Vishay Siliconix

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SQ2361AEES-T1_GE3 Vishay Siliconix
개요 및 핵심 성능 Vishay Siliconix SQ2361AEES-T1_GE3는 고신뢰성 트랜지스터- FET으로, 단일 소자에서 낮은 전도 손실과 빠른 스위치 특성을 동시에 구현하도록 설계되었습니다. 이 기기는 Vishay의 선진 실리콘 제조 공정을 반영하여 전력 변환과 신호 제어에서 우수한 효율과 안정성을 제공합니다. 저 RDS(on)으로 전도 손실을 줄이고, 고주파에서의 빠른 스위칭으로 시스템의 응답성을 높이며, 열 저항이 낮고 견고한 발열 관리 능력을 갖추고 있습니다. 광범위한 동작 전압과 온도 영역을 지원하여, 자동차, 산업, 데이터센터, 소비자 전자 등 다양한 환경에서 신뢰성 있는 동작을 보장합니다. 패키지 유연성도 중요한 강점으로, TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 다양한 표준 패키지로 제공되어 설계 시 PCB 레이아웃과 실장 품질을 높여 줍니다. 또한 JEDEC 표준, AEC-Q101(자동차용 모델), RoHS 및 REACH를 충족하는 품질 및 규정 준수를 갖추고 있어, 엄격한 산업 규정이 요구되는 애플리케이션에서도 안정적으로 사용할 수 있습니다. 적용 분야 및 설계 이점 SQ2361AEES-T1_GE3는 전력 관리와 신호 제어가 필요한 여러 분야에서 광범위하게 활용됩니다.…
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SI2312BDS-T1-GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SI2312BDS-T1-GE3 — High-Reliability Transistors - FETs, MOSFETs - Single for Efficient Power and Signal Control 개요 및 브랜드 맥락 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology 계열의 핵심 파워 솔루션 브랜드로, 고성능 MOSFET, 파워 IC, 이산 반도체 솔루션을 선도합니다. 전력 효율, 열 성능, 장기 신뢰성에 중점을 둬 자동차, 산업, 소비자 가전, 컴퓨팅 등 다양한 분야에서 널리 채택되고 있습니다. SI2312BDS-T1-GE3는 이러한 브랜드 철학을 반영해 고효율 전력 제어와 안정적인 신호 관리가 필요한 설계에 적합하도록 설계된 단일 트랜지스터- MOSFET입니다. Vishay의 첨단 실리콘 공정 기술로 만들어져, 폭넓은 작동 범위에서 전력 변환의 효율과 제어 정밀성을 동시에 제공합니다. 다양한 표준 패키지로 제공되어 현대의 설계에 유연하게 적용할 수 있습니다. 주요 특징과 패키지 옵션 낮은 RDS(on)으로 도체 손실 감소와 높은 효율 달성 빠른 스위칭 성능으로 고주파 응용에 최적화 열 안정성 우수: 저열저항 및 우수한 방열 특성 넓은 작동 범위: 전압 및 온도 조건이 확장된…
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SIHP14N50D-E3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SIHP14N50D-E3 — 고신뢰성 FET로 효율적 전력 및 신호 제어를 구현하다 SIHP14N50D-E3는 단일 채널의 고성능 트랜지스터(FET, MOSFET)로, 저전도 손실과 빠른 스위칭 특성, 그리고 까다로운 전기/열 조건에서도 안정적인 작동을 목표로 설계되었습니다. Vishay Siliconix는 파워 MOSFET과 디스크리트 솔루션 분야에서 오랜 역사를 가진 브랜드로, 전력 효율성, 열 관리 성능, 장기 신뢰성에 집중해 왔습니다. 이 계열은 고효율 파워 변환과 정밀 파워 제어를 요구하는 현대의 고급 애플리케이션에서 신뢰할 수 있는 파트너가 되어 왔으며, SIHP14N50D-E3 역시 이러한 철학을 반영합니다. 실리콘 공정의 최신 기술을 적용해 넓은 작동 구간에서의 안정적인 동작과 열 방출 효율을 제공하며, 다양한 작동 조건에서 예측 가능한 성능을 보장합니다. 또한 다양한 산업 표준 패키지로 제공되어 PCB 레이아웃에 유연성을 부여하고 설계 혁신을 촉진합니다. SIHP14N50D-E3 개요 단일 MOSFET으로 구성된 이 디바이스는 DC-DC 컨버터, 로드 스위치, 파워 모듈 등 파워 관리 구성을 간편하게 구현할 수 있게 해줍니다. TO, DPAK, PowerPAK, SO 등…
