Vishay Siliconix

Vishay Siliconix IRFR320TRPBF-BE3 — 고신뢰성 트랜지스터(FET, MOSFET) 싱글로 효율적 전력 및 신호 제어 Vishay Siliconix는 파워 MOSFET, 파워 IC, 디스크리트 솔루션에서 오랜 역사를 가진 브랜드로, 전력 효율성, 열 성능, 장기 신뢰성에 중점을 두고 있습니다. 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 분야에서 널리 채택되는 이들 부품은 고급 silicon 공정을 바탕으로 높은 전력 밀도와 안정적인 동작을 제공합니다. IRFR320TRPBF-BE3는 이러한 철학을 반영해 고성능 싱글 MOSFET으로 설계되었으며, 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭, 열적 안전성을 갖춘 상황에서도 신뢰성 있는 제어를 가능하게 합니다. 다양한 산업 표준 패키지로 제공되어 PCB 레이아웃의 유연성과 설계 편의성도 함께 제공합니다. 핵심 특징과 설계 철학 저 RDS(on)로 전도 손실 감소: 실효성 높은 전력 관리와 효율 향상을 가능하게 하며, 열 관리 부담을 줄여 시스템의 전체 효율을 높입니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에서도 안정적인 동작과 낮은 스위칭 손실을 달성합니다. 열 안정성: 낮은 열저항과 우수한 방열 특성으로 고부하 환경에서도 신뢰성 있는…

Vishay Siliconix SQD25N06-22L_GE3 — 고신뢰성 트랜지스터로 효율적인 전력 및 신호 제어 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology의 일환으로 고성능 MOSFET, 전력 IC 및 이산 반도체 솔루션을 전문으로 하는 반도체 브랜드입니다. 전력 효율성, 열 성능 및 장기적인 신뢰성에 중점을 두고 설계된 Vishay Siliconix의 제품은 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 응용 분야에서 널리 사용됩니다. 이 회사는 우수한 전력 관리 솔루션을 제공하여 다양한 전자기기의 성능을 극대화하는 데 기여하고 있습니다. Vishay Siliconix SQD25N06-22L_GE3 특징 Vishay Siliconix SQD25N06-22L_GE3는 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 성능, 그리고 열적 안정성이 뛰어난 트랜지스터(FET), MOSFET으로 설계되었습니다. 고급 실리콘 공정을 통해 제조된 이 디바이스는 전력 변환 효율성과 정밀한 전력 제어를 제공합니다. 또한, 다양한 동작 조건에서도 안정적으로 작동할 수 있어 전자기기에서의 필수적인 부품으로 자리잡고 있습니다. 주요 특성 낮은 RDS(on): 전도 손실을 줄여 효율성을 향상시킵니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에 최적화되어 있습니다. 열적 안정성: 낮은 열 저항과 견고한 열 방출…

Vishay Siliconix SI2325DS-T1-E3 — 고신뢰성 트랜지스터(FET)로 효율적 파워 및 신호 제어 개요 및 주요 특징 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology 산하의 신뢰할 수 있는 반도체 브랜드로, 고성능 MOSFET과 파워 IC, 디스크리트 솔루션에 집중합니다. SI2325DS-T1-E3은 단일 FET로 설계되어 낮은 컨덕션 손실, 빠른 스위칭 속도, 열 환경에서도 안정적인 동작을 제공합니다. 이 칩은 첨단 실리콘 공정 기술을 바탕으로 전력 변환의 효율성을 높이고, 정밀한 전력 제어를 폭넓은 작동 조건에서 구현합니다. 다양한 산업 표준 패키지로 제공되어 PCB 레이아웃의 유연성을 높이고, 현대의 파워 및 신호 제어 설계에 손쉽게 통합될 수 있습니다. 주요 특징으로는 낮은 RDS(on)으로 전도 손실을 줄이고, 고주파 애플리케이션에 맞춘 빠른 스위칭, 낮은 열저항 및 견고한 발열 관리로 발열 조건에서도 안정성을 유지하는 점이 강조됩니다. 또한 광범위한 작동 전압/온도 범위 지원, TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 다양한 표준 패키지 옵션, JEDEC·AEC-Q101(자동차용 모델 포함)·RoHS·REACH와의 준수 등 품질과 신뢰성 측면이 잘 갖춰져 있습니다. 이…

