Vishay Siliconix

Vishay Siliconix IRL530STRR — 고신뢰성 트랜지스터(MOSFET)로 효율적인 전력 및 신호 제어 Vishay Siliconix 브랜드는 전력 효율, 열 특성, 장기 신뢰성에 중점을 둔 반도체 솔루션으로 잘 알려져 있습니다. IRL530STRR은 이러한 철학을 반영한 고성능 싱글 MOSFET으로, 낮은 도통 손실과 빠른 스위칭, 까다로운 열·전기 조건에서도 안정적인 동작을 제공하도록 설계되었습니다. 자동차, 산업용, 소비자 가전, 컴퓨팅 등 다양한 분야에서 전력 변환과 정밀 제어가 필요한 시스템에 적합합니다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 도통 저항이 낮아 손실을 줄이고 시스템 효율을 향상시킵니다. 이는 전력 변환 효율이나 배터리 기반 기기의 사용 시간을 늘리는 데 직접적으로 기여합니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 전력 변환과 신호 스위칭에 최적화되어 스위칭 손실을 억제하고 전체 시스템 성능을 끌어올립니다. 열적 안정성: 낮은 열저항과 우수한 방열 특성으로 고온 환경에서도 신뢰성 있는 동작을 유지합니다. 열 설계 여유가 필요한 고밀도 전력 모듈에 유리합니다. 넓은 동작 범위: 확장된 전압 및 온도 범위에서 안정적으로 동작하여 다양한 응용…

Vishay Siliconix IRFR010TRL — 고신뢰성 트랜지스터 - FET, MOSFET 단일형 효율적인 전력 및 신호 제어 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology의 하위 브랜드로, 고성능 MOSFET, 전력 IC 및 이산 반도체 솔루션을 전문으로 하는 글로벌 반도체 제조업체입니다. 이 회사는 전력 효율성, 열 성능 및 장기적인 신뢰성에 강한 중점을 두고 있으며, 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 응용 분야에서 광범위하게 사용됩니다. Vishay Siliconix의 제품은 높은 효율성과 우수한 열 관리를 제공하며, 전력 변환 및 제어 시스템에서 탁월한 성능을 발휘합니다. IRFR010TRL 개요 및 특징 Vishay Siliconix IRFR010TRL은 전력 및 신호 제어를 위한 고성능 트랜지스터(FET, MOSFET)로, 전도 손실이 적고 빠른 스위칭 성능을 제공합니다. 이 소자는 열과 전기적 조건이 까다로운 환경에서도 안정적인 작동을 보장하며, Vishay의 첨단 실리콘 공정을 통해 설계되었습니다. 그 결과, 효율적인 전력 변환과 정밀한 전력 제어가 가능합니다. IRFR010TRL의 주요 특징은 다음과 같습니다: 낮은 RDS(on): 전도 손실이 적어 효율성을 극대화합니다. 빠른 스위칭 성능:…

Vishay Siliconix SI4880DY-T1-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터(FET/MOSFET)로 효율적인 전력·신호 제어 구현 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology 산하의 검증된 반도체 브랜드로, 고성능 MOSFET과 전력 IC, 디스크리트 소자에 특화되어 있다. 전력 효율과 열 성능, 장기 신뢰성에 중점을 둔 설계 철학 덕분에 자동차, 산업, 소비자 가전, 컴퓨팅 분야에서 널리 채택되고 있다. SI4880DY-T1-GE3는 이러한 전통을 잇는 고성능 단일 MOSFET 제품으로, 낮은 도통 손실과 빠른 스위칭, 엄격한 전기·열 조건에서도 안정된 동작을 제공하도록 설계되었다. 주요 특성 및 설계 장점 낮은 RDS(on): 도통 손실을 최소화해 전력 변환 효율을 향상시키며 발열을 줄인다. 특히 높은 전류 환경에서 효율 이득이 명확하다. 고속 스위칭 성능: 스위칭 손실을 줄이도록 최적화되어 고주파 DC-DC 변환기, 동기 정류 회로에 적합하다. 열적 안정성: 낮은 열저항과 우수한 방열 특성으로 온도 상승에 강하며, 고밀도 설계에서도 열 관리를 단순화한다. 넓은 동작 범위: 확장된 전압·온도 환경을 지원해 다양한 응용 분야에서 유연하게 사용 가능하다. 패키지 유연성: TO, DPAK,…

