케이션에 적합한 빠른 스위칭 성능 열 저항이 낮고 방열이 강한 열적 안정성 넓은 작동 전압…
더 읽어보기 →
Vishay Siliconix SUG80050E-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터 - FET, MOSFET 단일 소자로 효율적인 전력 및 신호 제어 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology 산하의 반도체 전문 브랜드로, 고성능 MOSFET, 전력 IC, 그리고 이산 반도체 솔루션을 제공합니다. 전력 효율성, 열 성능, 그리고 장기적인 신뢰성에 중점을 두고 있는 Vishay Siliconix의 제품들은 자동차, 산업, 소비자, 그리고 컴퓨팅 애플리케이션에서 널리 사용되고 있습니다. Vishay Siliconix의 SUG80050E-GE3는 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 동작, 그리고 열적·전기적 환경에서도 안정적인 동작을 제공하는 고성능 트랜지스터 FET/MOSFET 단일 소자입니다. 이 제품은 Vishay의 고급 실리콘 공정을 통해 설계되어, 효율적인 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 지원하며, 다양한 동작 조건에서 안정적인 성능을 발휘합니다. 주요 특징 낮은 RDS(on) 이 소자는 낮은 전도 저항(RDS(on))을 제공하여 전도 손실을 최소화하고, 높은 전력 효율성을 유지할 수 있습니다. 이를 통해 시스템의 에너지 소비를 절감하고, 더 효율적인 설계를 가능하게 합니다. 빠른 스위칭 성능 고주파 애플리케이션에 최적화된 빠른 스위칭 성능을…
더 읽어보기 →
Vishay Siliconix IRL520LPBF — 고신뢰성 트랜지스터(FET, MOSFET) 싱글로 효율적 전력 및 신호 제어 실현 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology 계열의 파워 소자 전문 브랜드로, 고성능 MOSFET, 파워 IC 및 디스크리트 솔루션을 다룹니다. 전력 효율성, 열 성능, 장기 신뢰성에 집중하는 이들의 기술은 자동차, 산업, 가전 및 컴퓨팅 분야에서 널리 채택되고 있습니다. IRL520LPBF는 이러한 강점을 바탕으로 로직 레벨 구동에 최적화된 싱글 MOSFET로 설계되어, 낮은 컨덕션 손실과 빠른 스위칭 특성을 필요로 하는 다양한 전력 변환 및 제어 설계에 적합합니다. 이 부품은 Vishay의 첨단 실리콘 공정으로 제조되었으며, 폭넓은 작동 조건에서 효율적인 전력 변환과 정밀한 제어를 지원합니다. 주요 특징 저 RDS(on)로 인한 컨덕션 손실 감소: 같은 소자에서 더 낮은 온저항을 제공해 시스템 효율을 높이고 발열을 줄입니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에서의 스위칭 손실을 최소화하고 고속 제어를 가능하게 합니다. 열 안정성: 낮은 열저항과 우수한 방열 특성으로 고하중 또는 고온 환경에서도 안정적으로 동작합니다.…
더 읽어보기 →
Vishay Siliconix SI4413DDY-T1-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터(FET/MOSFET) 단일 소자, 효율적 전력 및 신호 제어를 위한 설계 Vishay Siliconix는 고성능 MOSFET, 파워 IC, 디스크리트 솔루션 분야에서 오랜 전통과 신뢰를 가진 브랜드로, 전력 효율성, 열 성능, 장기 신뢰성에 집중합니다. 이러한 강점은 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 애플리케이션에서의 넓은 채택으로 이어지며, SI4413DDY-T1-GE3 역시 이러한 저변에 바탕을 두고 설계되었습니다. 단일 소자로 구성된 이 트랜지스터- FET는 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 특성, 극한 온도와 전압에서도 안정적인 동작을 목표로 구현되었습니다. 주요 특징과 설계 이점 저 RDS(on)으로 전도 손실 감소: 전력 효율성을 높이고 열 관리 부담을 줄여, 소형 모듈에서의 열 슬롯과 방열 설계를 간소화합니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 애플리케이션에 최적화된 게이트 드라이브 특성과 낮은 게이트 충전으로 높은 스위칭 속도를 제공합니다. 열적 안정성: 낮은 열저항과 견고한 발열 관리 특성으로, 고부하 운영에서도 성능 변동을 최소화합니다. 넓은 작동 범위: 확장된 전압 및 온도 범위를 지원하여 자동차…
더 읽어보기 →
