Vishay Siliconix

Vishay Siliconix SI1046R-T1-GE3 — 고신뢰성 FET로 구현하는 효율적 전력·신호 제어 제품 개요 및 핵심 특징 Vishay Siliconix SI1046R-T1-GE3는 낮은 도통저항(RDS(on))과 빠른 스위칭 특성을 결합한 단일 채널 MOSFET으로, 전력 변환과 정밀한 신호 제어가 요구되는 설계에 적합하다. Vishay의 실리콘 공정을 기반으로 설계되어 전도 손실을 최소화하고 고주파 동작에서도 안정된 성능을 제공한다. 열 저항이 낮아 발열 관리가 용이하며 TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 다양한 업계 표준 패키지로 제공되어 PCB 레이아웃 유연성이 높다. 또한 JEDEC, RoHS, REACH 준수 모델과 자동차용 AEC-Q101 기준을 충족하는 버전이 있어 산업용·자동차용 설계의 신뢰성을 보장한다. 구체적 특성 낮은 RDS(on): 스위칭 손실과 열발생을 줄여 전체 시스템 효율 향상 빠른 스위칭: 고주파 DC-DC 컨버터 및 동적 부하 스위칭에 적합 열 안정성: 낮은 열저항으로 히트싱크나 방열 설계 간소화 넓은 동작 범위: 확장된 전압·온도 조건에서도 안정 동작 패키지 다양성: 자동화 조립과 설계 요구에 맞춘 선택 가능 이 특성들은 전원관리, 모터…

Vishay Siliconix SIS334DN-T1-GE3 — 고신뢰성 MOSFET로 효율적인 전력 및 신호 제어 실현 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology의 전력 반도체 전문 브랜드로서, MOSFET과 전력 IC 분야에서 오랫동안 높은 신뢰성과 성능을 인정받아 왔습니다. SIS334DN-T1-GE3는 이러한 전통을 잇는 고성능 단일 트랜지스터 제품으로, 낮은 도통 손실과 빠른 스위칭 특성, 그리고 까다로운 열·전기 조건에서도 안정적인 동작을 제공하도록 설계되었습니다. 고효율 전력 변환과 정밀 전력 제어가 필요한 설계에 적합한 선택지입니다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 도통 저항을 최소화해 시스템 전체 효율을 향상시키며 발열을 감소시킵니다. 특히 배터리 기반 장치나 고효율 전원 모듈에서 유리합니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 스위칭 환경에 최적화되어 스위칭 손실을 줄이고 반응 속도를 개선합니다. SMPS, DC-DC 컨버터, MOSFET 드라이브 회로 등에서 성능 이점을 제공합니다. 우수한 열 안정성: 낮은 열저항과 효율적인 열 방출 특성으로 고온 환경에서도 신뢰성 있는 동작을 유지합니다. 장시간 부하나 고전력 구동 조건에서 열 관리 부담을 줄여줍니다. 넓은 동작 범위: 전압 및…

Vishay Siliconix SI5853CDC-T1-E3 — 고신뢰성 트랜지스터(FET, MOSFET)로 효율적인 전력 및 신호 제어 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology의 대표적인 반도체 라인으로, 고성능 MOSFET과 전력 IC, 디스크리트 솔루션에 강점을 보입니다. SI5853CDC-T1-E3는 이러한 전통 위에 설계된 단일 채널 MOSFET으로, 낮은 도통 손실과 빠른 스위칭, 그리고 까다로운 온·전기적 환경에서도 안정적으로 동작하도록 개발되었습니다. 고효율 전력 변환과 정밀 전력 제어를 필요로 하는 설계에 적합하며, 다양한 표준 패키지로 제공되어 PCB 통합이 용이합니다. 주요 특징 저 RDS(on): 도통 저항을 최소화해 전력 손실을 줄이고 시스템 효율을 향상시킵니다. 특히 DC-DC 컨버터나 로드 스위치에서 효율 개선 효과가 두드러집니다. 고속 스위칭: 고주파 동작에 최적화된 구조로 스위칭 손실을 줄이고 전력 밀도가 높은 설계에 유리합니다. 열 안정성: 낮은 열저항과 우수한 방열 성능으로 열적 스트레스가 큰 환경에서도 신뢰성 높은 동작을 유지합니다. 넓은 동작 범위: 확장된 전압 및 온도 범위를 지원해 자동차, 산업용 등 다양한 애플리케이션 요구를 충족합니다. 패키지 유연성: TO, DPAK,…

