Vishay Siliconix

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SIHH28N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SIHH28N60E-T1-GE3은 고신뢰성 트랜지스터(FET, MOSFET)로, 전력 변환과 신호 제어의 효율성 및 안정성을 한층 강화하도록 설계된 싱글 소자입니다. Vishay Siliconix는 파워 효율성과 열 특성, 장기 신뢰성에 중점을 둔 고성능 MOSFET 및 디스크리트 솔루션으로 잘 알려져 있으며, 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 분야에서 널리 채택되고 있습니다. SIHH28N60E-T1-GE3는 이러한 강점을 바탕으로 낮은 도통 손실과 빠른 스위칭 특성, 까다로운 열 환경에서도 안정적으로 동작하도록 구성되었습니다. 다양한 산업 표준 패키지로 제공되어 설계 유연성과 PCB 레이아웃의 간편화를 제공합니다. 특징과 성능 저 RDS(on): 도통 손실을 줄여 전반적 전력 효율을 향상시킵니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 어플리케이션에 최적화된 스위칭 레이트를 제공합니다. 열적 안정성: 낮은 열 저항 및 견고한 발열 관리로 고온 환경에서도 성능 저하를 방지합니다. 넓은 동작 범위: 전압 및 온도 조건이 크게 변하는 환경에서도 안정적인 동작을 지원합니다. 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 구성되어 설계의 융통성을 제공합니다. 품질 및 규정…
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SI1078X-T1-GE3 Vishay Siliconix
SI1078X-T1-GE3: 고성능 MOSFET로 효율과 신뢰성을 한 번에 Vishay Siliconix는 고성능 MOSFET과 디스크리트 파워 솔루션에서 오랜 신뢰를 쌓아 온 브랜드다. 자동차, 산업, 소비자, 컴퓨팅 분야에서 널리 채택되며 열 성능과 에너지 효율 우선의 설계 철학으로 유명하다. SI1078X-T1-GE3는 단일 FET로서 낮은 전도 손실과 빠른 스위칭 특성, 악조건에서도 안정적인 동작을 목표로 설계되었다. 이 시리즈는 Vishay의 첨단 실리콘 공정을 바탕으로 전력 변환 효율을 높이고 전력 제어의 정밀성을 제공한다. 여러 산업 표준 패키지로 제공되어 현대의 PCB 레이아웃과 손쉽게 통합될 수 있는 유연성을 갖췄다. 특징, 동작 및 적용 분야 주요 특징 저 RDS(on): 전도 손실을 줄이고 시스템 효율을 높여준다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에서도 신속한 전도/차단이 가능하다. 열 안정성: 낮은 열 저항과 우수한 방열 특성으로 고온 상황에서도 안정적인 동작을 유지한다. 넓은 동작 범위: 전압과 온도에 걸친 폭넓은 작동 가능 영역을 제공한다. 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 구성되어 설계…
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SQ3469EV-T1_BE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SQ3469EV-T1_BE3 — 고신뢰성 트랜지스터(FET, MOSFET) 단일 패키지로 효율적인 전력 및 신호 제어 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology 산하의 잘 알려진 반도체 브랜드로, 고성능 MOSFET, 파워 IC 및 디스크리트 솔루션을 통해 전력 효율, 열 성능, 장기 신뢰성에 중점을 두고 있습니다. 이러한 배경에서 SQ3469EV-T1_BE3는 단일 패키지로 설계된 고성능 트랜지스터-전력 소자로서, 까다로운 전기적 및 열적 조건에서도 안정적인 동작과 낮은 손실을 제공합니다. 이 부품은 효율적인 전력 변환과 정밀 전력 제어를 필요로 하는 현대의 전력 시스템에 적합합니다. 주요 특징 낮은 RDS(on)으로 컨덕션 손실을 줄여 시스템 효율을 높입니다. 빠른 스위칭 성능으로 고주파 응용에서의 신호 제어를 원활하게 합니다. 열 안정성 강화: 낮은 열저항과 우수한 방열 특성으로 고부하에서도 안정적인 동작을 유지합니다. 넓은 작동 범위: 다양한 전압 및 온도 조건에서 신뢰성 있는 성능을 제공합니다. 패키지 다양성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 설계 유연성을 확보합니다. 품질 및 규격 준수: JEDEC, AEC-Q101(자동차 등급…
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SIHG73N60E-GE3 Vishay Siliconix
