Vishay Siliconix

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SIRA12BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SIRA12BDP-T1-GE3는 단일 트랜지스터(FET, MOSFET)로서 고성능 전력 및 신호 제어를 위한 설계가 돋보이는 부품입니다. 낮은 RDS(on)으로 도통 손실을 줄이고, 빠른 스위칭 특성으로 고주파 환경에서도 안정적인 동작을 보장합니다. 또한 열 저항이 낮고 효과적인 발열 관리가 가능해 까다로운 전기적/열적 조건에서도 신뢰성 있는 성능을 제공합니다. 이 소자는 Vishay의 선진 실리콘 공정으로 제조되어 다양한 작동 전압과 온도에서 일관된 전력 제어를 제공합니다. 폭넓은 작동 범위와 함께 TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 여러 표준 패키지를 지원해 PCB 레이아웃의 유연성도 크게 높습니다. JEDEC 표준, AEC-Q101 자동차급 모델의 가용성, RoHS 및 REACH 준수와 같은 품질 표준을 충족하며, 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 분야의 까다로운 설계 요건에 부합합니다. 적용 분야 및 성능 이점 전력 관리 분야에서 SIRA12BDP-T1-GE3는 DC-DC 컨버터, 로드 스위치, 파워 모듈에 핵심 역할을 수행합니다. 빠른 스위칭은 고주파 설계의 효율을 높이고, 저전력 손실 특성은 시스템의 발열 관리와 배터리 수명 연장에 기여합니다. 자동차…
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SQJ418EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
비셰이 실리콘닉스 SQJ418EP-T1_GE3 — 효율적인 전력 및 신호 제어를 위한 고신뢰성 트랜지스터 비셰이 실리콘닉스(Vishay Siliconix)는 비셰이 인터테크놀로지(Vishay Intertechnology) 산하의 잘 알려진 반도체 브랜드로, 고성능 MOSFET, 전력 IC 및 이산 반도체 솔루션을 전문으로 합니다. 전력 효율성, 열 성능 및 장기적인 신뢰성에 대한 강한 집중으로 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 애플리케이션에서 널리 채택되고 있습니다. 비셰이 실리콘닉스의 SQJ418EP-T1_GE3는 전도 손실을 최소화하고, 빠른 스위칭 성능을 제공하며, 전기적 및 열적 조건이 까다로운 환경에서도 안정적인 작동을 보장하는 고성능 트랜지스터입니다. 이 디바이스는 비셰이의 첨단 실리콘 공정을 사용하여 설계되었으며, 효율적인 전력 변환 및 정확한 전력 제어를 지원하는 기능을 갖추고 있습니다. SQJ418EP-T1_GE3의 주요 특징 낮은 RDS(on) SQJ418EP-T1_GE3는 낮은 온 저항(RDS(on))을 제공하여 전도 손실을 최소화하고, 높은 효율성을 달성합니다. 이로 인해 전체 시스템의 전력 소비를 줄일 수 있습니다. 빠른 스위칭 성능 고주파수 애플리케이션을 위해 최적화된 빠른 스위칭 성능을 제공하여 전력 전환 시에 신속하고 정확한 동작을 보장합니다.…
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SIA477EDJT-T1-GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SIA477EDJT-T1-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터 - FET, MOSFET 단일형으로 효율적인 전력 및 신호 제어 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology의 하위 브랜드로, 고성능 MOSFET, 전력 IC 및 이산 반도체 솔루션을 전문으로 합니다. 전력 효율성, 열 성능 및 장기적인 신뢰성에 강점을 가지고 있으며, Vishay Siliconix의 제품은 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 응용 분야에서 널리 채택되고 있습니다. Vishay Siliconix의 SIA477EDJT-T1-GE3는 고성능 트랜지스터 - FET, MOSFET 단일형으로 설계되어 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 성능, 그리고 까다로운 전기적 및 열적 조건 하에서도 안정적인 동작을 제공합니다. Vishay의 고급 실리콘 공정을 통해 설계되어 효율적인 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 지원하며, 다양한 운전 시나리오에서 우수한 성능을 발휘합니다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 전도 손실이 감소하여 높은 효율성을 제공합니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용 분야에 최적화되어 있습니다. 열 안정성: 낮은 열 저항과 견고한 열 방산 기능을 제공합니다. 넓은 운전 범위: 확장된 전압 및 온도 범위를…
