Vishay Siliconix

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SIHU6N80AE-GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SIHU6N80AE-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터: 효율적인 전력 및 신호 제어를 위한 MOSFET Vishay Siliconix는 전력 효율성, 열 성능, 장기적인 신뢰성에 중점을 두고 고성능 MOSFET, 전력 IC, 이산 반도체 솔루션을 제공하는 선도적인 반도체 브랜드입니다. 이 브랜드는 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 애플리케이션에 널리 채택되고 있으며, 안정성과 성능을 보장하는 제품으로 잘 알려져 있습니다. 그 중, Vishay Siliconix SIHU6N80AE-GE3는 저전도 손실, 빠른 스위칭 성능, 안정적인 작동을 제공하는 고성능 트랜지스터로, 다양한 전력 관리 및 신호 제어 설계에서 효율성을 높이는 중요한 역할을 합니다. SIHU6N80AE-GE3의 주요 특징 저 RDS(on) (저 저항) SIHU6N80AE-GE3는 저 RDS(on)을 통해 전도 손실을 최소화하며, 그 결과 시스템의 전력 효율을 극대화할 수 있습니다. 이를 통해 시스템의 에너지 소비를 줄이고, 더 나은 열 성능을 제공합니다. 빠른 스위칭 성능 이 MOSFET는 고주파 애플리케이션에 최적화된 빠른 스위칭 성능을 갖추고 있어, 정밀한 전력 제어가 필요한 시스템에 적합합니다. 고속 스위칭 덕분에, 복잡한…
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SI7450DP-T1-RE3 Vishay Siliconix
개요 및 설계 특징 Vishay Siliconix SI7450DP-T1-RE3는 고신뢰성 FET(전력 MOSFET) 단일 소자 형태로 설계되어 전력 및 신호 제어에서 낮은 전도 손실과 빠른 스위칭 특성, 그리고 열 환경에서도 안정적인 동작을 제공합니다. Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology 산하의 브랜드로, 고성능 MOSFET, 전력 IC 및 디스크리트 반도체 솔루션에서 오랜 경험과 신뢰를 축적해 왔습니다. SI7450DP-T1-RE3는 최신의 반도체 공정으로 제조되어 폭넓은 동작 조건에서 효율적인 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 지원합니다. 다양한 산업 표준 패키지로 제공되어 현대의 전력 도메인 및 신호 제어 설계와의 호환성을 높였습니다. 이 부품은 JEDEC, AEC-Q101(자동차 등급 모델), RoHS 및 REACH와 같은 품질 및 규격 표준을 충족하여 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 애플리케이션에서의 신뢰성을 확보합니다. 또한 ICHOME은 SI7450DP-T1-RE3를 100% 진품으로 공급하며 인증된 소싱, 경쟁력 있는 가격, 부품 선택에 대한 기술 지원, 글로벌 배송 등으로 고객의 리드타임 리스크를 줄이고 장기 생산 안정성을 뒷받침합니다. 패키지 측면에서도 TO, DPAK, PowerPAK, SO 등…
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SQJ144EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SQJ144EP-T1_GE3: 고신뢰성 트랜지스터로 효율적 전력 및 신호 제어를 실현 Vishay Siliconix는 고성능 MOSFET, 파워 IC, 디스크리트 반도체 솔루션 분야의 선두 브랜드로서 전력 효율성, 열 성능, 장기 신뢰성을 핵심 가치로 삼아 왔습니다. 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 애플리케이션 전반에서 폭넓게 채택되며 신뢰 가능한 파워 모듈과 구동 회로의 기반을 제공합니다. SQJ144EP-T1_GE3는 이러한 브랜드 철학을 반영한 고성능 트랜지스터(FET, MOSFET)로, 낮은 구동 손실과 빠른 스위칭 특성, 그리고 열 환경이 까다로운 상황에서도 안정적인 동작을 보장하도록 설계되었습니다. 이 소자는 Vishay의 선진 실리콘 공정을 활용해 효율적인 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 다양한 작동 조건에서 지원합니다. 주요 특징 Low RDS(on)로 구동 손실 감소: 높은 시스템 효율을 달성하는 핵심 요인으로 작동 중 전력 손실을 최소화합니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에서도 안정적인 동작을 가능하게 하여 고속 제어가 필요한 회로의 성능을 향상시킵니다. 열 안정성: 낮은 열저항과 뛰어난 방열 특성으로 고부하 조건에서도 온도 상승을 관리합니다.…