Vishay Siliconix IRF820ASTRL — 고신뢰성 MOSFET으로 구현하는 효율적 전력 제어 제품 개요 Vishay Intertechnology 산하의 전문 브랜드 Vishay Siliconix가 선보이는 IRF820ASTRL은 단일 채널 MOSFET으로 설계·제조된 고성능 전력반도체입니다. 저저항 RDS(on) 특성과 빠른 스위칭 특성을 결합해 전력 변환과 신호 제어에서 낮은 손실과 안정적인 동작을 제공합니다. 고급 실리콘 공정과 열 설계 최적화를 통해 자동차, 산업, 소비자, 컴퓨팅 분야의 까다로운 환경에서도 일관된 성능을 발휘하도록 만들어졌습니다. 주요 특징 및 장점 낮은 RDS(on): 도통 손실을 줄여 효율을 끌어올리며 발열 저감에 기여합니다. 전력손실이 적어 배터리 구동 시스템이나 고효율 DC-DC 컨버터에 적합합니다. 고속 스위칭: 스위칭 손실을 최소화하도록 튜닝되어 고주파 전력 변환 및 스위칭 전원 설계에 유리합니다. 열적 안정성: 낮은 열저항과 견고한 열방출 특성으로 높은 전류/온도 환경에서도 안정적으로 동작합니다. 넓은 동작 범위: 다양한 전압·온도 조건에서 동작하도록 설계되어 산업용 및 자동차용 애플리케이션의 요구를 충족합니다. 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 제공되어 PCB…

Vishay Siliconix SI2335DS-T1-E3 — 고신뢰성 트랜지스터 FET/MOSFET으로 효율적 전력 및 신호 제어 구현 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology 산하의 검증된 반도체 브랜드로, 고성능 MOSFET과 전력 IC, 이산 반도체 솔루션에 특화되어 있다. SI2335DS-T1-E3는 낮은 도통 손실과 빠른 스위칭, 열적 안정성을 바탕으로 까다로운 전기·열 조건에서도 안정적으로 동작하도록 설계된 단일 MOSFET이다. 첨단 실리콘 공정 기술을 적용해 전력 변환 효율을 높이고 정밀한 전력 제어를 가능하게 하며, 다양한 산업 표준 패키지로 공급되어 PCB 설계에 유연성을 제공한다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 도통 시 손실을 최소화해 전력 효율을 개선하고 발열을 줄여 전체 시스템 효율을 높인다. 고속 스위칭 성능: 고주파 동작에 최적화되어 DC-DC 컨버터, 스위칭 레귤레이터 등에서 응답성을 향상시킨다. 열적 안정성: 낮은 열저항과 견고한 열 방출 특성으로 높은 전류·온도 환경에서도 신뢰성 있는 동작을 유지한다. 넓은 동작 범위: 확장된 전압·온도 범위를 지원해 다양한 애플리케이션에서 안정적으로 활용할 수 있다. 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등…

Vishay Siliconix IRFIBF30G — 고신뢰성 MOSFET으로 구현하는 효율적 전력 제어 제품 개요 Vishay Siliconix IRFIBF30G는 단일 채널 MOSFET 트랜지스터로, 낮은 도통 저항(RDS(on)), 빠른 스위칭 특성, 우수한 열적 안정성을 결합해 다양한 전력 및 신호 제어 설계에 적합하도록 설계된 고성능 소자입니다. Vishay Siliconix의 선진 실리콘 공정을 바탕으로 제작되어 전력 변환 효율을 높이고, 고주파 동작에서도 신뢰성 있는 성능을 제공합니다. 여러 산업 표준 패키지(TO, DPAK, PowerPAK, SO 등)로 제공되어 PCB 레이아웃과 통합이 용이합니다. 주요 특징 및 장점 낮은 RDS(on): 도통 손실을 줄여 시스템 효율을 개선하고 발열을 낮춥니다. 특히 전력관리 회로와 스위칭 전원에 직접적인 이점이 있습니다. 빠른 스위칭 성능: 게이트-드레인 및 게이트-소스 구조 최적화로 스위치 전환 손실을 최소화해 고주파 전원 설계에 유리합니다. 열적 안정성: 낮은 열저항과 우수한 열 확산 특성으로 연속 동작 시에도 온도 상승을 억제하며 장기 신뢰성을 확보합니다. 넓은 동작 범위: 확장된 전압·온도 범위를 지원해 자동차, 산업용 환경의 가혹한…

Vishay Siliconix SI7718DN-T1-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터: 효율적인 전력 및 신호 제어를 위한 FETs, MOSFETs 단일 소자 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology 산하의 잘 알려진 반도체 브랜드로, 고성능 MOSFET, 전력 IC 및 분리형 반도체 솔루션을 전문으로 합니다. 이 회사는 전력 효율성, 열 성능 및 장기적인 신뢰성에 집중하는 제품을 제공하며, 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 분야에서 널리 채택되고 있습니다. Vishay Siliconix SI7718DN-T1-GE3 소개 Vishay Siliconix의 SI7718DN-T1-GE3는 고성능 트랜지스터로, 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 특성 및 높은 열 안정성을 제공합니다. 이 소자는 Vishay의 첨단 실리콘 공정을 통해 설계되어 다양한 전기적 및 열적 조건에서도 안정적인 동작을 보장하며, 효율적인 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 지원합니다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 전도 손실을 줄여 높은 효율성을 제공합니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파수 응용을 위해 최적화되었습니다. 열 안정성: 낮은 열 저항과 견고한 열 방출 성능을 자랑합니다. 넓은 동작 범위: 확장된 전압 및 온도 범위를 지원합니다.…