Vishay Siliconix IRFIBC30G — 고신뢰성 단일 MOSFET로 전력·신호 제어 최적화 Vishay Siliconix의 IRFIBC30G는 낮은 도통 저항과 빠른 스위칭 특성을 결합한 고성능 단일 MOSFET이다. Vishay Intertechnology의 전력 반도체 전문 기술력이 집약된 이 소자는 전력 변환 효율과 열 안정성, 장기 신뢰성이 요구되는 설계에서 유리한 선택지를 제공한다. 자동차, 산업, 소비자 기기, 컴퓨팅 등 다양한 분야에서 전력 손실을 줄이고 시스템 열 관리를 개선하려는 엔지니어에게 매력적인 솔루션이다. 주요 특징 낮은 RDS(on): IRFIBC30G는 도통 손실을 최소화하도록 설계되어 효율 향상과 발열 저감에 기여한다. 특히 고전류 경로에서 전력 손실을 줄여 시스템 수준의 효율 개선을 기대할 수 있다. 빠른 스위칭 성능: 게이트 드라이브 최적화와 내부 설계로 고주파 스위칭에 적합하며, 스위칭 손실을 줄이고 고속 PWM 토폴로지에 유리하다. 열 안정성: 낮은 열저항 및 우수한 방열 특성으로 높은 전력 밀도 환경에서도 안정적으로 작동한다. 열 사이클과 장시간 운용 조건에서도 성능 유지가 우수하다. 광범위 동작 범위: 확장된 전압 및…

Vishay Siliconix SUP75P03-07-E3 — 고신뢰성 트랜지스터 및 MOSFETs Vishay Siliconix는 고성능 MOSFET, 전력 IC, 그리고 이산 반도체 솔루션을 전문으로 하는 Vishay Intertechnology의 자회사로, 전력 효율성, 열 성능, 장기적인 신뢰성에 강력한 중점을 둡니다. 이 회사의 제품은 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 애플리케이션 전반에서 널리 사용되고 있습니다. Vishay Siliconix의 SUP75P03-07-E3는 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 성능, 그리고 까다로운 전기적 및 열적 조건에서도 안정적인 작동을 제공하는 고성능 트랜지스터입니다. 이 제품은 Vishay의 고급 실리콘 공정을 사용하여 설계되었으며, 다양한 운전 조건에서 효율적인 전력 변환과 정확한 전력 제어를 지원합니다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 전도 손실을 줄여 더 높은 효율성 제공 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에 최적화됨 열 안정성: 낮은 열 저항 및 견고한 열 방산 특성 광범위한 운전 범위: 확장된 전압 및 온도 범위 지원 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 다양한 표준 패키지 옵션 제공 품질 및 규격 준수:…

Vishay Siliconix SUM120N04-1M7L-GE3 — 고신뢰성 전력 제어를 위한 MOSFET 솔루션 Vishay Siliconix는 전력 반도체 분야에서 오랜 신뢰를 쌓아온 브랜드로, SUM120N04-1M7L-GE3는 그 중에서도 전력 효율과 열특성, 장기 신뢰성을 균형 있게 갖춘 단일 채널 MOSFET입니다. 고급 실리콘 공정으로 설계된 이 소자는 낮은 도통 저항과 빠른 스위칭 특성으로 전력 변환과 정밀 전력 제어가 요구되는 설계에 적합합니다. 다양한 표준 패키지로 제공되어 PCB 레이아웃 유연성이 높고, 자동차·산업·소비자·컴퓨팅 등 여러 분야에서 폭넓게 채택됩니다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 도통 손실을 줄여 전력 효율을 향상시키고 발열을 감소시킵니다. 결과적으로 더 작은 방열 설계로도 동일한 성능을 낼 수 있습니다. 빠른 스위칭: 고주파 동작에 최적화되어 DC-DC 컨버터, 스위칭 레귤레이터 등에서 우수한 성능을 발휘합니다. 열적 안정성: 낮은 열저항과 효과적인 열 배출 특성으로 높은 온도 환경에서도 안정적인 동작을 유지합니다. 넓은 동작 범위: 전압과 온도 관점에서 확장된 운용 범위를 지원해 다양한 전력 시스템에 적용 가능합니다. 패키지 다양성: TO, DPAK,…

Vishay Siliconix SI4682DY-T1-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터(FET/MOSFET)로 전력 및 신호 제어를 효율적으로 제품 개요 Vishay Siliconix SI4682DY-T1-GE3는 Vishay Intertechnology의 전력 반도체 브랜드인 Vishay Siliconix가 설계한 고성능 MOSFET 단일 소자입니다. 최신 실리콘 공정을 바탕으로 저온승률의 RDS(on), 빠른 스위칭 응답 및 열적 안정성을 제공하도록 최적화되어 있어 전력 변환 및 정밀한 전원 제어가 요구되는 다양한 시스템에 적합합니다. 소형화된 패키지 옵션과 표준화된 풋프린트로 설계 유연성을 확보하여 PCB 레이아웃과 모듈 설계에 손쉽게 통합할 수 있습니다. 주요 특징 및 장점 저 RDS(on): 전도 손실을 최소화해 전력 효율을 높이고 발열을 줄여 전체 시스템 효율을 개선합니다. 서버 전원부나 DC-DC 컨버터 같은 고효율 회로에서 직접적인 이득을 제공합니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에 적합한 스위칭 특성으로 스위칭 손실과 EMI를 관리하기 쉽습니다. 스텝다운 컨버터, 동기 정류기 등에서 성능 향상에 기여합니다. 열적 안정성: 낮은 열저항과 견고한 열 분산 특성으로 높은 전력 밀도에서도 안정적인 동작이 가능합니다. 장시간 부하 환경이나…