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SUP90N06-6M0P-E3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SUP90N06-6M0P-E3 — 고신뢰성 트랜지스터(FET, MOSFET) 단일 소자, 효율적 전력 및 신호 제어를 위한 선택 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology 산하의 강력한 파워 솔루션 브랜드로, 고성능 MOSFET, 파워 IC, 디스크리트 반도체 솔루션을 전문으로 합니다. 전력 효율성과 열 성능, 장기 신뢰성에 강점을 지니며 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 분야에서 널리 채택되고 있습니다. SUP90N06-6M0P-E3는 이러한 기술적 강점을 바탕으로, 낮은 컨덕션 손실과 빠른 스위칭 특성, 열적 조건에서도 안정적인 작동을 구현하도록 설계된 고성능 MOSFET 단일 소자입니다. Vishay의 첨단 실리콘 공정을 활용해 폭넓은 작동 시나리오에서 효율적 전력 변환과 정밀 제어를 지원합니다. 다양한 산업 표준 패키지로 제공되어 현대 파워/신호 제어 설계에서 유연한 PCB 레이아웃과 간편한 통합을 가능하게 합니다. 핵심 특징 및 기술적 이점 Low RDS(on): 도통 손실을 줄여 전력 효율성 향상 Fast Switching Performance: 고주파 응용에서 우수한 스위칭 속도와 응답성 Thermal Stability: 낮은 열저항과 견고한 방열 특성으로 고부하 환경에서도 안정적 동작…
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SI2343CDS-T1-BE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SI2343CDS-T1-BE3 — 고신뢰성 FET로 효율적 전력 및 신호 제어 구현 개요 및 주요 특징 Vishay Siliconix는 고성능 MOSFET과 전력 IC, 디스크리트 솔루션에서 오랜 역사를 자랑하는 브랜드입니다. SI2343CDS-T1-BE3는 단일 소자 형태의 고성능 트랜지스터-전계효과트랜지스터(FET)로, 저 컨덕션 로스, 빠른 스위칭 특성, 그리고 혹독한 전기 및 열 조건에서도 안정적인 동작을 제공합니다. 이 소자는 Vishay의 첨단 실리콘 공정으로 개발되어, 전력 변환의 효율 및 신호 제어의 정밀도를 한층 높여주는 솔루션으로 설계되었습니다. 다양한 표준 패키지로 제공되어 현대의 전력 및 신호 제어 설계에서 PCB 레이아웃의 융통성과 통합 용이성을 강화합니다. 주요 특징으로는 다음과 같습니다. 저 RDS(on): 도통 손실을 줄여 전체 효율 향상 빠른 스위칭 성능: 고주파 애플리케이션에 최적화 열적 안정성: 낮은 열 저항과 견고한 방열 특성 넓은 동작 범위: 전압 및 온도 확장 사용 가능 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지 군으로 구성 품질 및 규격 준수: JEDEC, AEC-Q101(자동차…
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SI4408DY-T1-E3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SI4408DY-T1-E3 — 효율적인 전력 및 신호 제어를 위한 고신뢰성 트랜지스터 Vishay Siliconix는 고성능 MOSFET, 전력 IC 및 분리형 반도체 솔루션을 전문으로 하는 Vishay Intertechnology의 잘 알려진 반도체 브랜드입니다. 전력 효율성, 열 성능 및 장기 신뢰성에 중점을 두는 이 회사의 제품은 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 애플리케이션에서 널리 사용됩니다. 그 중에서도 Vishay Siliconix의 SI4408DY-T1-E3는 전력 변환 및 정확한 전력 제어를 지원하는 고성능 트랜지스터로 주목받고 있습니다. 주요 특징 SI4408DY-T1-E3는 낮은 RDS(on) 특성을 제공하여 전도 손실을 줄이고 높은 효율성을 보장합니다. 이는 전력 소비를 최소화하고 시스템의 전체 성능을 향상시키는 데 중요한 역할을 합니다. 또한, 빠른 스위칭 성능을 통해 고주파 애플리케이션에서 최적화된 동작을 제공합니다. 고속 스위칭이 가능하여 다양한 산업 분야에서 요구되는 신속한 반응을 구현할 수 있습니다. 열적 안정성 또한 이 제품의 큰 장점 중 하나입니다. SI4408DY-T1-E3는 낮은 열 저항을 가지며, 탁월한 열 분산 특성을 제공하여 고온 환경에서도 안정적인…
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SIHB23N60E-GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SIHB23N60E-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터(FET/MOSFET) 단일 소자로 효율적 전력 및 신호 제어 특징과 설계 이점 SIHB23N60E-GE3는 Vishay Siliconix가 제공하는 고성능 단일 FET/MOSFET 솔루션으로, 전력 변환과 신호 제어의 효율성을 높이도록 설계되었습니다. 주요 이점은 다음과 같습니다. 저 RDS(on)로 컨덕션 손실 감소: 전력 손실을 줄여 시스템의 전반적 효율성을 향상시키며, 열 방출을 억제합니다. 빠른 스위칭 특성: 고주파 응용에 적합한 스위칭 속도를 제공해 전력 변환기에서의 응답성과 효율을 동시에 향상시킵니다. 열적 안정성: 낮은 열저항과 견고한 열 방출 특성으로 고부하 조건에서도 안정적으로 작동합니다. 넓은 작동 범위: 고전압 및 광범위한 온도 특성으로 다양한 환경에서 설계 여유를 제공합니다. 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 구성되어 있으며, PCB 레이아웃의 유연성과 조립 용이성을 제공합니다. 품질 및 준수: JEDEC, AEC-Q101(자동차 등급 모델), RoHS, REACH 표준을 충족하여 신뢰성과 규정 준수에 강점이 있습니다. 적용 영역 및 설계 고려사항 SIHB23N60E-GE3는 전력 관리에서부터 모듈식 시스템까지 폭넓게 활용될…