SIHG73N60E-GE3: 고신뢰성 FET로 효율과 제어의 새로운 표준 SIHG73N60E-GE3은 단일형 고성능 MOSFET으로, 낮은 전도 손실과 빠른 스위칭 특성, 열 및 전기적 견고성을 한꺼번에 제공합니다. Vishay Siliconix의 선진 실리콘 공정을 바탕으로 설계된 이 부품은 전력 변환 및 신호 제어의 효율성을 극대화하며, 다양한 운용 조건에서도 안정적으로 작동하도록 고안되었습니다. 여러 산업 표준 패키지로 제공되어 PCB 레이아웃의 융통성과 시스템 설계의 유연성을 강화합니다. 핵심 특징 낮은 RDS(on): 전도 손실을 줄여 고효율 전력 변환 실현 빠른 스위칭 성능: 고주파 애플리케이션에서 신속한 응답과 개선된 시스템 효율 열 안정성: 낮은 열 저항과 효과적인 방열 특성으로 고온 환경에서도 신뢰 유지 넓은 동작 범위: 전압 및 온도 변화가 큰 환경에서도 안정적인 동작 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 다양한 PCB 구성에 대응 품질 및 규정 준수: JEDEC, AEC-Q101(자동차용 모델), RoHS, REACH를 충족 적용 시나리오 및 설계 고려사항 Power Management 분야에서 SIHG73N60E-GE3은 DC-DC 컨버터,…
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SQ9407EY-T1_GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SQ9407EY-T1_GE3 — 고신뢰성 트랜지스터 및 MOSFET: 효율적인 전력 및 신호 제어를 위한 선택 Vishay Siliconix는 전력 효율성, 열 성능, 그리고 장기적인 신뢰성에 중점을 둔 고성능 반도체 솔루션을 제공하는 유명한 브랜드입니다. 이 브랜드는 전 세계적으로 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 애플리케이션에서 널리 채택되고 있습니다. 그 중에서 Vishay Siliconix SQ9407EY-T1_GE3는 높은 효율성, 뛰어난 열 안정성, 빠른 스위칭 성능을 제공하는 트랜지스터(MOSFET)로 전력 변환 및 정밀한 전력 제어를 위한 최적의 선택으로 자리잡고 있습니다. 주요 특징 낮은 RDS(on) SQ9407EY-T1_GE3는 낮은 RDS(on) 특성을 가지고 있어, 전도 손실을 최소화하고 효율성을 극대화할 수 있습니다. 이는 고효율의 전력 관리가 중요한 전력 변환 시스템에 필수적인 특성입니다. 빠른 스위칭 성능 이 MOSFET는 고주파 애플리케이션에 최적화된 빠른 스위칭 성능을 제공합니다. 고속 스위칭을 통해 전력 손실을 최소화하고, 효율적인 전력 제어가 가능합니다. 우수한 열 안정성 SQ9407EY-T1_GE3는 낮은 열 저항을 자랑하며, 강력한 열 방산 성능을 제공합니다. 이를 통해…
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SI1467DH-T1-E3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SI1467DH-T1-E3: 고신뢰도 FET로 효율적 전력 및 신호 제어 구현 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology 산하의 대표적인 파워 반도체 브랜드로서 고성능 MOSFET, 파워 IC 및 디스크리트 솔루션에 집중합니다. 전력 효율, 열 성능, 장기 신뢰성에 강점을 두고 있으며, 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 분야에서 널리 활용됩니다. SI1467DH-T1-E3는 이러한 아이덴티티를 담은 고성능 트랜지스터- FET로, 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 특성 및 까다로운 전기/열 조건에서도 안정적으로 작동하도록 설계되었습니다. Vishay의 첨단 웨이퍼/공정 기술로 구현된 이 소자는 폭넓은 동작 조건에서 효율적인 전력 변환과 정밀한 파워 컨트롤을 지원합니다. 핵심 특징 및 기술적 강점 저 RDS(on)으로 전도 손실 감소: 더 높은 시스템 효율을 가능하게 하는 핵심 요소로, 열 관리 부담을 낮춥니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 애플리케이션에서의 신속한 전압 변화 대응으로 VOC(전력 품질) 개선에 기여합니다. 열 안정성: 낮은 열 저항과 우수한 방열 특성으로 고부하 및 연속 작동에서도 안정적 동작을 유지합니다. 넓은 동작 범위:…
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SIRA06DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SIRA06DP-T1-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터(FET/MOSFET) 단일 소자로 효율과 제어를 한 단계 끌어올리다 Vishay Siliconix는 고성능 MOSFET, 파워 IC, 디스크리트 반도체 솔루션에서 오랜 역사를 가진 브랜드입니다. 전력 효율, 열 성능, 장기 신뢰성에 대한 집중으로 자동차, 산업, 소비자 전자 및 컴퓨팅 분야에서 널리 채택되고 있습니다. SIRA06DP-T1-GE3는 이러한 강점을 바탕으로 낮은 컨덕션 손실과 빠른 스위칭 특성, 까다로운 전기·열 조건에서도 안정적인 작동을 제공하도록 설계되었습니다. 이 소자는 최신 실리콘 공정을 적용해 전력 변환과 정밀 전력 제어를 폭넓은 운용 범위에서 가능하게 하며, 다양한 산업 표준 패키지로 제공되어 현대 설계에서의 PCB 레이아웃과 통합을 용이하게 합니다. 특징과 이점 낮은 RDS(on)으로 컨덕션 손실 최소화: 전력 효율을 높이고 방열 요구를 줄여 시스템 전체의 열 관리 부담을 감소시킵니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에 최적화되어 고속 PWM 제어와 다이나믹 로드 변화에 안정적으로 대응합니다. 열 안정성 및 열 저항 특성: 낮은 열저항과 우수한 방열 성능으로 고온 환경에서도…
