Vishay Siliconix

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SIHF18N50C-E3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SIHF18N50C-E3 — 고신뢰성 MOSFET로 구현하는 효율적 전력·신호 제어 Vishay Siliconix는 전력용 MOSFET과 파워 IC 분야에서 오랜 실적을 가진 브랜드로, SIHF18N50C-E3는 그 중에서도 효율과 신뢰성을 동시에 겨냥한 고성능 단일 MOSFET 제품입니다. 낮은 도통 저항과 빠른 스위칭 특성, 견고한 열적 안정성을 바탕으로 자동차·산업·소비자·컴퓨팅 등 다양한 설계에서 전력 변환과 신호 제어 역할을 충실히 수행합니다. 제품 개요 및 핵심 특징 SIHF18N50C-E3는 Vishay의 진보된 실리콘 공정으로 설계된 N-채널 MOSFET으로, 낮은 RDS(on) 값으로 도통 손실을 줄여 시스템 효율을 끌어올립니다. 고주파 대역에서의 스위칭 성능도 최적화되어 DC-DC 컨버터나 스위칭 전원, 고속 스위칭 회로에서 성능 우위를 제공합니다. 주요 특징은 다음과 같습니다. 낮은 RDS(on): 전력 손실과 발열 저감으로 효율 향상 빠른 스위칭: 스태틱과 다이내믹 손실을 동시에 감소 우수한 열적 안정성: 낮은 열저항으로 열 관리 용이 넓은 동작 범위: 전압·온도에 대한 견고한 동작 보장 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 산업 표준 패키지…
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SUM110N04-2M3L-E3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SUM110N04-2M3L-E3 — 고신뢰성 MOSFET으로 효율적 전력·신호 제어 실현 제품 개요 Vishay Intertechnology 산하의 Vishay Siliconix 브랜드는 고성능 MOSFET과 전력 반도체 솔루션으로 잘 알려져 있습니다. SUM110N04-2M3L-E3는 그런 전통을 잇는 단일 채널 MOSFET으로, 낮은 도통저항(RDS(on)), 빠른 스위칭 특성, 우수한 열적 안정성을 결합해 까다로운 전기·열 환경에서도 안정적으로 동작하도록 설계되었습니다. 첨단 실리콘 공정과 패키지 다양화를 통해 PCB 설계 유연성을 제공하며, 전력 변환과 정밀 전력 제어가 필요한 현대 전자 시스템에 적합합니다. 핵심 특징 및 응용 분야 주요 특징 저 RDS(on): 도통 손실을 최소화해 시스템 효율을 높이고 발열을 줄입니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 컨버터 및 스위칭 애플리케이션에서 스위칭 손실을 낮춥니다. 열적 안정성: 낮은 열저항과 우수한 열방출 특성으로 장시간 신뢰성 있는 동작이 가능합니다. 넓은 동작 범위: 확장된 전압·온도 범위 지원으로 다양한 환경에서 활용 가능합니다. 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 산업 표준 패키지로 제공되어 PCB 레이아웃과 냉각 설계 선택…
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SI5499DC-T1-E3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SI5499DC-T1-E3 — High-Reliability Transistors - FETs, MOSFETs - Single for Efficient Power and Signal Control 소개 Vishay Siliconix의 SI5499DC-T1-E3는 높은 신뢰성과 성능을 요구하는 전력 및 신호 제어 설계에 적합한 단일 MOSFET 소자입니다. 저전력 손실과 빠른 스위칭, 견고한 열 특성을 결합해 자동차, 산업 장비, 소비자가전 등 다양한 시스템에서 효율적인 전원 변환과 정밀 제어를 가능하게 합니다. 이 글에서는 핵심 특징, 실제 적용 분야, 패키지와 공급 지원 관점에서 이 소자의 가치를 정리합니다. 주요 특징 및 설계 이점 저 RDS(on): 낮은 온저항으로 전도 손실을 줄여 전체 시스템 효율을 개선하고 발열을 억제합니다. 배터리 기반 장치와 고효율 전원 설계에서 직접적인 이득을 제공합니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 동작에 최적화된 트랜지스터 설계로 PWM 기반 DC-DC 컨버터나 스위칭 레귤레이터에서 손실을 최소화하고 EMI 관리를 용이하게 합니다. 열적 안정성: 낮은 열저항과 우수한 열 확산 특성으로 열 결합이 큰 환경에서도 안정적인 동작을 보장합니다. 고온 조건이나…
