Vishay Siliconix의 SQD07N25-350H_GE3는 고성능 단일 MOSFET으로, 낮은 RDS(on), 빠른 스위칭 특성, 견고한 열 관리 능력을 갖춰 까다로운 전력 및 신호 제어 애플리케이션에서 신뢰성과 효율을 동시에 제공합니다. 이 소자는 Vishay의 첨단 실리콘 공정으로 제조되어 광범위한 작동 조건에서도 안정적인 전력 변환과 정밀한 제어를 보장합니다. 주요 특징 낮은 RDS(on)으로 도통 손실 감소와 시스템 효율 향상 빠른 스위칭 성능으로 고주파 애플리케이션에 최적화 열적 안정성: 낮은 열 저항과 탁월한 방열 성능 넓은 작동 범위: 다양한 전압 및 온도 조건에서 신뢰성 유지 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등을 포함한 표준 패키지로 설계 유연성 확보 품질 및 규정 준수: JEDEC, AEC-Q101(오토모티브 등급 모델), RoHS, REACH 준수 적용 분야 전력 관리: DC-DC 컨버터, 로드 스위치, 파워 모듈에서의 효율적 전력 제어 자동차 전자: 차대 전장, 인포테인먼트, 조명, EV 서브시스템의 안정적 구동 산업 시스템: 모터 드라이브, 전원 공급장치, 자동화 제어 시스템의 신뢰성 강화 소비자…
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Vishay Siliconix
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Vishay Siliconix SI7892BDP-T1-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터/ FET MOSFET 단일 소자 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology 산하의 잘 알려진 반도체 브랜드로, 고성능 MOSFET과 파워 IC, 디스크리트 솔루션에 집중합니다. 전력 효율성, 열 성능, 장기 신뢰성에 대한 강한 편향으로 자동차, 산업, 소비자, 컴퓨팅 분야에서 광범위하게 채택되고 있습니다. 이러한 기반 위에 SI7892BDP-T1-GE3는 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 특성, 그리고 까다로운 전기·열 조건에서도 안정적인 작동을 목표로 설계되었습니다. Vishay의 첨단 실리콘 공정을 통해 개발된 이 소자는 광범위한 작동 환경에서 효율적 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 지원합니다. 다양한 산업 표준 패키지로 제공되어 현대 파워 및 신호 제어 설계에 유연한 PCB 레이아웃과 손쉬운 통합이 가능합니다. 주요 특징 및 설계 이점 SI7892BDP-T1-GE3는 저 RDS(on)으로 전도 손실을 줄여 시스템 효율을 높이고, 빠른 스위칭 성능으로 고주파 응용 분야의 손실을 최소화합니다. 또한 열 저항이 낮고 안정적인 방열 특성을 갖춘 설계로 고온 환경에서도 신뢰성 있는 작동이 가능합니다. 광범위한 작동…
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Vishay Siliconix SUM70040M-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터(FET/MOSFET) 단일 소자, 효율적 전력 및 신호 제어를 위한 선택 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology 소속의 대표적인 파워 MOSFET 및 디스크리트 솔루션 공급업체로, 전력 효율성, 열 성능, 장기 신뢰성에 초점을 맞춘 제품군으로 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 분야에서 널리 사용됩니다. 그 중 SUM70040M-GE3는 낮은 전도 손실과 빠른 스위칭 특성을 바탕으로, 까다로운 전기적 및 열적 조건에서도 안정적으로 동작하도록 설계된 고성능 트랜지스터- FET, MOSFET 단일 소자입니다. 최신 실리콘 공정을 적용해 효율적인 파워 변환과 정밀한 전력 제어를 다양한 동작 상황에서 지원합니다. 다양한 표준 패키지로 제공되어 현대의 파워 및 신호 제어 설계에 융통성 있는 PCB 레이아웃을 가능하게 합니다. 핵심 특징과 설계 이점 저 RDS(on): 전도 손실을 줄여 더 높은 시스템 효율을 실현 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에서도 안정적인 동작과 빠른 제어 반응 열 안정성: 낮은 열저항과 우수한 방열 특성으로 고하중 환경에서도 견고한 동작 보장 넓은…
