Vishay Siliconix

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SQJQ100EL-T1_GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SQJQ100EL-T1_GE3 — 고신뢰성 트랜지스터 및 MOSFET을 위한 효율적인 전력 및 신호 제어 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology의 하위 브랜드로, 고성능 MOSFET, 전력 IC 및 이산 반도체 솔루션을 전문으로 합니다. 전력 효율성, 열 성능, 장기 신뢰성에 중점을 두고 있는 Vishay Siliconix의 제품은 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 응용 프로그램에서 널리 사용되고 있습니다. Vishay Siliconix SQJQ100EL-T1_GE3는 전도 손실이 낮고 빠른 스위칭 성능을 제공하며, 열적 및 전기적 조건에서 안정적인 동작을 보장하는 고성능 트랜지스터(FET), MOSFET-싱글입니다. Vishay의 고급 실리콘 공정을 통해 설계된 이 제품은 효율적인 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 지원하며, 다양한 운용 시나리오에서 우수한 성능을 발휘합니다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 전도 손실을 줄여 높은 효율성을 제공합니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용 프로그램에 최적화된 설계. 열 안정성: 낮은 열 저항과 강력한 열 방출 성능을 갖추고 있습니다. 광범위한 운용 범위: 확장된 전압 및 온도 범위를 지원하여 다양한 환경에서 안정적인 성능을…
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SI8816EDB-T2-E1 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SI8816EDB-T2-E1 — 고신뢰성 트랜지스터- MOSFET 단일 소자, 효율적 전력 및 신호 제어를 위한 선택 Vishay Siliconix는 고성능 MOSFET과 전력 IC, 디스크리트 솔루션으로 잘 알려진 브랜드다. 전력 효율과 열 특성, 신뢰성에 중점을 두고 설계된 이들 부품은 자동차, 산업, 가전, 컴퓨팅 분야에서 폭넓게 활용된다. SI8816EDB-T2-E1은 단일 소자로 구성된 고성능 MOSFET로, 낮은 RDS(on)와 빠른 스위칭 특성, 그리고 엄격한 열 조건에서도 안정적인 동작을 제공합니다. Vishay의 진보된 실리콘 공정을 바탕으로 제작된 이 소자는 전력 변환과 정밀 제어를 필요로 하는 다양한 환경에서 효율적이고 신뢰 가능한 솔루션으로 작동합니다. 여러 표준 패키지로 제공되어 현대적 파워 및 신호 제어 설계에서 PCB 레이아웃의 유연성을 한층 높여줍니다. 주요 특징 저 RDS(on)로 도통 손실 감소: 더 높은 시스템 효율과 배터리 수명 연장을 가능하게 합니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용 분야에서 우수한 응답 속도와 관리 편의성을 제공합니다. 열 안정성: 낮은 열저항과 우수한 방열 특성으로 고부하 조건에서도…
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SI2318DS-T1-BE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SI2318DS-T1-BE3 — 고신뢰성 트랜지스터(FET, MOSFET) 싱글로 효율적 전력 및 신호 제어 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology 산하의 오래된 반도체 브랜드로, 고성능 MOSFET, 파워 IC 및 디스크리트 솔루션을 전문으로 합니다. 전력 효율, 열 성능 및 장기 신뢰성에 초점을 맞춘 제품 라인업은 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 분야에서 널리 사용되며, 설계 단계부터 납기 및 품질 관리에 이르기까지 안정적인 파이프라인을 제공합니다. SI2318DS-T1-BE3는 고성능의 싱글 FET으로, 낮은 컨덕션 손실(RDS(on))을 통해 효율을 높이고, 빠른 스위칭 특성으로 고주파 환경에서의 제어를 용이하게 합니다. 이 소자는 열 저항이 낮고 열 확산이 우수한 구조로 설계되어, 가혹한 전기적/열적 조건에서도 안정적인 작동을 보장합니다. 또한 넓은 작동 전압 및 온도 범위를 지원해 다양한 애플리케이션에서 신뢰성 있는 전력 제어를 가능하게 합니다. Vishay의 고급 실리콘 공정 기술을 바탕으로 제작된 이 디바이스는 전력 변환 효율을 향상시키고 정밀한 파워 컨트롤을 요구하는 설계에 적합합니다. 패키지 및 설계 유연성은 실용적인 이점으로 작용합니다.…
