Vishay Siliconix SI4126DY-T1-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터 및 효율적인 전력 및 신호 제어를 위한 MOSFET Vishay Siliconix는 전력 효율성, 열 성능, 그리고 장기적인 신뢰성에 강점을 둔 반도체 솔루션의 선도적인 제조업체입니다. Vishay Intertechnology의 산하에서, 고성능 MOSFET, 전력 IC, 그리고 이차 반도체 제품을 전문으로 하며, 자동차, 산업, 소비자, 컴퓨팅 등 다양한 분야에 널리 채택되고 있습니다. 그 중에서도 SI4126DY-T1-GE3는 전력 변환 및 정밀 전력 제어에서 탁월한 성능을 발휘하는 고성능 MOSFET으로 주목받고 있습니다. SI4126DY-T1-GE3의 특징 저 RDS(on): SI4126DY-T1-GE3는 낮은 전도 손실을 자랑하는 RDS(on) 특성을 가지고 있어, 전력 효율성을 높이고 열 발생을 최소화합니다. 이는 전력 소모를 줄이고 시스템의 전체 효율을 증가시키는 중요한 요소입니다. 빠른 스위칭 성능: 이 MOSFET은 고주파 응용에서 최적화된 성능을 제공합니다. 빠른 스위칭 속도는 전력 변환 시스템에서 중요한 역할을 하며, 시스템의 동작 속도와 반응 시간을 향상시킵니다. 우수한 열 안정성: 저열 저항 특성과 뛰어난 열 방출 성능을 갖춘 SI4126DY-T1-GE3는 열…
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Vishay Siliconix
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Vishay Siliconix SIHG61N65EF-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터(FET, MOSFET) 단일 소자로 효율적 전력 및 신호 제어를 실현하다 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology 산하의 유명 반도체 브랜드로, 고성능 MOSFET, 파워 IC 및 디스크리트 솔루션에 집중합니다. 전력 효율, 열 성능, 장기 신뢰성에 대한 명확한 포커스가 특징이며, 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 분야에서 널리 채택되고 있습니다. SIHG61N65EF-GE3는 이러한 배경 속에서 개발된 고성능 트랜지스터- FET로, 단일 소자로 설계되어 낮은 전도 손실과 빠른 스위칭 특성, 그리고 열적 가혹 조건에서도 안정적인 작동을 제공합니다. 제조사 고유의 정밀한 실리콘 공정을 바탕으로 다양한 작동 상황에서 효율적인 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 지원합니다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 전도 손실 감소로 시스템 효율 향상 빠른 스위칭 성능: 고주파 애플리케이션에 최적화 열적 안정성: 낮은 열 저항 및 견고한 방열 특성 넓은 작동 범위: 높은 전압 및 고온에서도 안정적 동작 가능 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지에서 선택…
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Vishay Siliconix SIHG14N50D-E3 — 고신뢰성 트랜지스터(FET, MOSFET) 단일 소자: 효율적 전력 및 신호 제어를 위한 선택 Vishay Siliconix는 파워 MOSFET, 파워 IC 및 디스크리트 솔루션에서 오랜 역사를 가진 반도체 브랜드로, 전력 효율성, 열 성능, 장기 신뢰성에 중점을 두고 있습니다. SIHG14N50D-E3는 이러한 기술 방향성을 바탕으로 설계된 고성능 단일 MOSFET로서, 낮은 도통 손실과 빠른 스위칭 특성, 열 관리 안정성을 하나의 소자에서 제공합니다. 이 소자는 Vishay의 첨단 실리콘 공정으로 제작되어 폭넓은 작동 조건에서 효율적인 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 가능하게 합니다. 주요 특징 및 기술 포인트 저 RDS(on)로 도통 손실 감소와 향상된 효율성 실현 빠른 스위칭 성능으로 고주파 응용에 최적화 열 안정성 강점: 낮은 열저항과 우수한 열 방출 특성 넓은 동작 범위: 전압 및 온도 범위 확장에 대응 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 설계 배치 용이 품질 및 규격 준수: JEDEC, AEC-Q101(자동차 등급 모델),…