Vishay Siliconix SI1304BDL-T1-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터로 효율적인 전력 및 신호 제어 구현 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology 산하의 검증된 반도체 브랜드로서 고성능 MOSFET과 전력용 IC, 디스크리트 솔루션에 강점을 보입니다. SI1304BDL-T1-GE3는 이러한 기술력이 응축된 싱글 MOSFET 제품으로, 낮은 도통 손실과 빠른 스위칭, 열적 안정성을 바탕으로 다양한 전력 변환 및 제어 설계에서 탁월한 성능을 제공합니다. 최신 실리콘 공정으로 제조되어 고주파 동작과 까다로운 온·전압 환경에서도 안정적으로 동작합니다. 주요 특징 및 설계 장점 낮은 RDS(on): 도통 저항이 낮아 스위칭 손실과 발열을 줄이며 전력 효율을 개선합니다. 배터리 구동 장치나 전력밀도가 중요한 회로에서 유리합니다. 빠른 스위칭 특성: 게이트 용량 및 전하 관리가 최적화되어 고주파 DC-DC 컨버터나 스위칭 레귤레이터에 적합합니다. 열적 안정성: 패키지와 실리콘 설계에서 열 저항을 낮춰 고온 환경에서도 성능 유지가 용이합니다. 열 설계 여유가 제한된 소형 전자기기에도 적합합니다. 넓은 동작 범위: 확장된 전압/온도 허용 범위로 자동차, 산업용 등 다양한 애플리케이션에서 유연하게…

Vishay Siliconix IRF734PBF — 고신뢰성 트랜지스터(FET/MOSFET)로 효율적인 전력·신호 제어 실현 제품 개요 및 핵심 특징 Vishay Siliconix의 IRF734PBF는 단일 채널 MOSFET으로 설계된 고성능 전력 스위칭 소자입니다. 저저항 RDS(on)으로 도체 손실을 최소화해 전력 효율을 높이고, 스위칭 특성이 최적화되어 고주파 동작에서도 빠른 응답을 제공합니다. Vishay의 정교한 실리콘 공정을 바탕으로 제작되어 열 안정성이 높고, 낮은 열 저항으로 효과적인 열 방출이 가능해 까다로운 열적 조건에서도 안정적으로 동작합니다. 동작 전압과 온도 범위가 넓어 다양한 응용 환경에 대응할 수 있으며 TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 여러 산업 표준 패키지로 제공되어 PCB 레이아웃과 시스템 통합에 유연성을 제공합니다. 또한 JEDEC, AEC-Q101(자동차용 모델), RoHS, REACH 등 품질 및 규제 요구사항을 만족합니다. 설계 장점과 실제 적용 사례 IRF734PBF는 전력 관리 설계에서 특히 매력적입니다. DC-DC 컨버터, 로드 스위치, 전력 모듈 등에 사용하면 전력 손실을 줄이고 효율을 개선할 수 있습니다. 자동차 전자장치에서는 바디 일렉트로닉스, 인포테인먼트, 조명, EV의…

Vishay Siliconix SI9424BDY-T1-E3 — 신뢰성이 뛰어난 MOSFET으로 구현하는 효율적인 전력·신호 제어 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology 산하의 오랜 전력반도체 브랜드로, 고성능 MOSFET과 파워 IC 분야에서 강한 입지를 가지고 있다. SI9424BDY-T1-E3는 이 브랜드의 설계 역량을 반영한 단일 채널 MOSFET으로, 낮은 도통 저항과 빠른 스위칭 특성, 견고한 열 안정성을 제공해 다양한 전력 변환 및 제어 환경에 적합하다. 소형 회로부터 자동차 등급 시스템까지 폭넓은 적용을 고려한 설계 유연성이 이 제품의 큰 장점이다. 주요 특징: 효율과 내구성을 동시에 잡다 낮은 RDS(on): 도통 손실을 최소화해 전력 효율을 끌어올리고 발열을 줄인다. 특히 고전류 경로에서 효율 개선 효과가 뚜렷하다. 고속 스위칭 성능: 게이트-드레인 설계와 내부 구조 최적화를 통해 고주파 스위칭 환경에서도 안정적인 동작을 보장한다. 스위칭 손실을 줄여 동적 효율을 향상시킨다. 열 안정성: 낮은 열저항 및 효과적인 열 분산 특성으로 주기적인 부하 변화나 열 스트레스가 큰 환경에서도 성능 저하를 억제한다. 넓은 동작 범위: 확장된…