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SQJQ112E-T1_GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SQJQ112E-T1_GE3 — 고신뢰성 트랜지스터(FET, MOSFET) 단일 패키지로 효율적인 전력 및 신호 제어 개요 및 핵심 특징 Vishay Siliconix의 SQJQ112E-T1_GE3는 고성능 MOSFET으로, 낮은 전도 손실과 빠른 스위칭 특성을 통해 전력 변환 효율을 높이고, 극한의 전기·열 조건에서도 안정적으로 동작하도록 설계되었습니다. 저 RDS(on) 특성은 전력 손실을 줄여 더 작은 발열과 더 높은 시스템 효율을 가능하게 하며, 고주파 응용에서의 스위칭 성능은 빠른 전력 전환과 반응 속도 향상을 돕습니다. 또한 열 저항이 낮고 열 관리가 우수한 구조로 구성되어 열적 안전성과 신뢰성을 동시에 확보합니다. 넓은 작동 전압 및 온도 범위를 지원하여 온도 상승이나 전압 변동이 큰 환경에서도 안정적인 동작을 제공합니다. 다양한 표준 패키지로 제공되므로 레이아웃 설계의 유연성이 뛰어나고, TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 일반적인 형태를 포함해 손쉽게 적용할 수 있습니다. 품질과 규정 준수 측면에서도 JEDEC, AEC-Q101(자동차 등급 모델), RoHS, REACH를 충족하는 설계로 신뢰성 높은 공급망 구성이 가능합니다. 적용 분야…
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SI4874BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SI4874BDY-T1-GE3 — 고신뢰성 FET로 효율적 전력 및 신호 제어를 구현 SI4874BDY-T1-GE3는 단일 트랜지스터 FET로서, 낮은 전도 손실(RDS(on))과 빠른 스위칭 특성, 열 안정성을 바탕으로 엄격한 전기 및 열 조건에서도 안정적인 작동을 제공합니다. Vishay의 첨단 실리콘 공정을 기반으로 설계된 이 소자는 전력 변환 및 정밀 전력 제어를 요구하는 다양한 애플리케이션에 적합합니다. 여러 표준 패키지로 제공되어 설계 유연성과 PCB 배열의 간편화를 가능하게 합니다. 핵심 특징 Low RDS(on): 전도 손실을 낮춰 효율성 향상에 기여 Fast Switching Performance: 고주파 애플리케이션에 최적화된 빠른 스위칭 Thermal Stability: 낮은 열저항과 뛰어난 방열 특성 Wide Operating Range: 확장된 전압 및 온도 범위에서 안정적 동작 Package Flexibility: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 다양성 확보 Quality
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SIJA52DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SIJA52DP-T1-GE3 — 효율적인 전력 및 신호 제어를 위한 고신뢰성 트랜지스터 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology의 자회사로, 고성능 MOSFET, 전력 IC, 그리고 이산 반도체 솔루션을 전문으로 하는 반도체 브랜드입니다. 높은 전력 효율성, 열 성능, 그리고 장기적인 신뢰성에 중점을 두는 Vishay Siliconix의 제품들은 자동차, 산업, 소비자 전자기기 및 컴퓨팅 응용 분야에서 널리 사용되고 있습니다. Vishay Siliconix SIJA52DP-T1-GE3는 뛰어난 성능을 제공하는 FET 트랜지스터로, 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 동작, 그리고 극한의 전기적 및 열적 조건에서 안정적인 동작을 보장합니다. Vishay의 첨단 실리콘 공정을 통해 설계되어, 효율적인 전력 변환과 정확한 전력 제어를 다양한 운영 시나리오에서 지원합니다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 낮은 전도 손실로 더 높은 효율성 제공 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에 최적화된 설계 열 안정성: 낮은 열 저항 및 강력한 열 방산 성능 넓은 동작 범위: 확장된 전압 및 온도 범위 지원 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO…
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SIA466EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SIA466EDJ-T1-GE3 — High-Reliability Transistors - FETs, MOSFETs - Single for Efficient Power and Signal Control 개요 및 브랜드 맥락 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology 산하의 잘 알려진 반도체 브랜드로, 고성능 MOSFET, 파워 IC, 디스크리트 솔루션 분야에서 오랜 역사를 자랑합니다. 전력 효율성, 열 성능, 장기 신뢰성에 집중하는 이 브랜드의 제품은 자동차, 산업, 소비자 전자, 컴퓨팅 등 다양한 분야에서 널리 채택됩니다. SIA466EDJ-T1-GE3는 단일 소자로 구성된 고성능 트랜지스터- FET로, 저전도 손실, 빠른 스위칭 특성, 열악한 조건에서도 안정적인 동작을 목표로 설계되었습니다. 이 기기는 Vishay의 첨단 실리콘 공정을 바탕으로, 전력 변환과 신호 제어를 효율적으로 구현할 수 있도록 폭넓은 작동 환경에서의 성능 일관성을 제공합니다. 또한 산업표준 패키지로 제공되어 현대 파워 및 신호 제어 설계에 유연하게 배치될 수 있습니다. 주요 특징과 성능 이점 저 RDS(on)로 인한 전도 손실 감소: 작은 온저항은 시스템 효율을 높이고, 방열 부담을 줄여 소형 시스템에서도 고부하 동작이…