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Vishay Siliconix SISA01DN-T1-GE3 — 신뢰성과 효율성을 한때에 담은 단일 FET의 혁신 Vishay Siliconix는 파워 MOSFET, 전력 IC 및 디스크리트 반도체 솔루션 분야에서 오랜 역사를 가진 브랜드로, 전력 효율성, 열 성능, 장기 신뢰성에 중점을 두고 있습니다. SISA01DN-T1-GE3는 이러한 강점을 바탕으로 고성능 트랜지스터-전계제어 소자(FET, MOSFET)로 설계되어, 낮은 도통 손실과 빠른 스위칭 특성, 그리고 까다로운 전기적·열적 환경에서도 안정적인 동작을 제공합니다. 이 단일 소자는 Vishay의 고급 실리콘 공정을 통해 설계되어, 폭넓은 작동 조건에서 효과적인 전력 변환과 정밀한 제어를 가능하게 합니다. 또한, 업계 표준 패키지로 제공되어 현대 파워 및 신호 제어 설계에 유연성을 제공합니다. 주요 특징 저 RDS(on): 도통 손실을 낮춰 시스템 전반의 효율성을 높임. 빠른 스위칭 성능: 고주파 애플리케이션에 최적화되어 빠른 전력 조절 가능. 열 안정성: 낮은 열 저항과 견고한 방열 특성으로 고온에서도 안정적인 작동 유지. 넓은 작동 범위: 전압 및 온도 범위가 넓어 다양한 설계 조건에 대응. 패키지…
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Vishay Siliconix SIHD6N80E-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터 - 효율적인 전력 및 신호 제어를 위한 MOSFET 단일 제품 Vishay Siliconix는 고성능 MOSFET, 전력 IC, 및 분리형 반도체 솔루션을 전문으로 하는 Vishay Intertechnology의 잘 알려진 반도체 브랜드입니다. 전력 효율성, 열 성능 및 장기적인 신뢰성에 중점을 두고 설계된 Vishay Siliconix 제품은 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨터 분야에서 널리 채택되고 있습니다. Vishay Siliconix의 SIHD6N80E-GE3는 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 성능 및 까다로운 전기 및 열 조건에서도 안정적인 동작을 제공하는 고성능 트랜지스터입니다. 이 제품은 Vishay의 첨단 실리콘 공정을 통해 설계되어 효율적인 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 지원하며, 다양한 작동 시나리오에서 뛰어난 성능을 발휘합니다. 또한 다양한 산업 표준 패키지로 제공되어 현대의 전력 및 신호 제어 설계에 유연한 PCB 레이아웃과 간편한 통합을 가능하게 합니다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 전도 손실을 줄여 높은 효율성을 제공합니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용 프로그램에 최적화된 성능. 열…
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Vishay Siliconix IRFBF20STRLPBF — 고신뢰성 FET로 한 차원 높은 전력 제어를 실현 Vishay Siliconix의 IRFBF20STRLPBF는 단일 소자로 제공되는 고성능 Transistors - FETs, MOSFETs로서, 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 특성, 그리고 까다로운 전기적·열적 조건에서도 안정적인 작동을 목표로 설계되었습니다. 이 시리즈는 Vishay의 진보된 실리콘 공정을 바탕으로 전력 변환의 효율성을 극대화하고, 정밀한 전력 제어를 다양한 운용 상황에서 가능하게 합니다. 또한 TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 산업 표준 패키지로 제공되어 복합적인 PCB 레이아웃에 쉽게 통합할 수 있습니다. 주요 특징 및 설계 이점 낮은 RDS(on)으로 전도 손실 감소와 시스템 효율 향상 빠른 스위칭 성능으로 고주파 애플리케이션에 최적화 열적 안정성 우수: 낮은 열저항과 효과적인 방열로 고부하 조건에서도 안정적 동작 광범위한 동작 범위: 전압 및 온도 범위 확장으로 다양한 설계에 적용 가능 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 유연한 설계 선택 가능 품질 및 규정 준수: JEDEC 표준, AEC-Q101…
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Vishay Siliconix SIE808DF-T1-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터(FET/MOSFET) 싱글로서의 최적화된 전력 및 신호 제어 솔루션 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology 산하의 유명한 반도체 브랜드로, 고성능 MOSFET, 파워IC, 디스커리트 솔루션을 중심으로 전력 효율성, 열 성능, 장기 신뢰성에 집중합니다. 자동차, 산업, 가전 및 컴퓨팅 분야에서 널리 활용되는 이들의 제품군은 전력 변환의 효율성과 시스템의 안정적인 동작을 뒷받침합니다. SIE808DF-T1-GE3은 이러한 배경에서 탄생한 고성능 트랜지스터- FET, MOSFET 싱글로서, 낮은 컨덕션 로스와 빠른 스위칭 특성, 그리고 까다로운 전기적/열적 조건에서도 안정적으로 작동하도록 설계되었습니다. 첨단 실리콘 공정을 적용해 폭넓은 작동 범위에서 정밀한 전력 제어와 효율 향상을 제공합니다. 개요 및 주요 특징 SIE808DF-T1-GE3는 저 RDS(on)으로 전도 손실을 줄여 시스템 효율을 높이고, 고주파 응용을 위한 빠른 스위칭 성능을 제공합니다. 또한 열 저항이 낮고 열 방출이 견고하여 고온 환경에서도 안정적인 작동을 유지합니다. 광범위한 작동 전압 및 온도 범위를 지원해 다양한 설계 시나리오에 적합합니다. 패키지 면에서도 TO, DPAK, PowerPAK, SO…
