Vishay Siliconix

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SIHF12N50C-E3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SIHF12N50C-E3는 단일 형식의 고성능 MOSFET으로, 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 characteristic, 그리고 까다로운 전기적·열적 조건에서도 안정적인 작동을 목표로 설계되었습니다. Vishay의 첨단 실리콘 프로세스를 기반으로 한 이 부품은 효율적인 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 폭넓은 동작 환경에서 지원합니다. 또한 다양한 표준 패키지로 제공되어 현대적인 전력 및 신호 제어 설계에 유연한 PCB 레이아웃과 손쉬운 통합을 가능하게 합니다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 전도 손실을 줄여 시스템 효율성 향상 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에 최적화된 전환 반응 열 안정성: 낮은 열저항과 우수한 방열 특성으로 견고한 동작 보장 넓은 동작 범위: 전압 및 온도 범위 확대로 다양한 환경에서 안정성 확보 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지 옵션으로 설계 유연성 증가 품질 및 규정 준수: JEDEC, AEC-Q101(자동차용 모델), RoHS, REACH 등 국제 표준 준수 적용 시나리오 파워 매니지먼트: DC-DC 컨버터, 로드 스위치, 파워 모듈 등에 이상적…
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SI1443EDH-T1-GE3 Vishay Siliconix
브랜드 개요와 SI1443EDH-T1-GE3 소개 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology 산하의 고성능 MOSFET, 파워 IC 및 디스크리트 반도체 솔루션 분야에서 오랜 역사를 가진 브랜드입니다. 전력 효율성과 열 성능, 장기 신뢰성에 초점을 맞춰 자동차, 산업, 가전, 컴퓨팅 분야에서 널리 채택되고 있습니다. 이 맥락에서 SI1443EDH-T1-GE3는 단일 소자로 설계된 고성능 트랜지스터-펑션 MOSFET으로, 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 속도, 열적 안정성을 제공하도록 엔지니어링되었습니다. Vishay의 진보된 실리콘 제조 공정으로 제작되어 다양한 작동 조건에서 효율적인 전력 변환과 정밀 제어를 가능하게 합니다. 다수의 업계 표준 패키지로 제공되어 현대 파워 및 신호 제어 설계에 유연성과 간편한 PCB 레이아웃을 제공합니다. 핵심 특징, 설계 유연성 및 패키지 옵션 SI1443EDH-T1-GE3의 주요 특징은 다음과 같습니다. 저 RDS(on): 전도 손실을 줄여 시스템 효율을 높임. 빠른 스위칭 성능: 고주파 애플리케이션에 적합한 동적 응답. 열적 안정성: 낮은 열 저항과 견고한 방열 특성으로 고부하 환경에서 안정적 동작. 넓은 작동 범위: 전압 및 온도…
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IRFR430ATRLPBF Vishay Siliconix
Vishay Siliconix의 IRFR430ATRLPBF는 고신뢰성 파워 소자 분야에서 널리 인정받는 단일 FET 솔루션으로, 낮은 전도 손실과 빠른 스위칭 특성, 열 관리 우수성을 한꺼번에 제공합니다. Vishay Siliconix는 파워 MOSFET, 파워 IC 및 분리 소자 분야에서 오랜 경력과 신뢰성으로 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 분야에 폭넓게 적용되는 솔루션을 공급해 왔습니다. IRFR430ATRLPBF는 정밀한 파워 컨트롤과 효율적인 전력 변환이 필요한 다양한 시나리오에서 안정적인 성능을 발휘하도록 설계되었습니다. 특성 및 설계 이점 낮은 RDS(on): 도통 손실을 최소화해 시스템 효율을 높이고, 발열 관리 부담을 줄여 전력 밀도가 증가하는 설계에서 이점을 제공합니다. 빠른 스위칭 특성: 고주파 응용에서의 전환 속도 향상을 통해 시스템 전반의 응답성과 효율을 개선합니다. 열적 안정성: 낮은 열저항과 우수한 방열 성능으로 고부하 운전에서도 안정적인 동작을 유지합니다. 광범위한 동작 범위: 다양한 전압 및 온도 조건에서 신뢰성 있는 성능을 보장하여 엄격한 환경에서도 설계 여유를 제공합니다. 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로…