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Vishay Siliconix SIHB28N60EF-T5-GE3: 고신뢰성 FET으로 효율적 전력 및 신호 제어 실현 Vishay Siliconix는 고성능 MOSFET과 파워 IC를 선도하는 브랜드로, 자동차에서 산업용, 소비자 전자 device까지 폭넓은 적용 영역을 갖고 있습니다. SIHB28N60EF-T5-GE3는 단일 소자로 구성된 고성능 트랜지스터- FET, MOSFET로서 낮은 전도 손실(RDS(on))과 빠른 스위칭 특성을 조합해 고효율 전력 변환과 정밀 신호 제어를 가능하게 합니다. Vishay의 선진 실리콘 공정을 통해 설계된 이 부품은 넓은 작동 전압 및 온도 범위에서 안정적인 동작을 유지하며, 까다로운 열 관리 조건에서도 신뢰성을 보장합니다. 핵심 특성 및 성능 이점 낮은 RDS(on): 네거티브해당 손실 감소로 시스템 전력 효율이 향상됩니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에서의 전력 손실을 최소화하고 응답 속도를 개선합니다. 열 안정성: 낮은 열저항과 뛰어난 방열 특성으로 고부하 환경에서도 열 관리가 용이합니다. 넓은 작동 범위: 고전압, 고온에서도 일관된 성능을 제공합니다. 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 다양한 PCB 레이아웃에 쉽게 통합 가능.…
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Vishay Siliconix SISS54DN-T1-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터(FET, MOSFET) 단일 패키지로 효율적 전력 및 신호 제어 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology 산하의 전력 반도체 브랜드로, 고성능 MOSFET, 파워 IC, 이산 반도체 솔루션에서 폭넓은 신뢰성과 효율성을 제공합니다. 자동차, 산업, 가전, 컴퓨팅 분야에서 널리 채택되는 이 브랜드는 전력 효율, 열 성능 및 장기 신뢰성에 집중하는 특징으로 알려져 있습니다. SISS54DN-T1-GE3은 이러한 배경 속에서 설계된 고성능 FET로, 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 특성, 열적 경계 조건에서도 안정적인 작동을 제공합니다. 이 기기는 Vishay의 진보된 실리콘 공정을 바탕으로 전력 변환의 효율을 높이고 폭넓은 작동 환경에서 정밀 전력 제어를 가능하게 합니다. 다양한 산업 표준 패키지로 제공되어 설계 유연성과 PCB 레이아웃의 편리성을 확보합니다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 전도 손실을 줄여 시스템 효율을 높이고 발열을 최소화합니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에서 안정적인 동작과 전력 변환 효율 향상을 제공합니다. 열 안정성: 낮은 열저항과 우수한 방열 특성으로 고온 환경에서도…
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Vishay Siliconix SISS32ADN-T1-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터(FET/MOSFET) 싱글로 효율적 전력 및 신호 제어 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology 산하의 유명한 반도체 브랜드로, 고성능 MOSFET, 파워 IC 및 디스크리트 솔루션에 강점을 지니고 있습니다. 전력 효율성, 열 성능, 장기 신뢰성에 초점을 두고 설계된 제품들은 자동차, 산업, 소비자 전자 및 컴퓨팅 분야에서 널리 활용됩니다. SISS32ADN-T1-GE3 역시 이러한 철학을 반영한 고성능 트랜지스터- FET로, 낮은 컨덕션 손실과 빠른 스위칭 구동을 통해 광범위한 전력 변환 및 제어 애플리케이션에서 안정적인 동작을 제공합니다. 주요 특징과 성능 낮은 RDS(on): 도통 손실이 감소되어 시스템 효율이 향상됩니다. 특히 고주파 및 고전력 환경에서 이점이 큽니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 애플리케이션에서도 응답 속도가 빨라 전체 시스템의 효율과 성능을 끌어올립니다. 열 안정성: 낮은 열 저항과 우수한 방열 특성으로 고온 환경에서도 신뢰성 높은 작동을 유지합니다. 넓은 작동 범위: 다양한 전압 및 온도 조건에서 안정적인 동작을 지원합니다. 이는 자동차 및 산업 환경처럼 열과…
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Vishay Siliconix SIHP5N80AE-GE3는 고신뢰성 FET/ MOSFET 단일 소자로, 효율적인 전력 제어와 신호 관리에 최적화된 솔루션을 제공합니다. 이 시리즈는 전력 변환 및 제어 회로의 요구를 충족시키며, 열 성능과 안정성을 동시에 확보하도록 설계되었습니다. 특징 및 성능 요약 SIHP5N80AE-GE3는 낮은 RDS(on)으로 도통 손실을 줄이고, 고주파 애플리케이션에서도 빠른 스위칭 성능을 실현합니다. 열적으로 안정적인 동작을 위해 우수한 열 저항과 방열 특성을 제공하며, 넓은 동작 전압 및 온도 범위를 커버합니다. 산업 표준 패키지로의 폭넓은 호환성은 PCB 레이아웃과 설계 유연성을 크게 높여줍니다. 또한 JEDEC 표준 준수, 자동차용 등급인 AEC‑Q101이 포함된 특정 모델, RoHS 및 REACH 준수 등 품질과 규정 준수 측면에서도 신뢰받는 선택지입니다. 적용 사례와 설계 이점 다양한 애플리케이션에서 SIHP5N80AE-GE3의 이점이 드러납니다. 전력 관리 분야에서는 DC-DC 컨버터, 로드 스위치, 파워 모듈에서 효율을 높이고 시스템 크기를 최소화할 수 있습니다. 자동차 전자 분야에서는 바디 이레이션, 인포테인먼트, 차량 조명, EV 서브시스템 등에서 고신뢰성과 안정적인 전력…
