Vishay Siliconix

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SI2318CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SI2318CDS-T1-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 모듈로 효율적인 전력 및 신호 제어 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology의 자회사로, 고성능 MOSFET, 전력 IC, 그리고 이산 반도체 솔루션에 특화된 반도체 브랜드입니다. 이 회사는 전력 효율성, 열 성능, 장기 신뢰성에 강력한 집중을 하고 있으며, 그 제품들은 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 응용 분야에서 널리 채택되고 있습니다. Vishay Siliconix의 SI2318CDS-T1-GE3는 전도 손실을 최소화하고 빠른 스위칭 성능을 제공하며, 까다로운 전기적 및 열적 조건에서도 안정적인 동작을 보장하는 고성능 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 모듈입니다. Vishay의 고급 실리콘 공정으로 설계되어, 넓은 동작 범위에서 효율적인 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 지원합니다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 전도 손실이 적어 효율성이 높습니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에 최적화되어 있습니다. 열 안정성: 낮은 열 저항과 강력한 열 방출 성능을 자랑합니다. 광범위한 동작 범위: 확장된 전압 및 온도 범위를 지원합니다. 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO…
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SQS407ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SQS407ENW-T1_GE3 — 고신뢰성 트랜지스터(FET, MOSFET) 단일 소자, 효율적 전력 및 신호 제어를 위한 선택 주요 특징 SQS407ENW-T1_GE3는 저전력 손실과 빠른 스위칭 특성을 결합한 고성능 트랜지스터- MOSFET 시리즈로, 열적 스트레스와 넓은 동작 환경에서도 안정적인 작동을 제공합니다. RDS(on)가 낮아 전도 손실이 최소화되고, 스위칭 속도는 고주파 애플리케이션에 최적화되어 고효율 컨버터 구성이 가능합니다. 열 저항이 낮고 방열 성능이 우수해 고부하 조건에서도 서지 없이 작동하며, 전압 및 온도 범위가 넓어 다양한 전력 제어 시나리오에 적합합니다. TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 제공되어 PCB 레이아웃 설계의 융통성과 조립의 단순성을 확보합니다. 또한 JEDEC, AEC-Q101(자동차 등급 모델), RoHS, REACH 등의 품질 규정과 표준을 준수해 자동차, 산업, 소비자 및 computing 분야의 신뢰성 요구를 충족합니다. 적용 사례 SQS407ENW-T1_GE3는 전력 관리와 신호 제어가 핵심인 시스템에서 폭넓게 활용됩니다. DC-DC 컨버터의 주요 스위칭 소자로써 변환 효율을 높이고 부하 전류를 안정적으로 차단합니다. 자동차 전자 분야에서는 차체…
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SIUD412ED-T1-GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SIUD412ED-T1-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터(FET, MOSFET) 단일 솔루션으로 효율적 전력 및 신호 제어 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology 산하의 잘 확립된 반도체 브랜드로, 고성능 MOSFET, 파워 IC 및 디스클리트 솔루션을 전문으로 합니다. 전력 효율성, 열 성능, 장기 신뢰성에 중점을 두는 제품 전략으로 자동차, 산업, 가전 및 컴퓨팅 분야에서 널리 채택되고 있습니다. SIUD412ED-T1-GE3는 이러한 브랜드 철학을 반영한 고성능 트랜지스터- FET, MOSFET 단일 소자로, 낮은 컨덕션 손실과 빠른 스위칭 특성, 열 조건에서도 안정적인 동작을 제공합니다. 이 부품은 최신 실리콘 공정을 활용해 폭넓은 동작 조건에서 효율적 전력 변환과 정밀 전력 제어를 가능하게 합니다. 핵심 특징 및 설계 이점 저 RDS(on)로 인한 컨덕션 손실 축소: 전력 손실을 줄여 시스템 효율을 높이고 방열 요구를 완화합니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 어플리케이션에서의 응답 속도와 제어의 정밀성을 제공합니다. 열 안정성: 낮은 열저항과 견고한 방열 특성으로 고부하 환경에서도 안정적인 동작을 유지합니다. 넓은 동작 범위:…
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IRF610LPBF Vishay Siliconix
