Vishay Siliconix

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IRFR120PBF-BE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix IRFR120PBF-BE3 — 고신뢰성 트랜지스터 FET, MOSFET 단일형 효율적인 전력 및 신호 제어 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology의 자회사로, 고성능 MOSFET, 전력 IC 및 이산 반도체 솔루션을 전문으로 하는 반도체 브랜드입니다. 전력 효율성, 열 성능 및 장기적인 신뢰성에 강점을 가진 Vishay Siliconix의 제품들은 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 애플리케이션에서 널리 사용되고 있습니다. Vishay Siliconix IRFR120PBF-BE3는 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 성능, 그리고 까다로운 전기적 및 열적 조건에서 안정적인 동작을 제공하도록 설계된 고성능 FET(MOSFET)입니다. Vishay의 고급 실리콘 공정을 통해 설계되어 효율적인 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 지원하며 다양한 작동 시나리오에서 안정적인 성능을 보장합니다. 또한, 산업 표준 패키지로 제공되어, 유연한 PCB 레이아웃과 현대적인 전력 및 신호 제어 시스템에 쉽게 통합할 수 있습니다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 전도 손실이 감소하여 더 높은 효율성 제공 빠른 스위칭 성능: 고주파 애플리케이션에 최적화 열 안정성: 낮은 열 저항 및 강력한 열…
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SIR876BDP-T1-RE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SIR876BDP-T1-RE3 — 고신뢰성 FET 단일 소자, 효율적 전력 및 신호 제어를 위한 선택 주요 특징 및 설계 이점 Vishay Siliconix가 제공하는 SIR876BDP-T1-RE3은 단일 트랜지스터-MOSFET 솔루션으로, 낮은 RDS(on)으로 도체 손실을 최소화하고 빠른 스위칭 특성으로 고주파 응용에서 우수한 성능을 발휘합니다. 이 소자는 열 저항이 낮아 열 관리가 용이하고, 다양한 작동 온도와 전압 범위를 지원해 열악한 조건에서도 안정적인 동작을 보장합니다. 패키지 면에서도 TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지를 포함한 폭넓은 옵션을 제공해 PCB 레이아웃의 유연성을 극대화합니다. 품질 및 규정 준수 측면에서도 JEDEC 표준, 자동차 등급의 AEC-Q101(모델에 따라), RoHS 및 REACH를 충족하도록 설계되어 전장 환경에서의 신뢰성을 확보합니다. 이러한 특성은 전력 변환 및 신호 제어 설계에서 효율성과 신뢰성을 동시에 달성하는 데 큰 도움이 됩니다. 적용 시나리오 SIR876BDP-T1-RE3은 다양한 산업과 시스템에 걸쳐 활용될 수 있습니다. 파워 매니지먼트 영역에서는 DC-DC 컨버터, 로드 스위치, 파워 모듈 등에서 고효율 전력 관리에…
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SI7850DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SI7850DP-T1-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터(FET/MOSFET) 단일 소자로 효율적 전력 및 신호 제어를 구현 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology 산하의 선도적 반도체 브랜드로, 고성능 MOSFET, 파워IC, 디스크리트 솔루션에 집중합니다. 전력 효율성, 열 성능, 신뢰성의 긴 수명을 바탕으로 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 분야에서 널리 채택되고 있습니다. SI7850DP-T1-GE3는 이러한 강점을 바탕으로, 낮은 전도 손실과 빠른 스위칭 특성, 그리고 열적 조건이 까다로운 상황에서도 안정적으로 동작하도록 설계된 고성능 MOSFET 단일 소자입니다. Vishay의 첨단 실리콘 공정으로 개발된 이 소자는 전력 변환의 효율을 끌어올리고 전력 제어를 정밀하게 수행하도록 최적화되어 있습니다. 다양한 산업 표준 패키지로 제공돼 현대 파워/신호 제어 설계에서 PCB 레이아웃과 통합이 용이합니다. 개요 및 핵심 기술 SI7850DP-T1-GE3은 단일 MOSFET 소자로 구성된 고성능 트랜지스터 계열의 핵심 부품입니다. 저전도 손실(RDS(on) 감소)을 통해 시스템 전반의 효율을 높이고, 빠른 스위칭 특성으로 고주파 애플리케이션에서도 우수한 응답성을 제공합니다. 또한 열 저항이 낮고 열 방출이 robust하게 설계되어,…
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SIHB12N50E-GE3 Vishay Siliconix