Vishay Siliconix SQJ474EP-T2_GE3 — 고신뢰성 트랜지스터 FETs, MOSFETs - 효율적인 전력 및 신호 제어를 위한 단일 장치 Vishay Siliconix는 전력 효율성, 열 성능 및 장기적인 신뢰성에 중점을 두고 고성능 MOSFET, 전력 IC 및 이산 반도체 솔루션을 제공하는 Vishay Intertechnology의 대표적인 반도체 브랜드입니다. 이 브랜드는 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 분야에서 널리 사용되며, 각종 응용 분야에서 뛰어난 성능을 자랑합니다. Vishay Siliconix SQJ474EP-T2_GE3는 저 전도 손실, 빠른 스위칭 성능 및 열적 조건과 전기적 조건에서 안정적인 동작을 제공하는 고성능 트랜지스터 FETs, MOSFETs - 단일 장치입니다. 이 장치는 Vishay의 첨단 실리콘 공정을 통해 설계되었으며, 다양한 작동 조건에서 효율적인 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 지원합니다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 전도 손실을 줄여 높은 효율성 제공 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용 프로그램에 최적화 열적 안정성: 낮은 열 저항과 강력한 열 방출 능력 넓은 작동 범위: 확장된 전압 및 온도 범위 지원…
더 읽어보기 →
IRFR224PBF: 고신뢰성 MOSFET로 효율적 전력 제어를 구현하는 방법 핵심 특징과 설계 이점 Vishay Siliconix IRFR224PBF는 단일 트랜지스터-FET로서 낮은 컨덕션 손실과 빠른 스위칭 특성을 결합한 고성능 소자로 설계되었습니다. 저 RDS(on) 특성은 구동 회로에서의 전력 손실을 줄이고 열 관리 요구를 감소시켜 시스템의 전반적인 효율을 높입니다. 빠른 스위칭 성능은 고주파 애플리케이션에서 스위칭 손실을 최소화하고 전력 변환 회로의 응답 속도를 향상시킵니다. 또한 열 저항이 낮고 열 분산이 뛰어나 열 안정성을 확보해 무자극 운전 조건이나 고온 환경에서도 안정적인 동작을 유지합니다. 광범위한 작동 전압과 온도 범위를 지원하므로 자동차 전장, 산업 제어, 컴퓨팅 인프라 등 다양한 환경에서 일관된 성능을 기대할 수 있습니다. 이 부품은 다양한 산업 표준 패키지로 제공되어 PCB 레이아웃 설계의 유연성을 높이며, TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지 옵션으로 현대의 전력-신호 제어 설계에 쉽게 통합됩니다. 품질과 규정 준수 측면에서도 JEDEC, AEC-Q101(자동차 등급 모델), RoHS 및 REACH를 충족해 안전성과 신뢰성을…
더 읽어보기 →
Vishay Siliconix의 SI4425BDY-T1-E3는 고성능 트랜지스터(FET, MOSFET)로서 단일 소자로 전력 및 신호 제어의 효율성을 극대화하도록 설계되었습니다. 이 부품은 전력 변환에서의 손실 최소화와 안정적 동작을 추구하는 엔지니어들에게 매력적인 선택지입니다. Vishay Siliconix는 파워 전자 분야에서 오랜 신뢰성을 쌓아온 브랜드로, 자동차, 산업, 소비자, 컴퓨팅 분야에 폭넓게 적용됩니다. SI4425BDY-T1-E3는 이러한 강점을 바탕으로 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 특성, 까다로운 열 조건에서도 견고한 성능을 제공합니다. 주요 특징 및 설계 이점 Low RDS(on): 전도 손실을 줄여 시스템 효율을 높이고, 열 관리 부담을 완화합니다. Fast Switching Performance: 고주파 응용에서 신호 왜곡을 줄이고 전력 변환기의 반응 속도를 개선합니다. Thermal Stability: 낮은 열저항과 우수한 방열 특성으로 연속 운용 시에도 안정적인 동작을 유지합니다. Wide Operating Range: 넓은 전압 및 온도 범위를 지원해 다양한 환경에서 설계 유연성을 제공합니다. Package Flexibility: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 제공되어 PCB 레이아웃과 조립 옵션이 다양합니다. Quality
더 읽어보기 →
Vishay Siliconix IRFB9N65APBF-BE3 — 고신뢰성 트랜지스터, FET, MOSFET – 효율적인 전력 및 신호 제어를 위한 단일 소자 Vishay Siliconix는 고성능 MOSFET, 전력 IC 및 이산 반도체 솔루션을 전문으로 하는 Vishay Intertechnology의 대표적인 반도체 브랜드입니다. 이 회사는 전력 효율성, 열 성능 및 장기적인 신뢰성에 중점을 둔 제품을 개발하며, 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 애플리케이션에서 널리 채택되고 있습니다. Vishay Siliconix의 IRFB9N65APBF-BE3는 전력 및 신호 제어 시스템에서 효율적인 전력 변환과 정밀한 제어를 가능하게 하는 고성능 트랜지스터입니다. 이 MOSFET는 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 성능, 안정적인 작동을 제공하며, 고전압 및 고온 환경에서도 우수한 성능을 발휘합니다. Vishay의 첨단 실리콘 공정을 통해 설계된 이 소자는 전력 변환 효율을 높이고 다양한 작동 환경에서 안정적인 동작을 보장합니다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 전도 손실을 줄여 더 높은 효율성을 제공합니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 애플리케이션에 최적화되어 있습니다. 열 안정성: 낮은 열 저항과 우수한 열 방출…
더 읽어보기 →