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SIR826DP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SIR826DP-T1-RE3 — 효율적인 전력 및 신호 제어를 위한 고신뢰성 트랜지스터 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology의 하이퍼포먼스 반도체 브랜드로, 고효율 MOSFET, 전력 IC 및 분리형 반도체 솔루션을 전문으로 합니다. 이 회사는 전력 효율성, 열 성능 및 장기적인 신뢰성에 중점을 두고 있으며, 이러한 특성으로 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 분야에서 광범위하게 채택되고 있습니다. Vishay Siliconix SIR826DP-T1-RE3의 특징 Vishay Siliconix SIR826DP-T1-RE3는 고성능 트랜지스터(FETs, MOSFETs)로, 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 성능 및 높은 전기적, 열적 안정성을 제공하도록 설계되었습니다. 이 장치는 Vishay의 첨단 실리콘 공정을 통해 제조되었으며, 효율적인 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 지원합니다. 또한 다양한 작동 환경에서 안정적으로 동작할 수 있습니다. 주요 특징으로는 낮은 RDS(on) 값을 통한 전도 손실 감소, 빠른 스위칭 성능을 통한 고주파 응용에 최적화, 우수한 열 안정성과 낮은 열 저항, 광범위한 작동 범위(전압 및 온도)에 대응하는 능력 등이 있습니다. 또한, TO, DPAK, PowerPAK, SO와 같은…
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SIS184LDN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SIS184LDN-T1-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터(FET, MOSFET) 단일 소자, 효율적 전력 및 신호 제어를 위한 선택 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology 소속의 대표적인 파워 MOSFET 및 디스크리트 솔루션 제조 브랜드로, 전력 효율과 열 성능, 장기 신뢰성에 중점을 둔 제품 라인으로 잘 알려져 있습니다. SIS184LDN-T1-GE3는 이러한 강점을 바탕으로 낮은 컨덕션 손실, 빠른 스위칭 특성, 그리고 까다로운 전기적·열적 조건에서도 안정적인 동작을 제공합니다. 첨단 실리콘 공정을 활용해 설계된 이 소자는 광범위한 작동 시나리오에서 효율적인 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 가능하게 합니다. 또한 다양한 업계 표준 패키지로 제공되어 현대 파워 및 신호 제어 설계에 유연한 PCB 레이아웃과 간편한 통합을 지원합니다. 핵심 특징 및 성능 낮은 RDS(on)로 도통 손실 감소: 고효율 전력용 소자로서 큰 전력 손실을 최소화합니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 애플리케이션에 최적화된 게이트 구동 특성과 전류-전압 스위칭 특성을 제공합니다. 열적 안정성: 낮은 열저항성과 강력한 방열 성능으로 고온에서도 안정적으로 작동합니다. 넓은…
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SQD25N15-52-T4_GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SQD25N15-52-T4_GE3 — 고신뢰성 FET로 효율적 전력 및 신호 제어 Vishay Siliconix는 고성능 MOSFET과 파워 IC, 이산 반도체 솔루션을 전문으로 하는 브랜드로, 전력 효율성, 열 성능, 장기 신뢰성에 집중합니다. SQD25N15-52-T4_GE3는 이러한 강점을 반영한 고성능 트랜지스터(FET)로, 낮은 구동 손실과 빠른 스위칭 특성을 바탕으로 다양한 전력 변환과 제어 애플리케이션에서 안정적으로 작동하도록 설계되었습니다. 이 시리즈는 Vishay의 첨단 실리콘 공정을 통해 제조되어, 광범위한 작동 환경에서 효율적인 전력 관리와 정밀한 제어를 가능하게 합니다. 여러 산업 표준 패키지로 제공되어, 현대 파워 및 신호 제어 설계의 PCB 배치 유연성과 손쉬운 통합을 돕습니다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 도통 손실이 감소해 시스템 효율이 향상됩니다. 고전류에서도 열 관리 부담을 줄이고, 열로 인한 성능 저하를 최소화합니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 애플리케이션에 최적화된 스위칭 속도와 고객 요구에 따른 빠른 응답을 제공합니다. 열 안정성: 낮은 열저항과 우수한 열 방출 능력으로 고부하 조건에서도 안정적인 동작을 유지합니다. 넓은 작동…
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SIR826LDP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SIR826LDP-T1-RE3 — 효율적인 전력 및 신호 제어를 위한 고신뢰성 트랜지스터 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology 산하의 대표적인 반도체 브랜드로, 고성능 MOSFET, 전력 IC, 그리고 다양한 디스크리트 반도체 솔루션을 전문적으로 제공합니다. 특히 전력 효율, 열 성능, 장기 신뢰성에 중점을 둔 설계로 유명하며, 자동차, 산업, 소비자 가전, 컴퓨팅 분야에서 광범위하게 사용됩니다. 이러한 배경 속에서 SIR826LDP-T1-RE3는 뛰어난 성능과 신뢰성을 갖춘 단일 FET MOSFET으로, 전력 변환과 신호 제어를 효율적으로 구현할 수 있는 솔루션입니다. 고성능 설계와 핵심 특성 SIR826LDP-T1-RE3는 Vishay의 첨단 실리콘 공정을 기반으로 설계되어, 낮은 온저항(RDS(on))과 빠른 스위칭 특성을 제공합니다. 이로 인해 전력 손실이 최소화되고, 고주파 환경에서도 안정적인 동작이 가능하며, 열적 안정성이 뛰어나 장시간 운용에도 성능 저하가 적습니다. 또한 TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 다양한 산업 표준 패키지로 제공되어, PCB 설계와 시스템 통합에 유연성을 제공합니다. 주요 특징은 다음과 같습니다. 낮은 RDS(on): 전도 손실 감소로 시스템 효율 향상 빠른…
