Vishay Siliconix

Vishay Siliconix SIR474DP-T1-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터 FETs, MOSFETs 단일형 효율적인 전력 및 신호 제어 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology 산하의 유명한 반도체 브랜드로, 고성능 MOSFET, 전력 IC, 및 이산 반도체 솔루션을 전문으로 하고 있습니다. 높은 전력 효율성, 열 성능, 그리고 장기적인 신뢰성에 중점을 두고 개발된 Vishay Siliconix 제품은 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 응용 분야에서 널리 사용되고 있습니다. SIR474DP-T1-GE3: 고성능 MOSFET Vishay Siliconix의 SIR474DP-T1-GE3는 효율적인 전력 변환 및 정확한 전력 제어를 지원하는 고성능 트랜지스터로 설계되었습니다. 이 MOSFET는 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 성능, 그리고 열적 안정성을 특징으로 하며, 고온 및 고전압 환경에서도 안정적인 동작을 보장합니다. Vishay의 고급 실리콘 공정을 기반으로 하여, 다양한 운영 조건에서 뛰어난 성능을 발휘할 수 있도록 설계되었습니다. 이 제품은 다양한 산업 표준 패키지로 제공되어, PCB 레이아웃이 용이하고 최신 전력 및 신호 제어 설계에 간편하게 통합될 수 있습니다. 또한, 뛰어난 열 방출 성능을 제공하여,…

Vishay Siliconix SIHH11N60E-T1-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터, FETs, MOSFETs - 효율적인 전력 및 신호 제어를 위한 단일 소자 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology 산하의 잘 알려진 반도체 브랜드로, 고성능 MOSFET, 파워 IC, 그리고 이산 반도체 솔루션을 전문적으로 제공합니다. 전력 효율성, 열 성능, 그리고 장기적인 신뢰성에 중점을 둔 Vishay Siliconix의 제품은 자동차, 산업, 소비자, 컴퓨팅 등 다양한 분야에서 널리 사용되고 있습니다. Vishay Siliconix SIHH11N60E-T1-GE3는 효율적인 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 지원하는 고성능 트랜지스터(FET, MOSFET)로, 전기적 및 열적 조건이 까다로운 환경에서도 안정적인 동작을 제공합니다. 이 소자는 Vishay의 첨단 실리콘 프로세스를 기반으로 설계되어, 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 성능을 제공하며, 다양한 운영 시나리오에서 높은 효율성을 자랑합니다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 전도 손실이 적어 높은 효율성 제공 빠른 스위칭 성능: 고주파수 애플리케이션에 최적화 열 안정성: 낮은 열 저항과 강력한 열 방출 성능 넓은 작동 범위: 확장된 전압 및 온도 범위 지원…

개요 및 핵심 특징 Vishay Siliconix SQ2315ES-T1_GE3는 단일 FET로 설계된 고신뢰성 트랜지스터/ MOSFET 계열로, 전력 변환 및 신호 제어에서 낮은 컨덕션 손실과 빠른 스위칭 특성을 제공합니다. 이 소자는 RDS(on)가 낮아 작동 저항으로 인한 손실을 최소화하고, 고주파 환경에서도 안정적인 스위칭 속도를 발휘하도록 최적화되었습니다. 열 관리 면에서도 저열저항과 강건한 방열 특성을 갖춰, 열 부하가 높은 구동 조건에서도 성능 저하를 최소화합니다. 넓은 동작 전압 및 온도 범위를 지원하기 때문에 전력 관리 회로의 설계 여유가 커지고, 다양한 환경에서 일관된 동작을 기대할 수 있습니다. 패키지 측면에서 TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지를 폭넓게 제공해 PCB 레이아웃의 유연성을 높이고, 설계 초기 단계부터 플랫폼에 맞춘 구현이 수월합니다. 또한 JEDEC, AEC-Q101(자동차 등급 모델), RoHS, REACH 등 글로벌 품질 및 규정 준수를 충족해 신뢰성 있는 솔루션으로 평가받고 있습니다. 적용 시나리오 SQ2315ES-T1_GE3는 전력 관리 분야의 다목적 솔루션으로 활용도가 높습니다. DC-DC 컨버터, 로드 스위치, 파워…

