SIZ328DT-T1-GE3
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Vishay Siliconix
해당 카테고리에 6509개의 글이 있습니다.
Vishay Siliconix IRF540STRL — 고신뢰성 MOSFET으로 효율적 전력·신호 제어 실현 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology 산하의 검증된 반도체 브랜드로, 고성능 MOSFET과 전력 IC, 이산 반도체 제품군에서 강점을 보여 왔습니다. IRF540STRL은 이러한 전통을 계승한 고성능 단일 MOSFET으로서 낮은 도통 손실과 빠른 스위칭, 그리고 열적·전기적 안정성을 결합해 까다로운 환경에서도 신뢰성 있는 전력 변환과 정밀 제어를 제공합니다. 핵심 특징 낮은 RDS(on): 저저항 특성으로 전력 손실을 줄여 효율 향상에 기여합니다. 이는 DC-DC 컨버터, 로드 스위치 등 전력 관리 회로에서 직접적인 효율 개선으로 이어집니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 동작에 최적화되어 스위칭 손실을 낮추고 소자 발열을 억제합니다. 전력 모듈과 스위칭 레귤레이터에서 유리합니다. 우수한 열적 안정성: 낮은 열저항과 견고한 방열 특성으로 높은 온도 환경에서도 안정적으로 동작하며 설계 여유를 확보합니다. 넓은 동작 범위: 확장된 전압·온도 범위를 지원해 자동차, 산업용 등 다양한 응용 분야에서 사용 가능합니다. 일부 모델은 AEC-Q101 자동차 등급을 충족합니다. 패키지 유연성: TO,…
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Vishay Siliconix IRFU4105ZTRR — 신뢰성 높은 단일 MOSFET으로 전력과 신호 제어 최적화 Vishay Siliconix 브랜드는 전력 반도체 분야에서 오랜 실적을 가진 Vishay Intertechnology의 핵심 라인으로, 고효율 MOSFET과 전력 IC, 디스크리트 소자를 중심으로 설계와 제조 역량을 쌓아왔습니다. IRFU4105ZTRR은 이러한 전통 위에 설계된 고성능 단일 MOSFET으로, 낮은 도통 손실과 빠른 스위칭, 엄격한 열 조건에서도 안정적인 동작을 제공하도록 최적화되어 있습니다. 광범위한 패키지 옵션과 준수 표준 덕분에 다양한 산업군의 설계에 유연하게 통합할 수 있습니다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 도통 저항이 낮아 스위칭 시 발생하는 전력 손실을 줄여 시스템 효율을 향상시킵니다. 고속 스위칭 특성: 고주파 전력 변환 및 스위칭 응용에 적합하도록 게이트 드라이브 응답이 빠릅니다. 열 안정성: 낮은 열저항과 우수한 방열 특성으로 높은 전류와 장시간 운용 환경에서도 온도 상승을 억제합니다. 광범위 동작 범위: 확장된 전압·온도 범위에서 안정 동작이 가능해 까다로운 조건에서도 신뢰성을 유지합니다. 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등…
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Vishay Siliconix IRFI9Z24G — 고신뢰성 트랜지스터 FETs, MOSFETs - 효율적인 전력 및 신호 제어를 위한 단일 소자 Vishay Siliconix는 고성능 MOSFET, 전력 IC, 그리고 이산 반도체 솔루션을 전문으로 하는 Vishay Intertechnology의 주요 브랜드로, 전력 효율성, 열 성능 및 장기적인 신뢰성을 중시합니다. Vishay Siliconix의 제품은 자동차, 산업, 소비자, 컴퓨팅 응용 분야에서 널리 채택되고 있습니다. Vishay Siliconix IRFI9Z24G는 전도 손실이 적고 빠른 스위칭 성능을 제공하며, 까다로운 전기 및 열 조건에서 안정적인 동작을 보장하는 고성능 트랜지스터입니다. Vishay의 고급 실리콘 공정을 사용하여 설계된 이 MOSFET는 효율적인 전력 변환 및 정밀한 전력 제어를 지원합니다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 낮은 전도 손실을 통해 더 높은 효율성을 제공합니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파수 응용에 최적화되어 있어 뛰어난 응답성을 자랑합니다. 열 안정성: 낮은 열 저항과 강력한 열 방산 성능을 제공합니다. 넓은 동작 범위: 확장된 전압 및 온도 범위를 지원하여 다양한 환경에서 사용 가능합니다. 패키지…