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Vishay Siliconix SIHF080N60E-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터, MOSFET 단일 소자: 효율적인 전력 및 신호 제어 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology의 일환으로, 고성능 MOSFET, 전력 IC, 그리고 이산 반도체 솔루션을 전문으로 하는 회사입니다. 전력 효율성, 열 성능 및 장기적인 신뢰성에 중점을 둔 Vishay Siliconix 제품은 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 분야에서 널리 사용되고 있습니다. Vishay Siliconix의 SIHF080N60E-GE3는 전력 변환 및 정밀한 전력 제어를 지원하도록 설계된 고성능 트랜지스터입니다. 이 MOSFET 단일 소자는 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 동작 및 요구 사항이 높은 전기적 및 열적 조건에서도 안정적인 동작을 제공합니다. Vishay의 고급 실리콘 공정을 통해 설계되어, 다양한 작동 시나리오에서 효율적인 전력 변환을 지원합니다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 전도 손실이 감소되어 더 높은 효율성을 제공합니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용 분야에 최적화되어 있습니다. 열 안정성: 낮은 열 저항과 뛰어난 열 방출 성능을 자랑합니다. 광범위한 작동 범위: 확장된 전압 및 온도 범위를…
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IRFU9310PBF의 핵심 특성 Vishay Siliconix IRFU9310PBF는 단일 채널의 고성능 MOSFET으로, 낮은 RDS(on)으로 전도 손실을 최소화하고 빠른 스위칭 특성으로 고주파 응용에서 우수한 반응성을 제공합니다. 이 디바이스는 Vishay의 첨단 실리콘 공정으로 설계되어 전력 변환의 효율을 높이고, 다양한 전기적·열적 조건에서도 안정적으로 작동합니다. 열 저항이 낮고 방열 성능이 견고하여 열 관리가 중요한 파워 플랫폼에서 신뢰성을 확보합니다. 작동 전압과 온도 범위가 넓어 폭넓은 시스템 요구에 대응하며, TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 제공되어 설계의 유연성을 극대화하고 PCB 레이아웃을 단순화합니다. 또한 JEDEC, AEC-Q101(일부 자동차 등급 모델), RoHS 및 REACH 같은 국제 표준을 충족해 품질과 규정 준수를 보장합니다. 설계 유연성과 적용 분야 IRFU9310PBF는 DC-DC 변환기, 로드 스위치, 파워 모듈 등 전력 관리 설계의 핵심 구성요소로 최적화되어 있습니다. 자동차 전장 시스템의 바디 전자장치, 인포테인먼트, 조명 및 EV 구동 부문은 물론, 산업 분야의 모터 드라이브나 파워 서플라이, 자동화 컨트롤러에서도 안정적인 전력 제어를 제공합니다.…
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Vishay Siliconix SIHU5N80AE-GE3 — 고신뢰성 FET로 효율적 전력 및 신호 제어 Vishay Siliconix은 고성능 MOSFET과 파워 IC, 디스크리트 반도체 솔루션 분야에서 오랜 역사를 가진 브랜드입니다. 전력 효율성, 열 성능, 장기 신뢰성에 집중하는 이들의 설계 철학은 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 분야에서 널리 채택되고 있습니다. SIHU5N80AE-GE3는 이러한 기술적 강점을 한데 모아, 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 특성, 그리고 열이 까다로운 환경에서도 안정적인 작동을 제공하도록 고안된 싱글 모스펫 트랜지스터입니다. Vishay의 정밀 실리콘 공정 기술을 통해 고효율의 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 폭 넓은 작동 조건에서 구현합니다. 표준 산업 패키지로 제공되어 현대의 파워/시그널 제어 설계에 손쉽게 통합할 수 있습니다. 주요 특징 및 설계 이점 낮은 RDS(on)으로 전도 손실 감소: 전력 효율성을 높이고 열 관리 부담을 줄여 다중 변환 단계에서의 전체 효율 개선에 기여합니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에서의 제어 정확성과 응답 속도를 향상시키며, 전력 변환기나 로드 스위칭 시나리오에서…
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