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SIDR402DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SIDR402DP-T1-GE3 — 고신뢰성 FET로 효율적 전력 및 신호 제어 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology의 자회사로, 고성능 MOSFET, 파워 IC 및 디스크리트 솔리루션을 전문으로 하는 이름난 브랜드입니다. 전력 효율성, 열 성능, 장기 신뢰성에 집중하는 설계 철학으로 자동차, 산업, 가전 및 컴퓨팅 분야에서 널리 채택됩니다. SIDR402DP-T1-GE3는 이러한 기술력을 바탕으로 낮은 전도 손실과 빠른 스위칭 특성, 그리고 까다로운 전기적·열적 조건에서도 안정적인 동작을 제공하도록 설계된 단일형 파워 MOSFET입니다. 정교한 실리콘 공정으로 제조되어 다수의 작동 시나리오에서 효율적 전력 변환과 정밀 제어에 기여합니다. 또한 표준 산업 패키지로 제공되어 현대 파워/시그널 제어 설계에 유연하게 적용할 수 있습니다. 주요 특징 저 RDS(on): 전도 손실을 줄여 시스템 효율을 높임 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에 최적화된 전환 속도 열적 안정성: 낮은 열 저항과 우수한 방열 특성 넓은 작동 범위: 전압 및 온도 조건의 확장된 범위 지원 패키지의 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준…
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SQM120N04-1M9_GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SQM120N04-1M9_GE3 — 고신뢰성 트랜지스터(FETs, MOSFETs) 단일 소자 주요 특징 및 설계 이점 SQM120N04-1M9_GE3는 저전압에서의 전도 손실 감소와 신속한 스위칭 특성을 결합한 고성능 MOSFET으로, 고주파 전력 변환과 정밀 전력 제어에 최적화되어 있습니다. 낮은 RDS(on)은 시스템 전체의 효율을 높이고 열 손실을 억제해 열 관리 요구가 까다로운 설계에서도 안정적으로 작동합니다. 넓은 작동 범위 덕분에 다양한 전압 및 온도 조건에서 예측 가능한 성능을 제공합니다. 또한 Vishay의 첨단 실리콘 공정 기술로 제작되어 장시간의 신뢰성과 일관된 성능을 유지합니다. 패키지 측면에서 TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지 옵션을 제공해 PCB 레이아웃의 유연성을 극대화하고, 기존 설계와의 호환성을 높입니다. 품질과 규정 준수 측면에서도 JEDEC 표준, AEC-Q101(자동차 등급 모델), RoHS 및 REACH를 충족해 자동차 및 산업용 애플리케이션의 까다로운 환경 요건에 대응합니다. 응용 분야 및 성능 이점 SQM120N04-1M9_GE3는 전력 관리 회로의 핵심 구성으로서 다양한 분야에 폭넓게 적용됩니다. DC-DC 컨버터, 로드 스위치, 파워 모듈에서의…
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SIR106DP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SIR106DP-T1-RE3 — 고신뢰성 트랜지스터(FET/MOSFET) 단일 패키지로 효율적 전력 및 신호 제어 Vishay Siliconix는 Power MOSFET와 고성능 디지털/아날로그 솔루션 분야를 선도하는 브랜드로, 전력 효율, 열 성능, 그리고 장기 신뢰성에 집중합니다. SIR106DP-T1-RE3는 이러한 강점을 바탕으로 낮은 컨덕턴스 손실, 빠른 스위칭 특성, 그리고 열 관리가 중요한 고부하 환경에서 안정적인 동작을 제공합니다. 실리콘 공정의 최신 기술을 적용해 전력 변환과 정밀 제어를 필요로 하는 다양한 설계에 폭넓게 적용됩니다. 특징과 기술적 우위 저 RDS(on): 도통 손실을 최소화하여 시스템 효율을 높이고 발열도 관리합니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에서도 안정적인 스위칭으로 응답성과 에너지 손실 감소를 지원합니다. 열 안정성: 낮은 열 저항과 우수한 방열 특성으로 고온 환경에서도 성능 저하를 최소화합니다. 넓은 작동 범위: 전압 및 온도 범위가 넓어 다양한 운영 조건에서 안정적인 동작을 보장합니다. 패키지 다양성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 산업 표준 패키지로 설계 유연성과 PCB 레이아웃의 편의성을 제공합니다. 품질 및…
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SIHB12N65E-GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SIHB12N65E-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터(FET), MOSFET 단일 소자, 효율적인 전력 및 신호 제어를 위한 최적의 선택 Vishay Siliconix는 전 세계적으로 널리 알려진 반도체 브랜드인 Vishay Intertechnology의 일환으로, 고성능 MOSFET, 전력 IC 및 분리형 반도체 솔루션을 전문으로 합니다. Vishay Siliconix의 제품은 전력 효율성, 열 성능, 그리고 장기적인 신뢰성에 중점을 두고 설계되어, 자동차, 산업, 소비자, 컴퓨팅 등 다양한 분야에서 폭넓게 사용되고 있습니다. Vishay Siliconix SIHB12N65E-GE3의 주요 특징 Vishay Siliconix SIHB12N65E-GE3는 고성능 트랜지스터인 FET 및 MOSFET 단일 소자로, 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 동작, 그리고 까다로운 전기적 및 열적 조건에서 안정적인 동작을 제공합니다. Vishay의 첨단 실리콘 공정을 통해 설계된 이 소자는 효율적인 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 지원하며, 다양한 운영 시나리오에 적합하게 동작합니다. 이 제품은 다양한 산업 표준 패키지로 제공되며, 유연한 PCB 레이아웃과 현대적인 전력 및 신호 제어 설계에 간편하게 통합될 수 있습니다. 주요 특성 및 장점…