Vishay Siliconix IRF610LPBF는 단일 소자에서 고성능 트랜지스터- FET MOSFET의 효율성과 신뢰성을 한데 모은 솔루션입니다. Vishay Siliconix는 파워 MOSFET과 파워 IC, 디스크리트 솔루션 분야에서 오랜 기간 축적한 기술력과 품질 관리 체계로 잘 알려져 있습니다. IRF610LPBF는 특히 낮은 컨덕션 로스, 빠른 스위칭 특성, 그리고 열 환경이 까다로운 조건에서도 안정적으로 작동하도록 설계된 제품으로, 전력 변환과 정밀 제어가 필요한 현대의 다양한 애플리케이션에 적합합니다. 이 기기는 Vishay의 첨단 실리콘 공정을 바탕으로 구성되어 있어, 효율적인 전력 변환과 폭넓은 작업 환경에서의 신뢰성을 제공합니다. 여러 산업 표준 패키지로 제공되어 PCB 레이아웃의 융통성과 시스템 구성의 단순화를 가능하게 합니다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 전도 손실을 줄여 시스템 효율을 높이고 어댑티브 파워 관리에 유리합니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 애플리케이션에서도 열과 EMI 관리에 유리한 동작을 제공합니다. 열 안정성: 낮은 열 저항과 우수한 방열 특성으로 고부하 조건에서도 안정적인 동작을 유지합니다. 넓은 작동 범위: 다양한 전압 및 온도 조건에서…
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SI2315BDS-T1-GE3 Vishay Siliconix
SI2315BDS-T1-GE3: 고신뢰성 MOSFET로 전력 효율과 제어 신뢰성을 한 자리에 Vishay Siliconix는 고성능 MOSFET, 파워 IC, 디스크리트 솔루션 분야에서 오랜 역사를 가진 브랜드로, 전력 효율성, 열 관리 및 장기 신뢰성에 중점을 둔 설계로 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 애플리케이션에서 널리 채택됩니다. 그 선두주자인 SI2315BDS-T1-GE3는 단일 FET 구조로, 낮은 컨덕션 손실과 빠른 스위칭 특성을 제공하며 까다로운 전기적·열적 조건에서도 안정적으로 동작하도록 설계되었습니다. Vishay의 첨단 실리콘 공정을 적용해 전력 변환과 정밀 제어가 필요한 다양한 운용 시나리오에 유연하게 대응합니다. 소제목 1: SI2315BDS-T1-GE3의 핵심 특징 저 RDS(on)로 도전 손실 감소: 전력 효율을 높이고 발열을 억제하는 주요 지표로 작동 영역에서 일관된 성능을 제공합니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 애플리케이션에 최적화된 전환 속도와 응답성을 제공합니다. 열 안정성: 낮은 열 저항과 견고한 방열 성능으로 고온 환경에서도 안정적인 동작을 유지합니다. 넓은 작동 범위: 전압과 온도 범위가 넓어 다양한 시스템 수준의 설계 유연성을 제공합니다. 패키지 다양성: TO,…
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SIHG80N60E-GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SIHG80N60E-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터로 효율적인 전력 및 신호 제어 실현 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology의 대표적인 반도체 브랜드로, 고성능 MOSFET, 전력 IC, 그리고 개별 반도체 솔루션을 전문적으로 제공합니다. 특히 전력 효율, 열 특성, 장기 신뢰성에 대한 철저한 연구와 기술력으로 자동차, 산업, 소비자 전자기기, 컴퓨팅 분야에서 널리 채택되고 있습니다. SIHG80N60E-GE3는 Vishay Siliconix의 첨단 실리콘 공정을 바탕으로 설계된 고성능 단일 MOSFET입니다. 이 트랜지스터는 낮은 도통 저항(RDS(on))과 빠른 스위칭 특성, 그리고 까다로운 전기적·열적 환경에서도 안정적인 동작을 제공합니다. 전력 변환과 제어 효율을 극대화하며 다양한 작동 시나리오에서 정확한 전력 제어를 가능하게 합니다. 또한, TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 다양한 산업 표준 패키지로 제공되어 PCB 설계 유연성과 통합 편의성을 높였습니다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 도통 손실 최소화로 전력 효율 향상 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용 분야 최적화 열적 안정성: 낮은 열저항과 강력한 열 방출 특성 광범위 작동 범위: 확장된 전압…
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SI3430DV-T1-E3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SI3430DV-T1-E3는 단일 고신뢰성 MOSFET로서 낮은 전도 손실과 빠른 스위칭 특성, 열 조건에서도 안정적인 동작을 제공하도록 설계되었습니다. Vishay Siliconix는 전력 효율과 열 성능, 신뢰성에 집중하는 반도체 브랜드로서 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 분야에서 널리 채택되고 있습니다. SI3430DV-T1-E3는 정교한 실리콘 공정 기술로 구동되며, 다양한 작동 시나리오에서 효율적 전력 변환과 정확한 전력 제어를 가능하게 합니다. 또한 여러 산업 표준 패키지로 제공되어 PCB 설계의 유연성과 시스템 인테그레이션의 용이성을 높입니다. 핵심 특징 낮은 RDS(on)으로 전도 손실 최소화: 전력 손실을 줄이고 시스템 효율을 높이는 주요 요인입니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 애플리케이션에서 우수한 응답성과 전력 제어의 정확성을 제공합니다. 열 안정성: 저열 저항과 우수한 방열 특성으로 고열 환경에서도 지속적인 성능을 유지합니다. 넓은 작동 범위: 전압과 온도 범위가 넓어 다양한 환경에서 안정적인 동작을 보장합니다. 패키지 다양성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 제공되어 기존 보드 레이아웃에 쉽게 통합됩니다. 품질 및 규격…