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Vishay Siliconix SIR418DP-T1-GE3 — 효율적인 전력 및 신호 제어를 위한 고신뢰성 트랜지스터 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology의 자회사로, 고성능 MOSFET, 전력 IC 및 이산 반도체 솔루션을 전문으로 하는 회사입니다. 전력 효율성, 열 성능 및 장기적인 신뢰성에 중점을 둔 제품을 제공하며, 자동차, 산업, 소비자, 컴퓨팅 분야에서 널리 사용되고 있습니다. 이번에 소개할 제품인 SIR418DP-T1-GE3는 효율적인 전력 변환 및 정밀한 전력 제어를 위한 고성능 트랜지스터로, 까다로운 전기적 및 열적 조건에서도 안정적인 동작을 보장합니다. SIR418DP-T1-GE3의 주요 특징 낮은 RDS(on) SIR418DP-T1-GE3는 낮은 온 저항(RDS(on))을 제공하여 전도 손실을 줄여 높은 효율성을 자랑합니다. 이로 인해 전력 소비를 최소화하고, 전력 시스템의 효율적인 운영을 가능하게 합니다. 빠른 스위칭 성능 이 MOSFET는 고주파수 애플리케이션에 최적화되어 있어 빠른 스위칭 성능을 제공합니다. 전력 변환 시스템에서 중요한 역할을 하며, 빠른 응답 시간을 요구하는 다양한 전자 장치에서 그 진가를 발휘합니다. 열적 안정성 SIR418DP-T1-GE3는 낮은 열 저항을 제공하며, 뛰어난 열 방출…
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Vishay Siliconix SQS423EN-T1_BE3 — 고신뢰성 FET로 효율적 전력 및 신호 제어 실현 Vishay Siliconix는 파워 MOSFET와 디스크리트 반도체 솔루션 영역에서 오랜 역사를 가진 브랜드로, 자동차, 산업, 가전 및 컴퓨팅 분야에서 높은 전력 효율성과 열 성능, 긴 수명으로 널리 인정받고 있습니다. SQS423EN-T1_BE3는 이러한 기술 역량이 집약된 고성능 트랜지스터-전력 소자입니다. 이 싱글 MOSFET은 낮은 컨덕션 손실과 빠른 스위칭 특성을 바탕으로 다양한 전력 변환 및 신호 제어 애플리케이션에서 안정적인 동작을 제공합니다. 주요 특징 Low RDS(on): 도통 손실을 최소화하여 전력 효율을 높임 Fast Switching Performance: 고주파 애플리케이션에 최적화된 스위칭 속도 Thermal Stability: 낮은 열 저항과 효과적인 발열 관리로 고온 환경에서도 안정적 Wide Operating Range: 넓은 전압 및 온도 범위를 지원 Package Flexibility: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 다양한 표준 패키지로 PCB 레이아웃의 설계 자유도 향상 Quality
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Vishay Siliconix SIJH600E-T1-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터(FET, MOSFET) 단일 소자, 효율적 전력 및 신호 제어를 위한 솔루션 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology의 핵심 자회사로, 고성능 MOSFET, 파워 IC 및 디스리크 솔루션으로 잘 알려져 있다. 전력 효율성, 열 성능, 장기 신뢰성에 집중하는 브랜드로서, 자동차, 산업, 소비자전자 및 컴퓨팅 시장에서 널리 채택되고 있다. SIJH600E-T1-GE3는 이러한 기술 철학을 바탕으로 설계된 고성능 단일 FET로, 낮은 컨덕션 손실과 빠른 스위칭 특성, 그리고 까다로운 전기적·열적 조건에서도 안정적인 동작을 제공하도록 만들어졌다. 실리콘 공정의 선진화를 반영한 이 소자는 광범위한 운전 조건에서 효율적 전력 변환과 정밀 제어를 가능케 한다. 다양한 산업 표준 패키지로 제공되어 현대 파워 및 신호 제어 설계의 PCB 배치를 유연하게 해준다. 주요 특징과 기술 사양 저 RDS(on) 구현으로 컨덕션 손실 감소 및 시스템 효율 향상 고주파 응용에 최적화된 빠른 스위칭 성능 열 저항이 낮고 열 분산이 뛰어나 열 관리의 부담 최소화 넓은 작동…
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