개요 Vishay Siliconix는 고성능 MOSFET, 파워 IC 및 디스크리트 반도체 솔루션으로 잘 알려진 글로벌 브랜드입니다. SIHB12N50E-GE3는 단일형 고신뢰성 트랜지스터(FET/MOSFET)로, 저전도 손실, 빠른 스위칭 특성, 그리고 까다로운 전기적·열적 조건에서도 안정적인 동작을 제공하도록 설계되었습니다. Vishay의 첨단 실리콘 공정을 통해 개발된 이 소자는 광범위한 작동 환경에서 효율적인 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 가능하게 하며, 현대의 파워 및 신호 제어 설계에 유연성을 더합니다. 다양한 산업 표준 패키지로 제공되어 실무 PCB 레이아웃과의 통합이 용이합니다. 주요 특징 및 이점 낮은 RDS(on)로 전도 손실 감소: 전력 변환 효율을 높이고 열 관리 부담을 줄여 시스템의 전반적인 성능을 향상시킵니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용 분야에서의 응답 속도와 제어 정확도를 개선합니다. 열적 안정성: 낮은 열 저항과 견고한 방열 특성으로 열 폭주를 방지하고 신뢰성을 강화합니다. 넓은 작동 범위: 폭넓은 전압 및 온도 범위를 지원해 다양한 운용 환경에 대응합니다. 패키지 플렉서빌리티: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준…
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SISS67DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SISS67DN-T1-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터 FETs, MOSFETs - 효율적인 전력 및 신호 제어를 위한 단일 소자 Vishay Siliconix는 전력 효율성, 열 성능 및 장기적인 신뢰성에 중점을 둔 반도체 브랜드로, 전 세계 다양한 산업에서 광범위하게 사용되고 있습니다. Vishay Siliconix는 고성능 MOSFETs, 전력 IC, 그리고 분리형 반도체 솔루션을 전문으로 하는 회사로, 특히 자동차, 산업, 소비자 전자 및 컴퓨팅 애플리케이션에서 잘 알려져 있습니다. 이 브랜드는 고효율 전력 변환 및 정밀한 전력 제어를 지원하는 혁신적인 제품을 제공합니다. Vishay Siliconix SISS67DN-T1-GE3의 특성 및 장점 Vishay Siliconix SISS67DN-T1-GE3는 고성능의 단일 MOSFET로 설계되었으며, 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 성능, 그리고 열적 안정성을 제공합니다. 이 소자는 Vishay의 첨단 실리콘 공정을 통해 제작되었으며, 높은 전류와 빠른 스위칭 동작을 요구하는 다양한 애플리케이션에 적합합니다. 특히, 전력 변환 효율을 극대화하고, 높은 온도 및 전압 조건에서 안정적인 동작을 보장합니다. 주요 특징 낮은 RDS(on) 낮은 온 저항 (RDS(on))을…
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SI7619DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
SI7619DN-T1-GE3 소개 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology 산하의 대표적인 반도체 브랜드로, 고성능 MOSFET과 파워 IC, 디스크리트 솔루션에 집중합니다. 전력 효율, 열 성능, 장기 신뢰성에 대한 강한 초점을 바탕으로 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 분야에서 널리 채택되고 있습니다. 그 가운데 SI7619DN-T1-GE3는 저손실 구동과 빠른 스위칭 특성, 열적 안정성을 겸비한 고성능 트랜지스터- FET로 설계되어, 광범위한 작동 시나리오에서 효율적인 전력 변환과 정밀한 구동 제어를 가능하게 합니다. 다양한 산업표준 패키지로 제공되어 현대의 전력·신호 제어 설계에 유연하게 통합됩니다. 주요 특징 및 설계 이점 저 RDS(on): 도통 손실을 줄여 시스템 효율을 높입니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에서의 응답 속도와 제어 정밀도를 향상시킵니다. 열 안정성: 낮은 열 저항과 우수한 방열 특성으로 고온 환경에서도 안정적 작동을 유지합니다. широк한 작동 범위: 전압 및 온도 범위를 넓게 커버하여 다양한 설계 요구를 충족합니다. 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 구성되어 PCB 레이아웃과 설치가 용이합니다.…
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IRFBG20PBF Vishay Siliconix
Vishay Siliconix의 IRFBG20PBF는 단일형 고신뢰성 MOSFET로서, 전력 변환과 신호 제어를 한층 더 효율적으로 만들어 주는 핵심 부품입니다. 저전도 손실과 빠른 스위칭 특성을 동시에 구현하며, 까다로운 열 환경에서도 안정적인 작동을 유지하도록 설계되었습니다. Vishay Siliconix의 첨단 실리콘 공정 기술이 반영된 이 소자는 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 애플리케이션에서 폭넓게 채택되며, 효율적인 전력 관리와 정밀 제어를 가능하게 합니다. 개요 및 특징 IRFBG20PBF는 단일 MOSFET 구성으로 제공되며, 낮은 RDS(on)으로 conduction losses를 줄이고 고주파 애플리케이션에서 빠른 스위칭 성능을 발휘합니다. 열 저항이 낮고 열 방출이 우수한 설계로 열 관리가 용이하며, 넓은 작동 전압 및 온도 범위를 지원해 다양한 전력 환경에 안정적으로 대응합니다. 패키지 면에서도 TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지를 포함해 설계 유연성을 제공합니다. 또한 JEDEC, AEC-Q101(자동차 등급 모델), RoHS, REACH 등 글로벌 품질 및 규정 준수를 충족합니다. 단일 트랜지스터로서 모듈급 파워 네트워크와 신호 제어 회로의 핵심 소자로 활용하기에 적합합니다.…
