Vishay Siliconix

Vishay Siliconix IRFD9024PBF — 고신뢰성 트랜지스터: 효율적인 전력 및 신호 제어를 위한 FET, MOSFET 단일 소자 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology의 자회사로, 고성능 MOSFET, 전력 IC, 그리고 분리형 반도체 솔루션을 전문으로 하는 브랜드입니다. 전력 효율성, 열 성능 및 장기적인 신뢰성에 중점을 둔 Vishay Siliconix 제품은 자동차, 산업, 소비자, 컴퓨팅 애플리케이션 전반에서 널리 사용됩니다. 그 중에서도 IRFD9024PBF는 뛰어난 성능과 효율성을 자랑하는 FET(MOSFET) 단일 소자로, 다양한 전력 및 신호 제어 응용 분야에서 큰 역할을 합니다. IRFD9024PBF의 주요 특징 저 RDS(on) IRFD9024PBF는 낮은 RDS(on) 특성을 자랑하여 전도 손실을 최소화하고, 높은 전력 효율성을 제공합니다. 이는 전력 변환 시스템에서 중요한 요소로, 전체 시스템의 성능을 극대화하는 데 기여합니다. 빠른 스위칭 성능 고속 스위칭 성능이 최적화된 IRFD9024PBF는 고주파 애플리케이션에서 매우 중요한 역할을 합니다. 빠른 전환 속도는 시스템의 효율성을 높이고, 더 작은 부품을 사용할 수 있게 하여 설계의 유연성을 제공합니다. 열 안정성 이 MOSFET는…

Vishay Siliconix SI7386DP-T1-E3는 단일 고신뢰성 FET으로, 전력 및 신호 제어를 위한 효율성과 신뢰성을 한층 끌어올리는 솔루션입니다. Vishay Siliconix는 파워 MOSFET, 파워 IC 및 이산 반도체 솔루션에서 강력한 선두주자로 자리매김해 왔으며, 이 제품은 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 속도, 열 관리의 용이성 등을 바탕으로 다양한 전자 시스템에서 안정적인 동작을 보장합니다. 고급 실리콘 공정 기술을 적용해 설계된 SI7386DP-T1-E3는 폭넓은 동작 조건에서도 효율적인 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 가능하게 합니다. 표준 패키지 다수로 제공되어 현대 전력/신호 제어 설계에서 PCB 레이아웃의 융통성과 실용성을 높여 줍니다. 주요 특징 저 RDS(on)으로 전도 손실 감소 및 시스템 효율 향상 빠른 스위칭 성능으로 고주파 응용에 최적화 열 안정성 우수: 낮은 열 저항과 견고한 열 방산 넓은 동작 범위: 전압·온도 조건이 넓은 환경에서도 안정적 동작 패키지 다양성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 구성되어 설계 자유도 확대 품질 및 규정 준수: JEDEC, AEC-Q101(자동차…

Vishay Siliconix SISS72DN-T1-GE3: 고신뢰성 FET으로 효율적 전력 및 신호 제어를 실현 Vishay Siliconix는 고성능 MOSFET과 파워 IC, 디스크리트 솔루션을 선도하는 브랜드로, 전력 효율, 열 성능, 그리고 장기 신뢰성에 초점을 맞춘 제품으로 널리 알려져 있습니다. SISS72DN-T1-GE3는 단일 트랜지스터로 설계되어 낮은 컨덕션 손실과 빠른 스위칭 특성, 열 악조건에서도 안정적인 동작을 제공합니다. 이 부품은 최신 실리콘 공정을 바탕으로 해 전력 변환과 정밀 전력 제어를 필요로 하는 다양한 어플리케이션에 맞춰 설계되었으며, 다양한 산업 표준 패키지로 PCB 레이아웃의 유연성과 설계 편의성을 제공합니다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 전도 손실을 최소화해 시스템 효율을 높이고 발열을 관리하기 쉽습니다. 이는 DC-DC 컨버터나 로드 스위치 같은 파워 모듈에서 중요한 이점으로 작용합니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 애플리케이션에서도 우수한 스위칭 속도와 전환 특성을 제공해 손실을 줄이고 응답 속도를 향상시킵니다. 열 안정성: 낮은 열 저항과 견고한 열 방산으로 고부하 환경에서도 안정적인 동작을 유지합니다. 넓은 동작 범위: 확장된 전압…