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IRL640STRLPBF Vishay Siliconix
Vishay Siliconix IRL640STRLPBF — 고신뢰성 트랜지스터(FET, MOSFET) 싱글로 효율적 전력 및 신호 제어 개요 및 핵심 특징 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology 산하의 오랜 역사를 가진 반도체 브랜드로, 고성능 MOSFET와 파워 IC, 디스크리트 솔루션에 집중합니다. 전력 효율, 열 성능, 장기 신뢰성에 대한 강한 초점을 통해 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 분야에서 널리 채택되고 있습니다. IRL640STRLPBF는 단일(Mod-Single) 모듈로 설계된 고성능 MOSFET로, 낮은 컨덕션 손실과 빠른 스위칭 특성, 까다로운 전기적·열적 조건에서도 안정적인 동작을 제공합니다. 이 기기는 Vishay의 선진 실리콘 공정을 기반으로 하여 효율적인 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 폭넓은 운용 조건에서 가능하게 합니다. 또한 TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 다양한 산업 표준 패키지로 제공되어 PCB 레이아웃의 유연성과 설계의 간편성을 높입니다. 주요 특징 요약 저 RDS(on): 컨덕션 손실을 줄여 시스템 효율을 높임 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에 최적화된 전도/차단 특성 열적 안정성: 낮은 열저항과 뛰어난 방열 성능 넓은 작동…
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SIA469DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SIA469DJ-T1-GE3은 고신뢰성 트랜지스터(FET, MOSFET) 분야에서 단일 소자로 설계된 고성능 부품으로, 전력과 신호 제어에서 낮은 전도 손실과 빠른 스위칭 특성을 동시에 구현합니다. Vishay Siliconix은 Vishay Intertechnology의 자회사로서 파워 MOSFET, 파워 IC, 디스크리트 솔루션 분야에서 축적된 기술력과 신뢰성을 바탕으로 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 애플리케이션에 널리 채택되어 왔습니다. SIA469DJ-T1-GE3는 이 같은 강점에서 파생된 최신 공정 기술로 설계되어, 다양한 작동 조건에서도 효율적 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 제공합니다. 여러 표준 패키지로 공급되어 PCB 레이아웃의 융통성을 높이고, 현대 전력 및 신호 제어 설계에 필요한 구성요소를 손쉽게 통합할 수 있습니다. 핵심 특징 낮은 RDS(on): 구동 손실을 줄여 시스템 전체 효율을 향상시키며, 열 관리 부담을 완화합니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에서의 응답 속도와 제어 정확도를 개선합니다. 열 안정성: 낮은 열 저항과 우수한 방열 특성으로 가혹한 전기적/열적 환경에서도 안정적으로 동작합니다. 넓은 동작 범위: 전압 및 온도 범위가 넓어 다양한 설계…
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SI2343DS-T1-BE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SI2343DS-T1-BE3는 고신뢰성 트랜지스터로서, MOSFET 단독 소자로 설계되어 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 특성, 엄격한 열 조건에서도 안정적인 작동을 제공합니다. Vishay의 첨단 실리콘 공정을 통해 구동되며, 효율적인 전력 변환과 정밀한 파워 제어를 다양한 작동 환경에서 가능하게 합니다. 다수의 산업 표준 패키지로 제공되어 현대의 전력 회로 및 신호 제어 설계에 필요한 PCB 레이아웃의 유연성을 제공합니다. 주요 특징 및 성능 낮은 RDS(on): 전도 손실 감소로 전체 시스템 효율 향상 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에서도 우수한 반응 속도와 제어 안정성 확보 열 안정성: 낮은 열저항과 탁월한 방열 특성으로 고부하에서도 신뢰성 유지 넓은 작동 범위: 폭넓은 전압 및 온도 조건에서의 안정적 동작 지원 패키지 다양성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 설계의 융통성 확보 품질 및 규정 준수: JEDEC 준수, 자동차용 AEC-Q101 표준 가능 모델, RoHS 및 REACH 충족 적용 분야 파워 매니지먼트: DC-DC 컨버터, 로드 스위치,…
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