Vishay Siliconix SUD35N10-26P-T4GE3 — 고신뢰성 트랜지스터, FET, MOSFET - 효율적인 전력 및 신호 제어 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology의 자회사로, 고성능 MOSFET, 전력 IC, 이산 반도체 솔루션을 전문으로 하는 유명한 반도체 브랜드입니다. 전력 효율성, 열 성능 및 장기 신뢰성에 중점을 둔 Vishay Siliconix의 제품들은 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 응용 분야에서 널리 사용됩니다. SUD35N10-26P-T4GE3의 특징 Vishay Siliconix SUD35N10-26P-T4GE3는 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 특성 및 극한의 전기적 및 열적 조건에서도 안정적인 작동을 제공하는 고성능 트랜지스터 - FET, MOSFET - 싱글입니다. Vishay의 첨단 실리콘 공정을 통해 설계된 이 장치는 효율적인 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 지원하며, 다양한 운영 시나리오에서 안정적인 성능을 보장합니다. 이 제품은 여러 산업 표준 패키지로 제공되어, 현대의 전력 및 신호 제어 설계에 손쉽게 통합될 수 있는 유연성을 제공합니다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 전도 손실을 줄여 높은 효율성을 제공합니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용을 위해…

Vishay Siliconix SUD50N04-8M8P-4BE3 — 고신뢰성 FET로 효율적 전력 및 신호 제어를 구현 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology 산하의 핵심 브랜드로, 고성능 MOSFET, 파워 IC, 디스크리트 반도체 솔루션을 전문으로 합니다. 전력 효율성, 열 성능, 장기 신뢰성에 중점을 두고 설계된 이들 제품은 자동차, 산업, 가전 및 컴퓨팅 분야에서 널리 채택되고 있습니다. SUD50N04-8M8P-4BE3는 단일형 트랜지스터-전력 소자 중에서도 낮은 컨덕션 손실, 빠른 스위칭 특성, 열환경 하에서도 안정적인 동작을 제공하도록 설계된 고성능 MOSFET입니다. Vishay의 첨단 실리콘 공정으로 제조되어 다양한 동작 시나리오에서 효율적인 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 가능하게 합니다. 표준 산업 패키지로 제공되어 PCB 레이아웃과 시스템 설계의 유연성을 높입니다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 컨덕션 손실 감소로 시스템 효율을 높임 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에 최적화 열 안정성: 낮은 열저항과 우수한 방열 성능 넓은 동작 범위: 전압 및 온도 확장에 대응 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 제공 품질…

IRFL014TRPBF-BE3: 고신뢰성 MOSFET로 전력 및 신호 제어의 효율성 극대화 Vishay Siliconix가 제공하는 IRFL014TRPBF-BE3은 단일 트랜지스터-전력 MOSFET로서, 낮은 도통 손실과 빠른 스위칭 특성, 그리고 가혹한 전기적·열적 조건에서도 안정적인 동작을 목표로 설계되었습니다. Vishay Siliconix는 파워 MOSFET, 파워 IC, 이산 반도체 솔루션 분야에서 오랜 기간 축적된 기술력으로 높은 전력 효율성과 우수한 열성능을 구현하며, 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 분야에 널리 채택되고 있습니다. IRFL014TRPBF-BE3는 이러한 기술 기반 위에 만들어진 고성능 소자로, 다양한 작동 환경에서 전력 변환과 정밀 제어를 돕습니다. 주요 특징 저 RDS(on)로 컨덕션 손실 감소: 전력 손실을 낮춰 시스템 효율을 높이고 발열을 억제합니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 애플리케이션에서도 안정적인 전환 특성을 제공하여 고속 전력 변환을 가능하게 합니다. 열 안정성: 낮은 열저와 견고한 방열 특성으로 고온에서도 일관된 성능을 유지합니다. 넓은 동작 범위: 다양한 전압 및 온도 조건에서 검증된 작동 범위를 지원합니다. 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준…

Vishay Siliconix SIHH14N60E-T1-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터(FET)로 효율적 전력 및 신호 제어 주요 특징 Vishay Siliconix가 제공하는 SIHH14N60E-T1-GE3는 단일 소자 MOSFET으로, 저전도 손실과 빠른 스위칭 특성을 통해 전력 변환의 효율성을 크게 향상시킵니다. 이 칩은 Vishay의 첨단 실리콘 공정을 바탕으로 설계되어, 까다로운 전기적 조건과 열 환경에서도 안정적으로 작동합니다. 저 RDS(on)는 전도 손실을 줄여 더 높은 효율을 가능하게 하고, 빠른 스위칭 성능은 고주파 애플리케이션에서의 제어 정확도와 응답 속도를 개선합니다. 또한 넓은 동작 범위를 지원해 다양한 전압 및 온도 조건에서 신뢰성 있는 동작을 보장합니다. 패키지 옵션은 TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 다양한 표준 패키지를 포함하여 실장 설계의 유연성을 제공합니다. 품질 측면에서도 이 부품은 JEDEC, AEC-Q101(자동차 등급 모델), RoHS 및 REACH와 같은 국제 규격을 충족합니다. 이러한 특성은 자동차, 산업, 컴퓨팅 및 소비자 전자 분야에서의 장기적인 신뢰성과 효율성을 모두 충족합니다. 적용 시나리오 SIHH14N60E-T1-GE3는 전력 관리 영역에서의 적용 폭이 넓습니다. DC-DC 컨버터,…