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SIHG050N60E-GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SIHG050N60E-GE3는 단일 소자 FET/MOSFET로, 높은 신뢰성과 효율성을 동시에 추구하는 파워 모듈 설계에 적합합니다. 저전도 손실과 빠른 스위칭 특성, 그리고 가혹한 전기/열 조건에서도 안정적으로 동작하도록 설계된 이 소자는, 고성능 파워 변환과 신호 제어가 필요한 현대 전자 시스템의 핵심 부품으로 자리매김하고 있습니다. 다양한 산업 표준 패키지를 지원해 PCB 레이아웃에 유연성을 더하고, 디자인 규모에 관계없이 통합이 용이합니다. 아래에서 SIHG050N60E-GE3의 핵심 특징과 활용 가능성을 살펴봅니다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 전도 손실을 줄여 시스템 효율을 높이고 발열을 관리합니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 애플리케이션에서 효율과 응답 속도를 향상시킵니다. 열적 안정성: 낮은 열 저항성과 우수한 방열 특성으로 고부하 환경에서도 안정적으로 작동합니다. 넓은 동작 범위: 다양한 전압 및 온도 조건에서 신뢰성 있는 동작을 제공합니다. 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 설계에 맞춘 선택이 가능합니다. 품질 및 규정 준수: JEDEC, AEC-Q101(자동차 등급 모델), RoHS, REACH를 충족하는 품질 표준을 따릅니다.…
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IRLR024PBF Vishay Siliconix
주요 특징 낮은 RDS(on)으로 도통 손실 감소와 고효율 실현 빠른 스위칭 성능으로 고주파 응용 가능 열 안정성: 낮은 열 저항과 우수한 방열 특성 넓은 작동 범위: 다양한 전압과 온도에서 안정적 동작 패키지 다양성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지 지원 품질 및 규정 준수: JEDEC, AEC-Q101(자동차 등급), RoHS, REACH 준수 IRLR024PBF는 이러한 특징들을 한데 모아 고효율 전력 관리와 정밀 제어를 가능하게 하는 단일 모스펫이다. 저전력 손실 설계를 통해 열 관리 부담을 줄이고, 빠른 스위칭으로 고주파 환경에서도 안정적인 동작을 제공한다. 다양한 패키지 옵션은 PCB 레이아웃의 융통성을 높이며, 까다로운 산업 표준에 맞춘 품질 체계 덕분에 자동차, 산업 및 가전 분야에서의 설계와 생산에 신뢰감을 준다. 이로 인해 엔지니어는 복잡한 파워 아키텍처를 단순화하고, 신호 제어의 정확성과 시스템의 전반적 효율을 개선할 수 있다. 응용 시나리오 파워 매니지먼트: DC-DC 컨버터와 로드 스위치 같은 핵심 구성에 적합해 전력 변환 효율을 높이고…
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SUD90330E-GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SUD90330E-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 모듈로 효율적인 전력 및 신호 제어 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology의 일부로, 고성능 MOSFET, 전력 IC 및 이산 반도체 솔루션을 전문으로 하는 잘 알려진 반도체 브랜드입니다. 전력 효율성, 열 성능 및 장기적인 신뢰성에 중점을 두고 있는 Vishay Siliconix의 제품은 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 애플리케이션에서 널리 사용되고 있습니다. Vishay Siliconix SUD90330E-GE3: 고성능 전력 제어용 FET/MOSFET Vishay Siliconix SUD90330E-GE3는 전도 손실을 최소화하고 빠른 스위칭 동작을 제공하며, 전기적 및 열적 조건이 까다로운 환경에서도 안정적인 동작을 보장하는 고성능 트랜지스터(FET), MOSFET 단일 모듈입니다. 이 장치는 Vishay의 고급 실리콘 공정을 통해 설계되었으며, 효율적인 전력 변환 및 정밀한 전력 제어를 지원합니다. 다양한 산업 표준 패키지로 제공되어 유연한 PCB 레이아웃과 현대적인 전력 및 신호 제어 설계에 쉽게 통합될 수 있습니다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 전도 손실을 줄여 효율을 높입니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파수 애플리케이션에…
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SIR638ADP-T1-RE3 Vishay Siliconix
개요 및 특징 Vishay Siliconix SIR638ADP-T1-RE3은 단일 트랜지스터- FET/MOSFET로 설계된 고성능 부품으로, 효율적인 전력 제어와 신호 제어를 동시에 실현합니다. Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology의 자회사로, 파워 MOSFET 및 디스크리트 솔루션 분야에서 오랜 역사를 자랑합니다. 이 시리즈는 저 RDS(on)으로 전도 손실을 줄이고, 빠른 스위칭 특성으로 고주파 애플리케이션의 성능을 끌어올리며, 열 관리가 뛰어나 다양한 열 조건에서도 안정적으로 작동합니다. 또한 범용 silicon 공정으로 만들어져 넓은 작동 전압과 온도 범위를 지원합니다. TO형, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 제공되어 보드 레이아웃과 시스템 설계에 유연성을 제공합니다. 품질 측면에서도 JEDEC, AEC-Q101(자동차 등급 모델), RoHS, REACH 등 국제 표준을 충족합니다. 주요 특징은 다음과 같습니다: 저 RDS(on)으로 전도 손실 감소 빠른 스위칭 성능으로 고주파 응용에 적합 열 안정성: 낮은 열 저항 및 뛰어난 방열 특성 넓은 작동 범위: 확장된 전압 및 온도 범위 지원 패키지 다양성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 다양한 표준 패키지…