Vishay Siliconix IRFIBC30GPBF — 고신뢰성 모스펫으로 효율적 전력 및 신호 제어 주요 특징 저 RDS(on)으로 전도 손실 감소: IRFIBC30GPBF는 낮은 드리프트 저항을 통해 고효율 전력 변환과 낭비를 줄여, DC-DC 컨버터와 로드 스위치 같은 구성에서 열 관리 부담을 완화합니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 환경에서의 스위칭 속도를 최적화해 시스템의 응답성과 총 손실을 개선합니다. 열적 안정성: 낮은 열저항과 견고한 방열 특성으로 좁은 공간 내에서도 안정적인 동작을 유지합니다. 넓은 작동 범위: 확장된 전압 및 온도 영역에서의 신뢰로운 작동을 지원해 자동차, 산업, 엔터프라이즈 및 소비자 분야의 다양한 설계에 적합합니다. 패키지 선택의 융통성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 다양한 PCB 레이아웃에 쉽게 통합할 수 있습니다. 품질 및 규정 준수: JEDEC 표준 준수는 물론 AEC-Q101( automotive-grade 모델), RoHS, REACH를 충족하여 엄격한 품질 요구를 가진 애플리케이션에서도 신뢰할 수 있습니다. 적용 분야 및 설계 유연성 Vishay Siliconix의 IRFIBC30GPBF는 전력 관리와 신호 제어의…

Vishay Siliconix SIHH080N60E-T1-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터, FET, MOSFET 단일 소자 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology의 하위 브랜드로, 고성능 MOSFET, 전력 IC, 그리고 개별 반도체 솔루션을 전문으로 하는 회사입니다. 전력 효율성, 열 성능, 장기적인 신뢰성에 중점을 둔 Vishay Siliconix의 제품들은 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 응용 분야에서 널리 사용되고 있습니다. 이번에 소개할 제품은 Vishay Siliconix의 SIHH080N60E-T1-GE3로, 효율적인 전력 및 신호 제어를 위한 고성능 트랜지스터(FET)입니다. SIHH080N60E-T1-GE3의 특징 Vishay Siliconix의 SIHH080N60E-T1-GE3는 고성능 MOSFET 단일 소자로 설계되어, 저전도 손실, 빠른 스위칭 성능, 그리고 열적 안정성을 제공합니다. 이 소자는 Vishay의 고급 실리콘 프로세스를 기반으로 설계되어 다양한 전기적 및 열적 조건에서 안정적으로 동작합니다. 이 MOSFET는 특히 전력 변환 효율을 극대화하고, 정밀한 전력 제어를 지원합니다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 전도 손실을 줄여 높은 효율성 제공 빠른 스위칭 성능: 고주파수 응용 프로그램에 최적화 열 안정성: 낮은 열 저항과 강력한 열 방출 성능 넓은 동작…

Vishay Siliconix SIHFL110TR-BE3 — 고신뢰성 트랜지스터(FET)로 효율적 전력 및 신호 제어 핵심 특징 Low RDS(on)으로 컨덕션 손실을 최소화하고 시스템 효율을 높임 Fast Switching Performance로 고주파 응용에서도 우수한 전환 속도 제공 Thermal Stability가 뛰어나 낮은 열저항으로 견고한 방열 성능 발휘 Wide Operating Range로 넓은 전압 및 온도 조건에서 안정적인 동작 보장 Package Flexibility: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 다양한 표준 패키지로 설계 및 보드 레이아웃의 유연성 확보 Quality

Vishay Siliconix IRFR120PBF-BE3 — 고신뢰성 트랜지스터 FET, MOSFET 단일형 효율적인 전력 및 신호 제어 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology의 자회사로, 고성능 MOSFET, 전력 IC 및 이산 반도체 솔루션을 전문으로 하는 반도체 브랜드입니다. 전력 효율성, 열 성능 및 장기적인 신뢰성에 강점을 가진 Vishay Siliconix의 제품들은 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 애플리케이션에서 널리 사용되고 있습니다. Vishay Siliconix IRFR120PBF-BE3는 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 성능, 그리고 까다로운 전기적 및 열적 조건에서 안정적인 동작을 제공하도록 설계된 고성능 FET(MOSFET)입니다. Vishay의 고급 실리콘 공정을 통해 설계되어 효율적인 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 지원하며 다양한 작동 시나리오에서 안정적인 성능을 보장합니다. 또한, 산업 표준 패키지로 제공되어, 유연한 PCB 레이아웃과 현대적인 전력 및 신호 제어 시스템에 쉽게 통합할 수 있습니다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 전도 손실이 감소하여 더 높은 효율성 제공 빠른 스위칭 성능: 고주파 애플리케이션에 최적화 열 안정성: 낮은 열 저항 및 강력한 열…