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IRF9Z30 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix IRF9Z30 — 고신뢰성 MOSFET으로 구현하는 효율적 전력·신호 제어 전력 효율과 열 신뢰성이 요구되는 설계에서 MOSFET 선택은 성능과 제품 신뢰성을 좌우한다. Vishay의 Siliconix 라인업에 속한 IRF9Z30은 낮은 도통 손실과 빠른 스위칭 응답, 안정적인 열 특성을 균형 있게 제공하도록 설계된 단일 채널 트랜지스터다. 자동차부터 산업용, 소비자 기기까지 다양한 분야에서 효율적인 전력 변환과 정밀한 신호 제어를 필요로 하는 시스템에 적합하다. 주요 특징 IRF9Z30은 Vishay의 공정 노하우를 바탕으로 다음과 같은 핵심 특성을 제공한다. 낮은 RDS(on): 도통 손실을 최소화하여 전력 손실 감소와 발열 저감에 기여한다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에서도 스위칭 손실을 줄여 전력 변환 효율을 향상시킨다. 열적 안정성: 낮은 열 저항과 우수한 열 분산 특성으로 높은 온도 환경에서의 신뢰성을 확보한다. 넓은 동작 범위: 확장된 전압·온도 범위를 지원하여 다양한 시스템 요구 조건에 대응한다. 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 산업 표준 패키지로 제공되어 PCB 설계와 열 관리…
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SIR640DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SIR640DP-T1-GE3 — 고신뢰성 MOSFET으로 전력과 신호를 더 스마트하게 제어하기 제품 개요 Vishay Intertechnology 산하의 Vishay Siliconix는 고성능 MOSFET과 전력 반도체 솔루션으로 산업 전반에서 널리 신뢰받는 브랜드입니다. SIR640DP-T1-GE3는 이러한 기술력이 응집된 싱글 MOSFET으로, 낮은 도통 손실과 빠른 스위칭 특성, 열적 안정성을 목표로 설계되었습니다. 고급 실리콘 공정을 기반으로 전력 변환 효율을 끌어올리고, 까다로운 전기·열 조건에서도 안정적으로 동작하도록 최적화되어 있어 자동차, 산업, 소비자 기기, 컴퓨팅 등 다양한 분야에서 사용하기 적합합니다. 주요 특징 및 적용 분야 낮은 RDS(on): 전도 손실을 감소시켜 전력 효율을 향상시키므로 배터리 기반 시스템이나 전력 변환 회로에서 열 발생을 줄이고 전체 시스템 효율을 개선합니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 스위칭에 적합해 DC-DC 컨버터나 전력 모듈, 고속 전력 제어 회로에 유리합니다. 열적 안정성: 낮은 열저항과 우수한 발열 분산 설계가 결합되어 장시간 고부하 운용 시에도 신뢰도를 유지합니다. 넓은 동작 범위: 확장된 전압·온도 범위를 지원해 다양한 환경 조건에서의…
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SI7888DP-T1-E3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SI7888DP-T1-E3 — 고신뢰성 트랜지스터로 효율적인 전력 및 신호 제어 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology의 주요 반도체 브랜드로, 고성능 MOSFET, 전력 IC, 및 분리형 반도체 솔루션을 전문으로 제공합니다. 이 회사는 전력 효율성, 열 성능, 그리고 장기적인 신뢰성에 강력한 집중을 두고 있으며, 그 제품들은 자동차, 산업, 소비자 전자 제품 및 컴퓨터 응용 분야에서 널리 채택되고 있습니다. Vishay Siliconix의 SI7888DP-T1-E3는 전력 변환 및 정밀한 전력 제어를 위한 고성능 트랜지스터(FET, MOSFET)로, 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 성능, 그리고 까다로운 전기적 및 열적 조건에서도 안정적인 동작을 제공합니다. Vishay의 첨단 실리콘 공정을 통해 설계된 이 장치는 다양한 작동 시나리오에서 효율적인 전력 변환을 지원합니다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 전도 손실을 줄여 더 높은 효율성을 제공합니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파수 응용 분야에 최적화되어 있습니다. 열적 안정성: 낮은 열 저항과 강력한 열 방출 능력을 자랑합니다. 광범위한 작동 범위: 확장된 전압 및 온도 범위를…
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SI4486EY-T1-E3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SI4486EY-T1-E3 — 고신뢰성 MOSFET으로 구현하는 효율적인 전력·신호 제어 Vishay Siliconix은 전력 반도체 분야에서 오랜 신뢰를 쌓아온 브랜드로, SI4486EY-T1-E3는 그 중에서도 전력 손실을 최소화하고 빠른 스위칭 특성을 제공하도록 설계된 고성능 단일 MOSFET 제품입니다. 향상된 실리콘 공정과 패키지 다양성 덕분에 현대의 전력 변환 및 신호 제어 설계에서 유연하고 안정적으로 동작합니다. 주요 특징 낮은 RDS(on): SI4486EY-T1-E3는 도통 손실을 줄이는 낮은 온저항을 지녀 효율 개선에 직접 기여합니다. 이는 전력 변환기와 로드 스위치에서 발열과 손실을 줄여 소형화와 고효율 설계에 유리합니다. 빠른 스위칭 성능: 고속 스위칭에 최적화되어 고주파 전력 회로나 PWM 제어 환경에서도 응답성이 우수합니다. 스위칭 손실을 줄여 전체 시스템 효율을 향상시킵니다. 열적 안정성: 낮은 열저항과 우수한 방열 특성으로 열 스트레스가 큰 환경에서도 안정적으로 동작합니다. 장시간 혹은 높은 전력 밀도 동작 시에도 신뢰도를 유지합니다. 넓은 동작 범위: 확장된 전압 및 온도 범위를 지원하여 자동차·산업용 등 가혹한 환경에서도 사용 가능하며,…