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SIHA24N65EF-E3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SIHA24N65EF-E3 — 고신뢰성 MOSFET로 효율적인 전력·신호 제어의 새로운 표준 Vishay Siliconix는 고성능 MOSFET, 파워 IC, 디스크리트 솔루션 분야의 확고한 리더입니다. 전력 효율성과 열 성능, 그리고 장기 신뢰성에 집중하는 이 브랜드의 제품은 자동차, 산업, 가전, 컴퓨팅 등 다양한 영역에서 널리 채택되고 있습니다. SIHA24N65EF-E3는 이러한 강점을 한 자리에서 구현하도록 설계된 고성능 트랜지스터- FET, MOSFET입니다. 저손실 전도와 빠른 스위칭, 열 환경에서의 안정적인 동작을 바탕으로 폭넓은 작동 조건에서 정밀한 파워 컨트롤을 가능케 합니다. 핵심 특징과 성능 저 RDS(on): 전도 손실을 최소화해 전체 시스템 효율을 높임 빠른 스위칭 성능: 고주파 애플리케이션에 최적화된 전환 특성 열 안정성: 낮은 열 저항과 우수한 방열 능력으로 고부하에서도 안정적 동작 넓은 작동 범위: 전압 및 온도 범위 확장으로 다양한 환경에 대응 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 설계 유연성 향상 품질 및 규정 준수: JEDEC, AEC-Q101(자동차 등급), RoHS, REACH 규격…
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SIHF28N60EF-GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SIHF28N60EF-GE3 — 고신뢰성 FET, MOSFET 단일 소자으로 효율적 전력 및 신호 제어 구현 SIHF28N60EF-GE3는 Vishay Siliconix의 최첨단 실리콘 공정을 활용해 설계된 고성능 트랜지스터- FET, MOSFET 단일 소자입니다. 전력 효율성과 열적 성능, 긴 수명 신뢰성에 중점을 두고 차량용, 산업용, 소비자 전자 및 컴퓨팅 분야에서 안정적인 전력 관리와 정밀한 제어를 가능하게 합니다. 다양한 업계 표준 패키지로 제공되어 PCB 레이아웃의 융통성과 현대 파워·신호 제어 설계에의 손쉬운 통합이 가능합니다. 핵심 특징 저 RDS(on)로 도통 손실 감소: 실전 구동 중 열 손실을 낮춰 시스템 효율을 높이고 발열 관리 여건을 완화합니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에도 뛰어난 스위칭 속도와 제어 응답성을 제공합니다. 열적 안정성: 낮은 열저항과 우수한 방열 특성으로 열 피크를 억제하고 신뢰성 있는 동작을 유지합니다. 넓은 작동 범위: 전압과 온도 범위가 넓어 다양한 환경에서도 안정적으로 작동합니다. 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 제공되어 설계 및…
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SQJ182EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SQJ182EP-T1_GE3 — 고신뢰성 트랜지스터(FET)로 효율적 전력 및 신호 제어 개요 및 핵심 특징 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology 소속의 고성능 MOSFET, 파워 IC 및 디스크리트 솔루션으로 널리 알려진 브랜드다. SQJ182EP-T1_GE3는 단일 구성의 고성능 트랜지스터- FET로, 낮은 전도 손실(RDS(on))과 빠른 스위칭 특성, 그리고 혹독한 전기적·열적 조건에서도 안정적인 동작을 목표로 설계되었다. 이 소자는 Vishay의 첨단 실리콘 공정을 통해 개발되어 효율적인 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 폭넓은 작동 조건에서 가능하게 한다. 또한 다양한 산업 표준 패키지로 제공되어, 현대 파워 및 신호 제어 설계에 유연한 레이아웃과 신속한 통합을 가능하게 한다. 성능 세부사항과 패키지 옵션 저 RDS(on): 전도 손실을 낮춰 시스템 효율을 높인다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에 최적화되어, DC-DC 컨버터와 같은 고속 토폴로지에 적합하다. 열적 안정성: 낮은 열 저항과 견고한 방열 특성으로 열 관리 부담을 줄인다. 넓은 동작 범위: 폭넓은 전압 및 온도 범위를 지원한다. 패키지 유연성: TO,…
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