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Vishay Siliconix SI4636DY-T1-E3 — 고신뢰성 MOSFET으로 효율적인 전력·신호 제어 실현 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology 산하의 전력 반도체 브랜드로, 고성능 MOSFET과 전력 IC 분야에서 오랜 신뢰를 쌓아왔다. SI4636DY-T1-E3는 이러한 전통을 잇는 고성능 단일 FET 제품으로, 낮은 도통 저항과 빠른 스위칭 특성, 그리고 열적 안정성을 바탕으로 다양한 전력 및 신호 제어 설계에서 강점을 발휘한다. 이 글은 제품의 핵심 장점과 적용 분야, 패키지·품질 정보 및 공급지원 측면을 중심으로 요약한다. 제품 개요 및 핵심 특징 SI4636DY-T1-E3는 Vishay의 고급 실리콘 공정을 통해 설계된 MOSFET으로, 전력 변환 효율과 정밀 제어가 요구되는 환경에서 뛰어난 성능을 제공한다. 주요 특징은 다음과 같다: 낮은 RDS(on): 도통 손실을 줄여 열 발생을 낮추고 시스템 효율을 향상시킨다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 대역에서의 스위칭 손실을 최소화해 DC-DC 컨버터 등 고속 회로에 적합하다. 우수한 열 안정성: 낮은 열저항과 효율적인 열 방출 특성으로 높은 전력 밀도 설계에 유리하다. 넓은 동작 범위:…
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Vishay Siliconix SI1051X-T1-GE3 — 고신뢰성 MOSFET로 효율적인 전력 및 신호 제어 실현 Vishay Siliconix의 SI1051X-T1-GE3는 낮은 도통 손실과 빠른 스위칭 성능을 바탕으로 전력 변환 및 정밀 전력 제어에 최적화된 단일 MOSFET 제품입니다. 자동차, 산업, 소비자 가전 그리고 컴퓨팅 시장에서 요구되는 열적 안정성과 장기간 신뢰성을 만족시키도록 설계되었으며, 다양한 패키지 옵션으로 PCB 설계의 유연성을 제공합니다. 제품 특징 및 설계 이점 저 RDS(on): 낮은 온저항은 전력 손실을 줄여 전체 시스템 효율을 향상시키고 발열을 억제합니다. 특히 고밀도 전력 모듈과 DC-DC 컨버터에서 유의미한 전력 절감 효과를 제공합니다. 빠른 스위칭 특성: 고주파 응답에 최적화된 트랜지스터 구조로 스위칭 손실을 최소화해 고속 스위칭 환경에서도 안정적인 동작을 보장합니다. 스위칭 응답이 중요한 전원관리 IC, VRM 설계에 적합합니다. 열적 안정성: 낮은 열저항과 견고한 열 분산 설계는 높은 온도에서도 성능 저하를 억제합니다. 산업용 및 자동차용 환경처럼 열 스트레스가 큰 애플리케이션에서 장기 신뢰성을 제공합니다. 광범위 동작 범위: 확장된…
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Vishay Siliconix 2N6661-2 — 고신뢰성 MOSFET으로 효율적인 전력·신호 제어 실현 제품 개요 및 핵심 특징 Vishay Siliconix 2N6661-2는 저손실 전도 특성과 빠른 스위칭을 목표로 설계된 단일 채널 MOSFET입니다. Vishay의 실리콘 공정을 바탕으로 제작되어 낮은 RDS(on)으로 전력 손실을 줄이고, 고주파 동작 환경에서도 안정적인 동작을 제공합니다. 주요 특성으로는 낮은 온저항으로 인한 효율 향상, 스위칭 트랜지언트 제어를 위한 최적화된 게이트 특성, 그리고 열 저항 감소를 통해 장시간 고온 환경에서도 성능 저하를 최소화하는 열적 안정성이 있습니다. 또한 표준화된 여러 패키지(TO, DPAK, PowerPAK, SO 등)로 제공되어 PCB 설계와 레이아웃 유연성이 높고, 다양한 회로 토폴로지에 빠르게 통합할 수 있습니다. 적용 분야와 설계상의 장점 2N6661-2는 전력 변환과 정밀 제어가 필요한 애플리케이션에 적합합니다. 대표적인 사용처는 DC-DC 컨버터와 로드 스위치, 파워 모듈처럼 효율과 발열 관리가 중요한 회로이며, 자동차 전자장비(바디 일렉트로닉스, 인포테인먼트, 조명, EV 보조 시스템)에서도 높은 신뢰성을 제공합니다. 산업용 모터 드라이브, 자동화 컨트롤러, 서버…