Vishay Siliconix IRFPC60LCPBF — 고신뢰성 트랜지스터 FET, MOSFET 단일형 효율적인 전력 및 신호 제어 Vishay Siliconix는 전력 효율성, 열 성능 및 장기 신뢰성에 중점을 둔 반도체 브랜드로, 전세계적으로 고성능 MOSFET, 전력 IC 및 이산 반도체 솔루션을 제공합니다. 이 브랜드의 제품은 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 응용 분야에서 널리 사용되고 있습니다. 그 중에서 IRFPC60LCPBF는 Vishay Siliconix의 대표적인 고성능 트랜지스터로, 낮은 전도 손실과 빠른 스위칭 특성을 제공하며, 열적 및 전기적 요구사항이 높은 환경에서도 안정적인 동작을 보장합니다. IRFPC60LCPBF의 주요 특징 낮은 RDS(on): IRFPC60LCPBF는 낮은 RDS(on)을 자랑합니다. 이는 전도 손실을 줄여주어 더 높은 효율성을 제공합니다. 전도 손실을 최소화함으로써 시스템의 에너지 소모를 줄이고 전력 효율을 극대화할 수 있습니다. 빠른 스위칭 성능: 이 MOSFET는 높은 주파수 응용 프로그램에 최적화되어 있습니다. 빠른 스위칭 속도는 전력 변환 시스템에서 중요한 역할을 하며, 전자기파 간섭(EMI)도 최소화할 수 있어 전반적인 시스템 성능을 향상시킵니다. 열 안정성: IRFPC60LCPBF는…

Vishay Siliconix SI4862DY-T1-E3 — 고신뢰성 트랜지스터로 효율적인 전력 및 신호 제어 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology의 일환으로, 고성능 MOSFET, 전력 IC, 및 이산 반도체 솔루션을 전문으로 하는 잘 알려진 반도체 브랜드입니다. Vishay Siliconix의 제품은 전력 효율성, 열 성능 및 장기적인 신뢰성에 중점을 두고 있으며, 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 애플리케이션에 널리 사용되고 있습니다. 그 중에서도 SI4862DY-T1-E3는 우수한 성능을 자랑하는 트랜지스터로, 전력 및 신호 제어 시스템에서 필수적인 역할을 합니다. Vishay Siliconix SI4862DY-T1-E3의 주요 특징 Vishay Siliconix SI4862DY-T1-E3는 고효율 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 지원하는 뛰어난 성능의 MOSFET입니다. 이 부품은 낮은 RDS(on)으로 전도 손실을 최소화하여 높은 효율성을 제공합니다. 또한 빠른 스위칭 성능을 갖추고 있어 고주파 애플리케이션에서 뛰어난 응답을 보입니다. SI4862DY-T1-E3는 높은 열 저항을 자랑하며, 열 방출 성능이 우수해 고온 환경에서도 안정적으로 작동할 수 있습니다. 또한, 이 부품은 넓은 전압 및 온도 범위를 지원하여 다양한 작동 시나리오에 적합합니다. 여러…

SISC06DN-T1-GE3: 높은 신뢰성의 단일 MOSFET으로 효율적 전력 및 신호 제어를 실현 개요 및 기술 포인트 Vishay Siliconix의 SISC06DN-T1-GE3는 고성능 트랜지스터- FET으로, 단일 소자로 구성된 설계가 특징입니다. 이 소자는 낮은 RDS(on)으로 전도 손실을 줄이고, 고주파에서도 빠른 스위칭 특성을 제공해 전력 변환 효율을 높이며, 까다로운 전기적/열적 조건에서도 안정적인 동작을 보장합니다. Vishay의 첨단 실리콘 공정을 통해 개발되어 폭넓은 동작 전압과 온도 영역에서 정밀한 전력 제어를 지원합니다. 다양한 산업 표준 패키지로 제공되어 PCB 레이아웃의 융통성과 설계 유연성이 크게 향상되며, TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 여러 형식으로 이용 가능해 현대 파워 및 신호 제어 설계에 손쉽게 통합할 수 있습니다. 품질과 규격 면에서도 JEDEC, AEC-Q101(자동차 등급 모델), RoHS, REACH를 충족하거나 이에 상응하는 수준의 신뢰성을 제시합니다. 이와 함께 100% 정품 Vishay Siliconix 부품을 공급하는 ICHOME의 지원 체계가 함께합니다. Authorized sourcing과 기술 지원, 경쟁력 있는 가격 정책, 빠른 글로벌 배송으로 리드타임 리스크를 낮추고…

Vishay Siliconix SIHLZ34S-GE3 — 고신뢰도 트랜지스터(FET, MOSFET) 단일 소자으로 효율적인 전력 및 신호 제어를 구현하다 개요 Vishay Siliconix는 전력 소자와 고성능 MOSFET 분야에서 오랜 역사를 가진 반도체 브랜드로, 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 분야에서 널리 채택됩니다. SIHLZ34S-GE3는 단일형 고성능 MOSFET로, 낮은 컨덕션 손실과 빠른 스위칭 특성, 까다로운 전기 및 열 조건에서도 안정적인 작동을 제공하도록 설계되었습니다. Vishay의 첨단 실리콘 공정으로 제조되어, 효율적인 전력 변환과 정밀한 파워 컨트롤을 다양한 작업 환경에서 지원합니다. 여러 표준 산업 패키지로 제공되어 회로 배치의 유연성과 현대 파워/신호 제어 설계의 손쉬운 통합이 가능합니다. 또한 JEDEC, AEC-Q101(오토모티브 등급 모델), RoHS, REACH 등의 품질 및 규정 준수 표준을 충족합니다. 핵심 특징과 적용 분야 주요 특징 Low RDS(on): 도통 손실을 낮춰 전체 시스템 효율성 향상 빠른 스위칭 특성: 고주파 애플리케이션에 최적화된 전환 속도 열 안정성: 낮은 열 저항과 견고한 방열 성능으로 열 관리 용이 넓은 작동…