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SQA403EJ-T1_GE3 Vishay Siliconix
개요 및 핵심 특징 Vishay Siliconix SQA403EJ-T1GE3는 고신뢰성 싱글 MOSFET으로, 저 RDS(on)으로 인한 전도 손실 감소와 빠른 스위칭 특성으로 전력 변환 효율을 높이는 데 최적화되어 있습니다. Vishay Siliconix는 파워 MOSFET, 파워 IC 및 디스크리트 솔루션 분야에서 오랜 역사를 가진 브랜드로, 전력 효율성, 열 성능, 장기 신뢰성에 중점을 둬 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 분야에서 널리 채택되어 왔습니다. SQA403EJ-T1GE3는 이러한 전통을 바탕으로 설계 공정의 진보를 담아, 다양한 작동 조건에서 안정적인 동작과 예측 가능한 성능을 제공합니다. 이 소자는 TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 산업 표준 패키지로 제공되어 설계자들이 PCB 레이아웃과 시스템 구성을 유연하게 구성할 수 있게 해 줍니다. 설계 유연성과 품질 준수 핵심 특징으로는 낮은 RDS(on), 빠른 스위칭 속도, 뛰어난 열 안정성, 넓은 동작 범위가 꼽힙니다. 낮은 전도 손실은 고효율 DC-DC 컨버터나 로드 스위치에서 열 관리 부담을 줄이고, 빠른 스위칭은 고주파 응용분야에서 잡음과 손실을 최소화합니다. 열 특성…
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SIR804DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SIR804DP-T1-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터로 효율적 전력 및 신호 제어 Vishay Siliconix은 고성능 MOSFET과 전력 집적 솔루션으로 잘 알려진 브랜드로, 전력 효율과 열 성능, 신뢰성을 핵심 가치로 삼아 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 분야에서 널리 채택되고 있습니다. SIR804DP-T1-GE3는 이러한 강점을 바탕으로 설계된 단일 소자의 고성능 트랜지스터-전력 MOSFET으로, 낮은 도통 손실과 빠른 스위칭 특성, 그리고 까다로운 전기적 및 열 조건에서도 안정적으로 동작하도록 최적화되었습니다. 이 부품은 Vishay의 최첨단 실리콘 공정으로 제조되어 광범위한 작동 시나리오에서 효율적인 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 가능하게 합니다. 또한 다양한 산업 표준 패키지로 제공되어 현대 파워 및 신호 제어 회로의 PCB 레이아웃과 통합에 유연함을 제공합니다. 특징 및 이점 SIR804DP-T1-GE3의 핵심 특징은 다음과 같습니다. 우선 RDS(on)가 낮아 직류 전도 손실이 감소하고, 고주파 응용에서의 빠른 스위칭 성능으로 시스템의 전력 효율이 개선됩니다. 열 저항이 낮고 열 방출이 안정적으로 이루어지도록 설계되어 열 관리가 중요한 모듈에서도 성능…
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SI2302CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SI2302CDS-T1-GE3 — 고신뢰도 트랜지스터(FET, MOSFET) 단일 소자, 효율적 전력 및 신호 제어를 위한 솔루션 개요 및 주요 특징 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology의 핵심 파워 솔루션 브랜드로, 고성능 MOSFET, 파워 IC 및 디스크리트 반도체를 통해 전력 효율과 열 특성, 신뢰성을 강조합니다. SI2302CDS-T1-GE3은 낮은 전도손실과 빠른 스위칭 특성을 바탕으로 까다로운 전력 변환 및 신호 제어 요구를 충족하도록 설계된 단일 MOSFET입니다. 이 소자는 Vishay의 첨단 실리콘 공정으로 제조되어 다양한 동작 환경에서 안정적인 성능을 제공합니다. 주요 특징 저 RDS(on): 전도 손실을 줄여 시스템 효율성 향상 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용 분야에 최적화 열 안정성: 낮은 열저항 및 우수한 방열 특성으로 고온 작동에서도 일관된 성능 유지 넓은 동작 범위: 폭넓은 전압 및 온도 조건에서 신뢰성 있는 작동 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 제공 품질 및 규정 준수: JEDEC, AEC-Q101(자동차 등급 모델), RoHS, REACH 준수…
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