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SI7445DP-T1-E3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SI7445DP-T1-E3 — 고신뢰성 트랜지스터(FET, MOSFET)로 효율적인 전력·신호 제어 구현 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology 산하에서 전력반도체와 디스크리트 솔루션을 전문으로 하는 브랜드로, 고효율 전력 변환과 우수한 열적 신뢰성을 중점으로 제품을 개발해 왔습니다. SI7445DP-T1-E3는 이러한 전통을 계승한 고성능 싱글 MOSFET으로, 낮은 도통 저항과 빠른 스위칭 특성, 까다로운 열·전기 환경에서도 안정적으로 동작하도록 설계되어 다양한 산업 분야에서 유연하게 활용됩니다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 전도 손실을 최소화해 시스템 효율을 향상시키고 발열을 줄여 전력관리 설계의 여유를 확보합니다. 고속 스위칭: 고주파 응용에서의 스위칭 손실을 억제하도록 최적화되어 DC-DC 컨버터, 부하 스위치 등에서 뛰어난 성능을 발휘합니다. 열적 안정성: 낮은 열저항과 우수한 열 분산 특성으로 높은 전류·온도 환경에서도 안정적인 동작을 지원합니다. 넓은 동작 범위: 전압 및 온도 범위가 확장되어 다양한 작동 조건에 대응 가능하며 설계 마진을 넓혀줍니다. 패키지 다양성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 계열 등 산업 표준 패키지로 제공되어 PCB 레이아웃과 열 설계 선택지를…
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SI4466DY-T1-E3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SI4466DY-T1-E3 — 고신뢰성 MOSFET으로 구현하는 효율적인 전력 및 신호 제어 Vishay Siliconix는 전력 반도체 분야에서 오랜 신뢰를 쌓아온 브랜드로, SI4466DY-T1-E3는 그 중에서도 고효율·고신뢰성을 목표로 설계된 단일 MOSFET 제품이다. 저전력 손실과 빠른 스위칭 성능, 그리고 까다로운 열·전기적 환경에서도 안정된 동작을 제공하도록 제작되어 자동차, 산업용, 소비자 기기 등 다양한 분야에서 활용 가능하다. 이 글에서는 제품의 핵심 장점과 설계 적용 포인트, 그리고 안정적인 조달 지원에 대해 간결하게 정리한다. 주요 특징 및 기술적 장점 낮은 RDS(on): SI4466DY의 낮은 통과 저항은 컨덕션 손실을 줄여 전력 변환 효율을 높인다. 이로 인해 열 발생이 감소하고 소형화된 방열 설계에도 유리하다. 빠른 스위칭 성능: 게이트 전하와 전환 특성이 최적화되어 고주파 스위칭이 요구되는 DC-DC 컨버터나 고속 전원 모듈에 적합하다. 스위칭 손실이 적어 전체 시스템 효율 개선에 기여한다. 열적 안정성: 낮은 열저항과 견고한 방열 특성을 바탕으로 고온 환경에서도 성능 저하를 최소화한다. 장시간 신뢰성 테스트에서…
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IRF3205ZSTRL Vishay Siliconix
Vishay Siliconix IRF3205ZSTRL — 고신뢰성 트랜지스터(FET, MOSFET)로 효율적인 전력 및 신호 제어 제품 개요 및 핵심 특성 Vishay Siliconix IRF3205ZSTRL은 저손실 전도 특성과 빠른 스위칭 성능을 동시에 제공하도록 설계된 싱글 MOSFET입니다. Vishay의 고급 실리콘 공정을 바탕으로 제작되어 전력 변환 효율과 열적 안정성이 뛰어나며, 까다로운 전기·열 환경에서도 안정적인 동작을 보장합니다. 낮은 RDS(on)은 도통 손실을 줄여 시스템 효율을 향상시키고, 최적화된 게이트 특성은 고주파수 스위칭에 적합합니다. 또한 저항성 열저항 설계와 우수한 방열 특성으로 높은 전력 밀도 환경에서도 신뢰성을 유지합니다. 주요 기능 요약 낮은 RDS(on): 전도 손실 최소화로 배터리·전력 효율 개선 빠른 스위칭: 고속 PWM 및 스위칭 전원 설계에 적합 열적 안정성: 낮은 열저항과 강건한 방열 특성 광범위 동작 범위: 확장된 전압·온도 동작 허용치 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지 제공 품질·규정 준수: JEDEC, AEC-Q101(자동차 등급 모델), RoHS, REACH 준수 적용 분야와 설계 장점 IRF3205ZSTRL은 전력…
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