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SIHP12N60E-GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SIHP12N60E-GE3 — 고신뢰성 FET로 효율적 전력 및 신호 제어 실현 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology 아래에서 파워 MOSFET, 파워 IC 및 디스크리트 솔루션에 특화된 유명 브랜드다. 전력 효율성, 열 성능, 장기 신뢰성에 집중하는 설계 철학으로 자동차, 산업, 가전 및 컴퓨팅 분야에서 널리 채택되고 있다. 이 맥락에서 SIHP12N60E-GE3는 저전도 손실, 빠른 스위칭 동작, 열 환경에서의 안정성을 함께 제공하도록 설계된 단일형 트랜지스터-전력 MOSFET이다. 고급 실리콘 공정으로 제작되어 광범위한 동작 조건에서 효율적인 전력 변환과 정밀한 제어를 가능하게 한다. 다양한 산업 표준 패키지로 제공되어 현대 파워 및 신호 제어 설계에서 PCB 레이아웃과 시스템 통합의 유연성을 확보한다. 주요 특징과 설계 이점 낮은 RDS(on): 전도 손실이 감소되어 시스템 전반의 효율이 향상된다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에서의 응답 속도와 전력 변환의 정밀성을 강화한다. 열 안정성: 낮은 열저항과 효과적인 발열 관리로 고부하 조건에서도 안정적인 동작을 유지한다. 넓은 동작 범위: 전압과 온도 범위를…
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SQD10950E_GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SQD10950E_GE3 — 고신뢰성 트랜지스터 및 MOSFET: 효율적인 전력 및 신호 제어를 위한 솔루션 Vishay Siliconix는 전력 효율성, 열 성능 및 장기 신뢰성에 중점을 둔 반도체 브랜드로, 고성능 MOSFET, 전력 IC 및 이산 반도체 솔루션을 제공합니다. Vishay Intertechnology의 일원으로, 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 분야에서 널리 사용되고 있습니다. Vishay Siliconix의 SQD10950E_GE3는 뛰어난 성능을 자랑하는 트랜지스터 FET 및 MOSFET 제품으로, 다양한 전기적 및 열적 조건에서 안정적인 작동과 효율적인 전력 제어를 지원합니다. SQD10950E_GE3의 주요 특징 낮은 RDS(on) 이 MOSFET는 낮은 RDS(on) 특성을 지니고 있어 전도 손실을 최소화하고, 높은 효율성을 제공합니다. 이는 전력 손실을 줄이고, 시스템 전반의 성능을 최적화하는 데 도움을 줍니다. 빠른 스위칭 성능 SQD10950E_GE3는 고주파 응용을 위한 최적화된 빠른 스위칭 성능을 자랑합니다. 이는 효율적인 전력 변환을 가능하게 하며, 특히 DC-DC 변환기와 같은 고속 전력 제어 시스템에서 중요한 역할을 합니다. 열 안정성 이 MOSFET는 낮은 열…
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SIHA18N60E-GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SIHA18N60E-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터(FET/MOSFET) 단일 소자, 효율적인 전력 및 신호 제어를 위한 설계 SIHA18N60E-GE3은 저손실 구동과 빠른 스위칭 특성, 열 관리의 안정성을 한꺼번에 구현한 고성능 MOSFET입니다. 단일 소자로도 효율적인 파워 컨버전스와 정밀한 제어를 가능하게 하며, 자동차, 산업, 소비자 전자 및 컴퓨팅 분야의 까다로운 운영 조건에서도 일관된 성능을 제공합니다. Vishay Siliconix의 첨단 실리콘 공정으로 개발된 이 소자는 폭넓은 작동 전압과 온도 범위를 지원하고, 다양한 표준 패키지로 쉽게 설계에 통합될 수 있습니다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 도통 손실을 줄여 시스템 효율을 높임 빠른 스위칭 성능: 고주파 애플리케이션에 최적화된 응답 속도 열 안정성: 낮은 열 저항과 강력한 방열 특성으로 고부하에서도 안정적 작동 넓은 작동 범위: 확장된 전압 및 온도 조건에서 신뢰성 유지 패키지 다양성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 제공되어 설계 유연성 향상 품질 및 규격 준수: JEDEC, AEC-Q101( automotive-grade 모델), RoHS, REACH를 충족…
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