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SIR882BDP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SIR882BDP-T1-RE3 – 고효율 전력 및 신호 제어를 위한 고신뢰성 트랜지스터 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology의 반도체 브랜드로, 고성능 MOSFET, 전력 IC 및 이산 반도체 솔루션을 전문으로 합니다. 전력 효율성, 열 성능 및 장기적인 신뢰성에 중점을 둔 Vishay Siliconix의 제품들은 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 애플리케이션에서 널리 사용되고 있습니다. SIR882BDP-T1-RE3는 Vishay Siliconix의 고성능 트랜지스터로, 전력 변환 및 정밀한 전력 제어가 필요한 다양한 분야에서 뛰어난 성능을 제공합니다. 이 부품은 Vishay의 첨단 실리콘 공정을 통해 제작되었으며, 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 성능, 안정적인 동작을 보장합니다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 낮은 전도 손실로 더 높은 효율성을 제공합니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에 최적화되어 있습니다. 열적 안정성: 낮은 열 저항과 강력한 열 방산 성능을 제공합니다. 넓은 동작 범위: 확장된 전압 및 온도 범위를 지원합니다. 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 다양한 산업 표준 패키지로 제공됩니다. 품질 및 규정…
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SI4401BDY-T1-E3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SI4401BDY-T1-E3: 고신뢰성 FET로 효율적 전력 및 신호 제어를 구현하다 주요 특징 Vishay Siliconix의 SI4401BDY-T1-E3는 단일 채널의 high-performance MOSFET으로, 저전도 손실과 빠른 스위칭 특성을 바탕으로 다방면의 전력 변환 및 신호 제어에 최적화되어 있습니다. 이 소자는 구동 손실을 줄이고 시스템 효율을 높이는 저 RDS(on) 특성을 강조하며, 고주파 응용에서도 안정적으로 동작하도록 설계되었습니다. 열 특성 면에서도 뛰어난 안정성을 제공해 열 저항이 낮고, 열 방출이 원활한 구조를 갖춰 고온 환경에서도 신뢰성 있는 동작을 유지합니다. 작동 전압과 온도 범위가 넓어 다양한 전력 포지션과 환경에서 일관된 성능을 기대할 수 있습니다. 패키지 측면에서는 TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 산업 패키지로 제공되어 PCB 레이아웃의 유연성을 확보합니다. 품질 및 규정 준수 측면에서도 JEDEC, AEC-Q101(자동차 등급 모델), RoHS 및 REACH와 같은 국제적 표준을 충족함으로써 자동차, 산업 및 소비자 전자 분야의 요구를 충족합니다. 적용 분야 파워 매니지먼트: DC-DC 컨버터, 로드 스위치, 파워 모듈 등…
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SIS444DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SIS444DN-T1-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터(FET, MOSFET) 단일 소자로 효율적인 전력 및 신호 제어를 구현하다 고신뢰성 특성 및 성능 SIS444DN-T1-GE3는 단일 MOSFET 트랜지스터로, 낮은 RDS(on)으로 작동하여 도통 손실을 줄이고 시스템 전력 효율을 높인다. 이 소자는 빠른 스위칭 특성을 바탕으로 고주파 응용에서의 전환 손실을 최소화하며, 정밀한 제어가 필요한 전력 모듈과 신호 경로에서 신뢰도 높은 성능을 제공한다. 열 관리 측면에서도 견고한 열 저항과 열 방출 특성을 갖춰 한정된 공간에서의 발열을 효과적으로 분산시키고, 고온 환경에서도 안정적인 동작을 유지한다. 또한 넓은 작동 범위를 지원해 다양한 전압과 온도 조건에서 예측 가능한 성능을 보장한다. Vishay의 첨단 실리콘 공정으로 제조된 이 소자는 전력 변환과 신호 제어 시나리오에서 일관된 전력 품질과 신호 무결성을 제공합니다. 패키지 옵션 및 설계 유연성 SIS444DN-T1-GE3은 TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 여러 산업 표준 패키지로 제공되어 설계 레이아웃의 유연성을 극대화한다. 다양한 패키지 형식은 PCB 레이아웃이나 모듈화된 전력 설계에서 공간…
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