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Vishay Siliconix IRFP22N50A — 고신뢰성 트랜지스터 (FET/MOSFET)로 효율적인 전력·신호 제어 실현 개요 Vishay Siliconix 브랜드의 IRFP22N50A는 낮은 도통 손실과 빠른 스위칭 특성을 결합한 단일 MOSFET 소자입니다. 고도화된 실리콘 공정을 활용해 설계된 이 제품은 열적·전기적 스트레스가 큰 환경에서도 안정적으로 동작하도록 최적화되어 있어 자동차, 산업, 소비자 전자 및 컴퓨팅 분야의 전력 설계에서 신뢰성 높은 선택지로 자리잡고 있습니다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 낮은 온저항은 전력 손실을 줄여 시스템 효율을 향상시킵니다. 이를 통해 발열 감소와 소형화 설계가 용이합니다. 고속 스위칭 성능: 스위칭 손실을 최소화하도록 튜닝되어 고주파 전력 변환 및 PWM 기반 제어에 적합합니다. 열적 안정성: 낮은 열저항과 우수한 열 확산 특성으로 열 관리가 쉬워지고, 장시간 부하에서도 성능 저하를 억제합니다. 넓은 동작 범위: 확장된 전압 및 온도 범위에서 안정적으로 동작하여 다양한 환경 변수에 대응합니다. 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 제공되어 PCB 레이아웃과 제조 공정에 맞춘 유연한…
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Vishay Siliconix IRFPC50 — 고신뢰성 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일 전력 및 신호 제어의 효율성 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology의 하위 브랜드로, 고성능 MOSFET, 전력 IC, 분리형 반도체 솔루션을 전문으로 하는 기업입니다. 전력 효율성, 열 성능 및 장기적인 신뢰성에 강한 집중을 맞추고 있는 Vishay Siliconix의 제품은 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 분야에서 광범위하게 채택되고 있습니다. Vishay Siliconix의 IRFPC50은 저전도 손실, 빠른 스위칭 동작 및 열적 전기적 조건에서 안정적인 동작을 제공하도록 설계된 고성능 트랜지스터입니다. Vishay의 고급 실리콘 공정을 통해 설계된 이 제품은 효율적인 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 지원하며, 다양한 운영 시나리오에서 뛰어난 성능을 보입니다. 이 장치는 여러 산업 표준 패키지로 제공되어 유연한 PCB 레이아웃과 최신 전력 및 신호 제어 설계에 쉽게 통합할 수 있습니다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 전도 손실 감소로 더 높은 효율성 제공 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용을 위한 최적화 열 안정성: 낮은…
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Vishay Siliconix IRFZ30 — 고신뢰성 MOSFET으로 효율적인 전력·신호 제어 실현 Vishay Intertechnology 산하의 전문 브랜드 Vishay Siliconix는 고성능 MOSFET과 전력용 반도체 솔루션으로 널리 알려져 있습니다. IRFZ30은 이 라인업을 대표하는 단일 채널 MOSFET으로, 낮은 도통 손실과 빠른 스위칭, 열적 안정성을 바탕으로 다양한 전력 변환 및 신호 제어 설계에 적합하도록 설계되었습니다. 고급 실리콘 공정과 검증된 패키지 옵션을 통해 시스템 효율을 높이고 설계 유연성을 제공합니다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 도통 저항을 최소화하여 전력 손실을 줄이고 효율을 개선합니다. 특히 전류가 큰 부하에서의 손실 감소가 눈에 띕니다. 빠른 스위칭 성능: 게이트 설계와 칩 제조 공정이 고주파 작동에 적합하도록 최적화되어 스위칭 손실을 줄이며 고속 전력 변환에 유리합니다. 열 안정성: 낮은 열저항과 효과적인 열 방출 특성으로 열적 스트레스가 높은 환경에서도 안정적으로 동작합니다. 장시간 운용과 과부하 상황에서 신뢰성을 확보합니다. 넓은 동작 범위: 확장된 전압 및 온도 범위를 지원해 자동차나 산업용과 같이 가혹한 환경에서도…
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