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SQD90P04_9M4LT4GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SQD90P04_9M4LT4GE3 — 고신뢰성 트랜지스터(FET), MOSFET 단일 소자의 혁신적 선택 Vishay Siliconix은 Vishay Intertechnology의 강력한 자회사로, 고성능 MOSFET, 파워 IC 및 디스크리트 반도체 솔루션에 집중합니다. 파워 효율성, 열 성능, 장기 신뢰성에 대한 확고한 fokus로 자동차, 산업, 가전 및 컴퓨팅 분야에서 널리 채택되고 있습니다. 그 가운데 SQD90P04_9M4LT4GE3는 고성능 트랜지스터- FET 계열의 주력 모델로, 낮은 컨덕션 손실과 빠른 스위칭 특성, 열 조건에서도 안정적으로 동작하도록 설계되었습니다. 이 소자는 Vishay의 첨단 실리콘 공정을 적용하여 폭넓은 작동 시나리오에서 효율적인 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 가능하게 합니다. 다양한 업계 표준 패키지로 제공되어 현대 파워 및 신호 제어 설계에서 PCB 레이아웃과 구현의 유연성을 확보합니다. 주요 특징 저 RDS(on)으로 컨덕션 손실 감소: 고효율 시스템 설계의 핵심으로 작용합니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용 분야에서도 안정적인 동작을 지원합니다. 열 안정성: 낮은 열 저항과 우수한 방열 특성으로 열 관리가 쉽습니다. 넓은 작동 범위: 전압 및…
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SQ3493EV-T1_GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SQ3493EV-T1_GE3 — 고신뢰성 트랜지스터(FET/MOSFET) 싱글로 효율적 전력 및 신호 제어를 실현 특징 및 성능 Vishay Siliconix의 SQ3493EV-T1_GE3는 고성능 MOSFET으로서 낮은 RDS(on)으로 전도 손실을 줄이고, 빠른 스위칭 특성으로 고주파 응용에서도 우수한 효율을 제공합니다. 열적 안정성은 낮은 열저항과 견고한 발열 관리 능력으로 전력 변환 시 신뢰성을 보장합니다. 넓은 작동 전압 및 온도 범위를 지원해 다양한 환경에서 안정적으로 동작합니다. 패키지 선택의 유연성을 갖추고 있어 TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 제공되며, PCB 레이아웃의 설계 유연성을 높입니다. 또한 JEDEC 표준, AEC-Q101(자동차용 모델), RoHS 및 REACH 준수를 통해 품질과 신뢰성을 확보합니다. 이러한 조합은 고효율 전력 관리 시스템, 정밀 신호 제어 회로, 그리고 열 방출이 중요한 모듈 설계에 이상적입니다. 적용 분야 SQ3493EV-T1GE3는 전력 관리의 핵심 구성요소로 널리 채택됩니다. DC-DC 변환기, 로드 스위치, 파워 모듈 등에서 효율을 높이고 손실을 줄이는데 기여합니다. 자동차 전자 분야에서는 차체 전자 시스템, 인포테인먼트, 조명…
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SIA456DJ-T3-GE3 Vishay Siliconix
SIA456DJ-T3-GE3 고신뢰성 FET/MOSFET: 효율적 전력 제어를 위한 싱글 트랜지스터 Vishay Siliconix의 SIA456DJ-T3-GE3는 고성능 트랜지스터(FET/MOSFET) 싱글로 설계되어, 낮은 전도 손실과 빠른 스위칭 특성, 그리고 열적 조건에서도 안정적인 동작을 제공합니다. 전력 효율과 신호 제어의 균형을 중시하는 현대의 전력 변환 및 제어 시스템에서 핵심 부품으로 활용되며, Vishay의 첨단 실리콘 공정을 통해 폭넓은 작동 범위를 지원합니다. 주요 특징 저 RDS(on)로 전도 손실 축소와 높은 효율 달성 빠른 스위칭 성능으로 고주파 애플리케이션에 적합 열 안정성 우수: 낮은 열저항 및 효과적인 방열 넓은 동작 범위: 다양한 전압 및 온도 조건에서 안정적 작동 패키지 선택의 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 설계 편의성 강화 품질 및 규정 준수: JEDEC, AEC-Q101(자동차 등급 모델), RoHS, REACH 충족 적용 분야 전력 관리: DC-DC 컨버터, 로드 스위치, 전력 모듈 자동차 전장: 차체 전자, 인포테인먼트, 조명, 전기차 서브시스템 산업 시스템: 모터 드라이브, 전원 공급장치, 자동화…
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