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SI3473DDV-T1-GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SI3473DDV-T1-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터(FET, MOSFET) 단일 소자로 효율적 파워 및 신호 제어 구현 SI3473DDV-T1-GE3은 Vishay Siliconix의 최신 silicon MOSFET 기술로, 낮은 RDS(on)과 빠른 스위칭 특성, 열 관리 강인성을 한꺼번에 제공하도록 설계되었습니다. 이 소자는 고주파 수요와 좁은 공간의 PCB 레이아웃에서 탁월한 전력 변환 효율을 달성하도록 만들어졌으며, 다양한 패키지 옵션으로 현대 시스템의 설계 여유를 넓혀 줍니다. Vishay의 고성능 공정과 신뢰성 중심의 설계 철학은 자동차, 산업, 컴퓨팅 및 소비자 전자 분야에서의 지속 가능한 전력 제어 솔루션으로 이 칩을 각인시킵니다. SI3473DDV-T1-GE3의 핵심 특징 낮은 RDS(on): 도통손실이 줄어들어 고효율 전력 전환 가능 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에서의 응답 속도와 효율 강화 열 특성 안정성: 낮은 열 저항과 우수한 방열 성능으로 고온 조건에서도 신뢰성 유지 넓은 작동 범위: 전압 및 온도 확장 적용 가능 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 설계 편의성 향상 품질 및 규정…
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SIHP22N60AE-GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SIHP22N60AE-GE3: 고신뢰성 FET로 효율적 전력 제어 실현 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology 산하의 잘 알려진 반도체 브랜드로, 고성능 MOSFET, 파워 IC 및 디스크리트 솔루션을 집중적으로 제공합니다. 전력 효율, 열 성능, 장기 신뢰성에 초점을 맞춘 제품군으로 자동차, 산업, 가전, 컴퓨팅 분야에서 널리 채택되고 있습니다. SIHP22N60AE-GE3은 단일 실리콘 소자로 설계된 고성능 트랜지스터(FET)로, 낮은 전도 손실과 빠른 스위칭 특성, 열 환경에서도 안정적인 동작을 제공합니다. Vishay의 첨단 실리콘 공정을 통해 다양한 작동 시나리오에서 전력 변환과 정밀 전력 제어를 가능하게 합니다. 주요 특징 Low RDS(on): 저전도 손실로 시스템 효율 향상 Fast Switching Performance: 고주파 애플리케이션에 최적화된 빠른 스위칭 Thermal Stability: 낮은 열 저항과 견고한 방열 특성으로 고온에서도 안정적인 동작 보장 Wide Operating Range: 넓은 전압 및 온도 범위에서의 신뢰성 있는 동작 Package Flexibility: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 다양한 PCB 레이아웃 지원 Quality
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SQ3481EV-T1_BE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SQ3481EV-T1_BE3 — 고신뢰성 트랜지스터(FET)로 효율적인 전력 및 신호 제어를 가능하게 하는 단일 소자 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology 산하의 권위 있는 반도체 브랜드로, 고성능 MOSFET, 파워 IC 및 디스크리트 솔루션에 집중합니다. 파워 효율성과 열 성능, 장기 신뢰성에 대한 강력한 포커스로 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 분야에서 널리 채택되고 있습니다. SQ3481EV-T1_BE3는 낮은 컨덕션 손실, 빠른 스위칭 동작, 까다로운 전기 및 열 조건에서도 안정적으로 작동하도록 설계된 고성능 트랜지스터-필드효과트랜지스터(FET)입니다. Vishay의 첨단 실리콘 공정을 적용해 효율적인 전력 변환과 정밀한 파워 제어를 폭넓은 작동 시나리오에서 지원합니다. 다양한 산업 표준 패키지로 제공되어 현대의 파워 및 신호 제어 설계에 편리하게 적용할 수 있습니다. 주요 특징 저 RDS(on)로 전도 손실 감소 및 효율 향상 빠른 스위칭 특성으로 고주파 응용에 최적화 열 안정성 및 낮은 열저항으로 견고한 방열 성능 확보 넓은 동작 범위로 확장된 전압 및 온도 조건에서도 안정적인 동작 패키지 유연성: TO,…
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