Vishay Siliconix SQD50P03-07_GE3 — 고신뢰성 FET로 효율적 전력 및 신호 제어 구현 Vishay Siliconix는 고성능 MOSFET, 파워IC, 디스크리트 솔루션 분야에서 오랜 기간 신뢰를 쌓아 온 브랜드다. 자동차용 전장부터 산업용 시스템, 소비자 전자제품, 컴퓨팅에 이르는 광범위한 애플리케이션에서 전력 효율성, 열 성능, 장기 신뢰성을 중시하는 설계자들에게 선호되는 선택지로 자리하고 있다. SQD50P03-07_GE3는 이러한 철학을 바탕으로 설계된 고성능 트랜지스터-전력 MOSFET으로, 낮은 전도 손실과 빠른 스위칭 특성, 열적 안정성을 한 번에 구현한다. 고급 실리콘 공정을 통해 제작되어 폭넓은 작동 조건에서 효율적 전력 변환과 정밀한 파워 컨트롤이 가능하다. 주요 특징과 성능 낮은 RDS(on)으로 전도 손실을 줄여 시스템 효율을 높인다. 빠른 스위칭 특성으로 고주파 애플리케이션에서도 우수한 성능을 발휘한다. 열 안정성이 뛰어나 열저항이 낮고 발열 관리가 용이하다. 넓은 작동 전압 및 온도 범위를 지원해 다양한 조건에서 안정적 작동을 제공한다. 패키지 옵션의 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 설계에 맞춘 선택이 가능하다.…

Vishay Siliconix SUM70030E-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터(FET) 및 MOSFET으로 효율적 전력 및 신호 제어 달성 Vishay Siliconix는 고성능 MOSFET, 파워 IC, 디스클로즈 솔루션 분야의 선두 주자로, 전력 효율성과 열 성능, 장기 신뢰성에 집중해 왔다. 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 애플리케이션에서 널리 채택되는 이 브랜드의 품질과 설계 철학은 SUM70030E-GE3에도 고스란히 반영된다. 이 부품은 단일 트랜지스터-게이트 MOSFET로서, 낮은 컨덕션 손실과 빠른 스위칭 특성, 극한의 전기 및 열 조건에서도 안정적인 동작을 목표로 설계되었다. 복잡한 전원 변환과 정밀한 제어가 필요한 현대의 파워 서플라이와 시스템에 적합하다. 핵심 특징 및 성능 이점 저 RDS(on): 도통 손실을 줄여 전력 효율 향상에 기여한다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 애플리케이션에서의 응답 속도와 제어 정밀도 향상. 열 안정성: 낮은 열저항과 우수한 방열 특성으로 고부하 상황에서도 안정적인 동작 유지. 광범위한 작동 범위: 전압 및 온도 범위가 넓은 설계에 유연함 제공. 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준…

Vishay Siliconix SIR104LDP-T1-RE3 — 고신뢰성 트랜지스터 및 MOSFET, 전력 및 신호 제어의 효율성 향상 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology의 하위 브랜드로, 고성능 MOSFET, 전력 IC, 이산 반도체 솔루션을 전문으로 하는 업체입니다. 전력 효율성, 열 성능, 그리고 장기적인 신뢰성을 중시하는 Vishay Siliconix는 자동차, 산업, 소비자, 컴퓨팅 분야에서 널리 채택되고 있습니다. SIR104LDP-T1-RE3의 특징 및 성능 Vishay Siliconix의 SIR104LDP-T1-RE3는 고성능 트랜지스터, FET 및 MOSFET 솔루션으로 설계된 단일 소자입니다. 이 부품은 전도 손실을 최소화하고, 빠른 스위칭 성능을 제공하며, 전기적 및 열적 조건이 까다로운 환경에서도 안정적인 작동을 보장합니다. Vishay의 고급 실리콘 공정을 통해 제조된 이 MOSFET는 효율적인 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 지원합니다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 낮은 전도 손실을 통해 더 높은 효율성 제공 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용을 위한 최적화 열적 안정성: 낮은 열 저항 및 강력한 열 방출 성능 넓은 동작 범위: 확장된 전압 및 온도 범위 지원…