Vishay Siliconix SIR876BDP-T1-RE3 — 고신뢰성 FET 단일 소자, 효율적 전력 및 신호 제어를 위한 선택 주요 특징 및 설계 이점 Vishay Siliconix가 제공하는 SIR876BDP-T1-RE3은 단일 트랜지스터-MOSFET 솔루션으로, 낮은 RDS(on)으로 도체 손실을 최소화하고 빠른 스위칭 특성으로 고주파 응용에서 우수한 성능을 발휘합니다. 이 소자는 열 저항이 낮아 열 관리가 용이하고, 다양한 작동 온도와 전압 범위를 지원해 열악한 조건에서도 안정적인 동작을 보장합니다. 패키지 면에서도 TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지를 포함한 폭넓은 옵션을 제공해 PCB 레이아웃의 유연성을 극대화합니다. 품질 및 규정 준수 측면에서도 JEDEC 표준, 자동차 등급의 AEC-Q101(모델에 따라), RoHS 및 REACH를 충족하도록 설계되어 전장 환경에서의 신뢰성을 확보합니다. 이러한 특성은 전력 변환 및 신호 제어 설계에서 효율성과 신뢰성을 동시에 달성하는 데 큰 도움이 됩니다. 적용 시나리오 SIR876BDP-T1-RE3은 다양한 산업과 시스템에 걸쳐 활용될 수 있습니다. 파워 매니지먼트 영역에서는 DC-DC 컨버터, 로드 스위치, 파워 모듈 등에서 고효율 전력 관리에…

Vishay Siliconix SI7850DP-T1-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터(FET/MOSFET) 단일 소자로 효율적 전력 및 신호 제어를 구현 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology 산하의 선도적 반도체 브랜드로, 고성능 MOSFET, 파워IC, 디스크리트 솔루션에 집중합니다. 전력 효율성, 열 성능, 신뢰성의 긴 수명을 바탕으로 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 분야에서 널리 채택되고 있습니다. SI7850DP-T1-GE3는 이러한 강점을 바탕으로, 낮은 전도 손실과 빠른 스위칭 특성, 그리고 열적 조건이 까다로운 상황에서도 안정적으로 동작하도록 설계된 고성능 MOSFET 단일 소자입니다. Vishay의 첨단 실리콘 공정으로 개발된 이 소자는 전력 변환의 효율을 끌어올리고 전력 제어를 정밀하게 수행하도록 최적화되어 있습니다. 다양한 산업 표준 패키지로 제공돼 현대 파워/신호 제어 설계에서 PCB 레이아웃과 통합이 용이합니다. 개요 및 핵심 기술 SI7850DP-T1-GE3은 단일 MOSFET 소자로 구성된 고성능 트랜지스터 계열의 핵심 부품입니다. 저전도 손실(RDS(on) 감소)을 통해 시스템 전반의 효율을 높이고, 빠른 스위칭 특성으로 고주파 애플리케이션에서도 우수한 응답성을 제공합니다. 또한 열 저항이 낮고 열 방출이 robust하게 설계되어,…

개요 Vishay Siliconix는 고성능 MOSFET, 파워 IC 및 디스크리트 반도체 솔루션으로 잘 알려진 글로벌 브랜드입니다. SIHB12N50E-GE3는 단일형 고신뢰성 트랜지스터(FET/MOSFET)로, 저전도 손실, 빠른 스위칭 특성, 그리고 까다로운 전기적·열적 조건에서도 안정적인 동작을 제공하도록 설계되었습니다. Vishay의 첨단 실리콘 공정을 통해 개발된 이 소자는 광범위한 작동 환경에서 효율적인 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 가능하게 하며, 현대의 파워 및 신호 제어 설계에 유연성을 더합니다. 다양한 산업 표준 패키지로 제공되어 실무 PCB 레이아웃과의 통합이 용이합니다. 주요 특징 및 이점 낮은 RDS(on)로 전도 손실 감소: 전력 변환 효율을 높이고 열 관리 부담을 줄여 시스템의 전반적인 성능을 향상시킵니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용 분야에서의 응답 속도와 제어 정확도를 개선합니다. 열적 안정성: 낮은 열 저항과 견고한 방열 특성으로 열 폭주를 방지하고 신뢰성을 강화합니다. 넓은 작동 범위: 폭넓은 전압 및 온도 범위를 지원해 다양한 운용 환경에 대응합니다. 패키지 플렉서빌리티: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준…