Vishay Siliconix SI1056X-T1-E3 — 고신뢰성 전력·신호 제어용 MOSFET 서론: 성능과 신뢰성을 동시에 잡은 솔루션 Vishay Siliconix 브랜드의 SI1056X-T1-E3는 저전력 손실과 빠른 스위칭 특성을 결합한 싱글 MOSFET 소자입니다. 고급 실리콘 공정을 통해 설계되어 열적·전기적 스트레스가 심한 환경에서도 안정적으로 동작하도록 최적화되어 있으며, 자동차·산업·소비재·컴퓨팅 분야의 다양한 전력 제어 과제에 적합합니다. 주요 특징 — 효율과 내구성을 위한 핵심 사양 낮은 RDS(on): 도통 손실 최소화로 전력 변환 효율이 향상되며 발열을 억제합니다. 이는 배터리 구동 기기나 고밀도 전력회로에서 효율 개선으로 직결됩니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에 최적화되어 전력 모듈의 스위칭 손실을 줄이고 소형화에 기여합니다. 열적 안정성: 낮은 열저항과 효과적인 열 분산 특성으로 연속 가동 시에도 안정적인 동작을 보장합니다. 넓은 동작 범위: 확장된 전압·온도 범위를 커버하여 가혹한 산업 환경 및 자동차 전장 적용에 적합합니다. 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 업계 표준 패키지로 제공되어 PCB 설계 자유도가 높습니다. 품질 및 규격…

Vishay Siliconix SI6473DQ-T1-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터로 구현하는 효율적 전력·신호 제어 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology 산하의 검증된 반도체 브랜드로, 고성능 MOSFET과 전력 IC, 이산형 소자를 중심으로 폭넓은 제품군을 제공한다. SI6473DQ-T1-GE3는 이러한 전문성이 반영된 싱글 FET 제품으로, 낮은 도통 손실과 빠른 스위칭, 까다로운 전기·열 조건에서도 안정된 동작을 보장한다. 고급 실리콘 공정을 바탕으로 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 요구하는 설계에 적합하도록 최적화되어 있으며, 다양한 산업 표준 패키지로 제공되어 PCB 통합이 용이하다. 주요 특징 저 RDS(on): 낮은 온저항으로 도통 손실을 최소화하여 전체 시스템 효율을 향상시킨다. 배터리 기반 기기나 고효율 전력경로에서 에너지 손실을 줄이는 결정적 요소다. 고속 스위칭 성능: 고주파 응용에 적합하도록 스위칭 특성이 최적화되어 스위칭 손실을 낮추고 전력밀도를 높인다. 열적 안정성: 낮은 열저항과 우수한 발열 분산으로 높은 온도 환경에서도 신뢰성 있는 동작을 유지한다. 넓은 동작 범위: 확장된 전압·온도 범위를 지원하여 자동차나 산업용 등 가혹 환경에서도 활용 가능하다. 패키지 유연성:…

Vishay Siliconix TP0202K-T1-GE3 — 고신뢰성 단일 MOSFET로 구현하는 효율적 전력·신호 제어 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology의 전력 반도체 전문 브랜드로, 열 성능과 전력 효율, 장기 신뢰성에 중점을 둔 MOSFET과 파워 IC를 제공해왔다. 그 중 TP0202K-T1-GE3는 저전력 손실과 빠른 스위칭, 엄격한 열 조건에서도 안정적으로 동작하도록 설계된 단일 트랜지스터(MOSFET)로서, 전력 변환과 정밀 전력 제어가 필요한 다양한 설계에 적합하다. 표준 패키지 지원으로 PCB 설계 유연성을 확보할 수 있어 소형화·모듈화 설계에 특히 유리하다. 핵심 특징 — 효율과 열관리를 동시에 잡다 낮은 RDS(on): 온저항을 최소화해 전도 손실을 줄이고 시스템 효율을 향상시킨다. 이는 배터리 구동 기기나 전력 손실 최적화가 요구되는 전원부에서 직접적인 이득으로 이어진다. 고속 스위칭 성능: 게이트 및 드레인-소스 응답을 최적화해 고주파수 스위칭 환경에서도 손실과 과도현상을 억제한다. 스위칭 손실 감소로 동적 효율 개선이 가능하다. 우수한 열 안정성: 낮은 열저항과 발열 관리를 고려한 실리콘 공정으로 높은 온도 환경에서도 성능 저하를 억제하며 신뢰성을…