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SIHB33N60EF-GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SIHB33N60EF-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - 효율적인 전력 및 신호 제어를 위한 단일 소자 Vishay Siliconix는 고성능 MOSFET, 전력 IC, 그리고 이산 반도체 솔루션을 전문으로 하는 Vishay Intertechnology의 브랜드로, 전력 효율성, 열 성능 및 장기적인 신뢰성에 집중하는 것으로 잘 알려져 있습니다. Vishay Siliconix의 제품은 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 애플리케이션에서 널리 사용되고 있습니다. Vishay Siliconix의 SIHB33N60EF-GE3는 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 성능 및 전기적, 열적 조건에서 안정적인 동작을 제공하도록 설계된 고성능 트랜지스터(FETs, MOSFETs) 단일 소자입니다. Vishay의 고급 실리콘 공정을 통해 설계된 이 소자는 효율적인 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 지원하며, 다양한 작동 시나리오에서 우수한 성능을 발휘합니다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 전도 손실이 감소하여 높은 효율성 제공 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용 분야에 최적화 열 안정성: 낮은 열 저항과 강력한 열 방출 성능 광범위한 작동 범위: 확장된 전압 및 온도 범위 지원…
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SIHG080N60E-GE3 Vishay Siliconix
SIHG080N60E-GE3는 고신뢰성 트랜지스터(FET)로서 효율적인 전력 및 신호 제어를 위해 설계된 싱글 MOSFET입니다. 저전압 로스와 빠른 스위칭 특성, 그리고 까다로운 열 환경에서도 안정적으로 작동하는 성능으로, 자동차, 산업, 컴퓨팅 및 가전 분야의 전력 변환 모듈에 이상적인 선택지로 자리매김합니다. Vishay Siliconix의 첨단 실리콘 공정으로 개발된 이 소자는 광범위한 작동 조건에서 효율적인 전력 변환과 정밀 제어를 가능하게 합니다. 다양한 산업 표준 패키지로 제공되어 보드 레이아웃의 유연성을 높이고, 현대 전원 및 신호 제어 설계에 손쉽게 통합할 수 있습니다. 특징 및 성능 저 RDS(on): 도통 손실을 줄여 시스템 효율을 향상시킵니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에서 유리한 전환 특성을 제공합니다. 열 안정성: 낮은 열 저항과 우수한 열 분산으로 고온에서도 안정적인 동작을 보장합니다. 넓은 작동 범위: 전압 및 온도 범위가 넓어 다양한 환경에 대응합니다. 패키지 다양성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 제공되어 PCB 설계에 유연성을 부여합니다. 품질 및 규격 준수: JEDEC,…
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SQJ488EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SQJ488EP-T1_GE3 — 고신뢰성 트랜지스터(FET, MOSFET) 단일 소자 Vishay Siliconix는 파워 MOSFET 및 디스크리트 솔루션 분야에서 오랜 역사를 가진 브랜드로, 전력 효율성과 열 성능, 장기 신뢰성에 중점을 둔 제품군으로 잘 알려져 있다. 이러한 기반 위에 개발된 SQJ488EP-T1_GE3는 낮은 전도 손실과 빠른 스위칭 특성, 그리고 까다로운 전기/열 조건에서도 안정적으로 작동하도록 설계된 고성능의 단일 트랜지스터(FET, MOSFET) 소자다. 이 소자는 Vishay의 첨단 실리콘 공정을 활용해 폭넓은 작동 시나리오에서 효율적인 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 지원한다. 다양한 업계 표준 패키지로 제공되어 현대 전력 및 신호 제어 설계에 유연한 PCB 레이아웃과 손쉬운 통합을 가능하게 한다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 전도 손실을 최소화해 시스템 효율을 높이며, 열 관리 부담을 줄인다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에 최적화되어 고속 전력 전환에 유리하다. 열 안정성: 낮은 열 저항과 우수한 방열 특성으로 고부하 조건에서도 안정적인 동작을 제공한다. 넓은 동작 범위: 전압 및 온도 범위가…
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