Vishay Siliconix SQJQ140E-T1_GE3 — 고신뢰성 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 소자 for 효율적 전력 및 신호 제어 Vishay Siliconix는 파워 MOSFET과 디스크리트 솔루션에서 오랜 역사를 가진 브랜드로, 열효율과 신뢰성에 중점을 두며 자동차, 산업, 소비자 전자 및 컴퓨팅 분야에서 널리 채택되고 있다. SQJQ140E-T1_GE3는 이러한 기술력의 정수를 담은 고성능 FET로, 낮은 컨덕션 손실과 빠른 스위칭 특성, 열 관리의 견고함을 바탕으로 다양한 전력 변환 및 신호 제어 설계에 안정적인 운영을 제공한다. 이 소자는 Vishay의 첨단 실리콘 공정을 활용해 고주파 및 고전압 환경에서도 일관된 성능을 발휘하도록 설계되었으며, 현대의 전력 구동 시스템에 필요한 유연한 PCB 레이아웃과 쉬운 통합성을 제공한다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 도통 손실을 최소화해 시스템 효율을 높이고 방열 부하를 줄인다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 애플리케이션에서도 안정적인 작동과 응답 속도 확보. 열적 안정성: 낮은 열 저항과 뛰어난 방열 특성으로 고부하 조건에서도 안정적 동작. 광범위한 동작 범위: 전압과 온도 조건의 확장된…

Vishay Siliconix IRFI630GPBF — 고신뢰성 트랜지스터(FET, MOSFET) 단일 소자 for 효율적인 전력 및 신호 제어 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology의 핵심 계열로, 고성능 MOSFET, 파워 IC, 디스크리트 반도체 솔루션을 제공하는 유명 브랜드다. 파워 효율성, 열 성능, 장기 신뢰성에 집중하는 이 브랜드의 제품은 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 분야에서 널리 채택되고 있다. IRFI630GPBF는 이러한 배경에서 설계된 고성능 MOSFET로, 낮은 컨덕션 손실과 빠른 스위칭 특성, 열악한 조건에서도 안정적인 작동을 목표로 한다. Vishay의 첨단 실리콘 공정을 통해 설계되어, 다양한 동작 시나리오에서 효율적인 전력 변환과 정밀한 파워 컨트롤을 지원한다. 다양한 산업 표준 패키지로 제공되어 현대 전력 회로 및 신호 제어 설계에 유연성을 부여한다. 주요 특징 저 RDS(on): 도통 손실을 줄여 시스템 효율성을 높임 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용 분야에 최적화된 전환 속도 열 안정성: 낮은 열 저항과 우수한 열 방출 성능으로 고온 환경에서도 견고 넓은 동작 범위: 전압 및 온도…

Vishay Siliconix SI7172ADP-T1-RE3 — 고신뢰성 트랜지스터: 효율적 전력 및 신호 제어를 위한 단일 MOSFET Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology 산하의 잘 알려진 반도체 브랜드로, 고성능 MOSFET, 전력 IC, 디스크리트 반도체 솔루션에 집중합니다. 전력 효율, 열 성능, 장기 신뢰성에 대한 강한 초점을 바탕으로 자동차, 산업, 소비자, 컴퓨팅 분야에서 널리 채택되고 있습니다. SI7172ADP-T1-RE3는 이러한 브랜드의 설계 철학을 반영한 고성능 트랜지스터- FET로, 단일 소자임에도 낮은 컨덕션 로스와 빠른 스위칭 특성, 그리고 열조건이 까다로운 상황에서도 안정적으로 작동하도록 설계되었습니다. Vishay의 첨단 실리콘 공정을 활용해 효율적인 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 폭넓은 동작 조건에서 지원합니다. 주요 특징과 설계 이점 낮은 RDS(on): 도통 손실을 줄여 고효율 실현 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에 최적화 열적 안정성: 낮은 열 저항과 우수한 방열 성능 넓은 작동 범위: 전압 및 온도 범위 확장에 대응 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지 제공 품질 및 표준…