Vishay Siliconix

Vishay Siliconix

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IRFZ24SPBF Vishay Siliconix
Vishay Siliconix IRFZ24SPBF — 고신뢰성 트랜지스터(FET, MOSFET) 단일 소자 IRFZ24SPBF는 Vishay Siliconix의 고성능 MOSFET으로, 단일 소자에서 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 특성 및 열악한 전기/열 조건에서도 안정적인 작동을 제공하도록 설계되었습니다. Vishay의 정교한 실리콘 공정을 기반으로 한 이 소자는 전력 변환의 효율성과 정밀한 전력 제어를 다양한 작동 시나리오에서 가능하게 합니다. TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 공급되어 현대의 회로 설계에 맞춘 유연한 PCB 레이아웃과 간편한 통합을 지원합니다. IRFZ24SPBF의 핵심 특징 이 부품은 낮은 RDS(on)를 통해 전도 손실을 최소화하고 시스템 효율을 향상시키며, 고주파 애플리케이션에서 최적화된 빠른 스위칭 성능을 제공합니다. 또한 우수한 열 안정성을 바탕으로 낮은 열 저항과 견고한 방열 성능을 갖추고 있어 넓은 작동 온도와 전압 범위 하에서도 안정적인 동작이 가능합니다. 다양한 산업 환경에 대응하기 위해 폭넓은 작동 전압 및 온도 범위를 지원하며, 패키지 선택의 폭이 넓어 설계 유연성이 크게 증가합니다. 품질 및 규정 준수 측면에서도…
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SIR873DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SIR873DP-T1-GE3 — 고신뢰성 단일 MOSFET으로 효율적 파워·신호 제어 구현 주요 특징 Vishay Siliconix SIR873DP-T1-GE3는 고성능 단일 트랜지스터(FET) MOSFET으로, 저전도 손실과 빠른 스위칭 특성을 동시에 제공합니다. 낮은 RDS(on)은 전도 손실을 줄여 전력 효율을 높이고, 빠른 스위칭 성능은 고주파 응용에서의 응답 속도와 제어 정밀도를 향상합니다. 열 안정성 측면에서도 열저항이 낮아 열 관리가 용이하고, 다양한 작동 조건에서 안정적인 동작을 유지합니다. 광범위한 동작 전압 및 온도 범위 지원으로 전력 변환기, 모듈 및 시스템 설계의 여유를 제공합니다. 패키지 측면에서 TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지 옵션을 통해 PCB 레이아웃의 유연성을 극대화하고, 설계 요구에 맞춘 간편한 통합이 가능합니다. 품질 및 규정 준수 측면에서도 JEDEC 표준, 자동차용 AEC-Q101(자동차급 모델), RoHS, REACH를 충족하며, 신뢰성 있는 구성요소로 오랜 기간 안정적인 성능을 보장합니다. 적용 시나리오 SIR873DP-T1-GE3는 다양한 산업과 애플리케이션에서 핵심 역할을 수행합니다. 전력 관리 분야에서는 DC-DC 컨버터의 스위칭 소자나 로드 스위치를 통해…
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2N7002K-T1-E3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix 2N7002K-T1-E3 — 고신뢰성 트랜지스터: 효율적인 전력 및 신호 제어를 위한 MOSFET Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology의 브랜드로, 고성능 MOSFET, 전력 IC, 그리고 개별 반도체 솔루션을 전문으로 합니다. 전력 효율성, 열 성능, 그리고 장기적인 신뢰성을 중시하는 이 회사는 자동차, 산업, 소비자, 그리고 컴퓨팅 애플리케이션에 널리 채택되고 있습니다. Vishay Siliconix의 2N7002K-T1-E3는 고성능 트랜지스터로서, 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 성능, 그리고 까다로운 전기적 및 열적 조건에서의 안정적인 작동을 제공합니다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 2N7002K-T1-E3는 낮은 RDS(on) 값을 자랑하여 전도 손실을 최소화하고, 시스템의 효율성을 극대화합니다. 이를 통해 에너지 소모를 줄이고, 전체 시스템의 성능을 높이는 데 기여합니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파수 애플리케이션에 최적화된 스위칭 성능을 제공하여, 빠르게 변동하는 전력 신호에 유연하게 대응할 수 있습니다. 이 특성은 특히 고속 스위칭이 중요한 DC-DC 변환기나 전력 모듈에서 유리합니다. 열 안정성: 낮은 열 저항과 강력한 열 방출 성능으로, 높은 전류와 고온 환경에서도 안정적인…
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SQM40020E_GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SQM40020E_GE3는 고신뢰성 파워MOSFET의 대표 주자로, 단일 소자에서 낮은 컨덕션 손실과 빠른 스위칭 특성, 그리고 까다로운 열환경에서도 안정적으로 작동하도록 설계되었습니다. Vishay Siliconix의 축적된 공정 기술과 전력 관리 솔루션으로 구현된 이 부품은 효율적 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 필요로 하는 현대의 고성능 시스템에 맞춰 개발되었습니다. 핵심 특징과 설계 강점 SQM40020E_GE3의 주된 장점은 다음과 같습니다. 먼저 RDS(on)가 낮아 전도 손실이 감소하고 시스템 전반의 효율이 높아집니다. 두 번째로 빠른 스위칭 특성은 고주파 환경에서의 응답 속도를 개선하고 전체 변환 효율을 높여 줍니다. 열 특성 측면에서도 저열저항과 우수한 방열 성능을 통해 고부하 조건에서도 안정적인 동작을 제공합니다. 넓은 작동 범위는 다양한 전압 및 온도 조건에서의 동작 가능성을 보장하며, TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 여러 표준 패키지로 제공되어 PCB 레이아웃에 융통성을 제공합니다. 품질과 준수 측면에서 JEDEC, AEC-Q101(자동차급 모델), RoHS 및 REACH를 충족하며, 산업계의 신뢰 요구를 충족합니다. 실전 적용 시나리오 SQM40020E_GE3는 전력…
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SI2374DS-T1-GE3 Vishay Siliconix
SI2374DS-T1-GE3: 고신뢰성 MOSFET로 효율적 전력 및 신호 제어 실현 Vishay Siliconix의 SI2374DS-T1-GE3는 단일형 트랜지스터- FET으로 설계되어 낮은 전도 손실과 빠른 스위칭 속도, 열 안정성을 모두 갖춘 고성능 소자입니다. 자동차, 산업, 소비자 전자, 컴퓨팅 분야의 까다로운 전력 및 신호 제어 요구를 충족하도록 개발되었으며, 고효율 전력 변환과 정밀한 제어를 가능하게 합니다. 다양한 산업 표준 패키지로 제공되어 PCB 레이아웃의 유연성과 설계 편의성을 높였습니다. 또한 JEDEC, AEC-Q101(자동차 등급 모델), RoHS, REACH와 같은 국제 표준을 충족하여 광범위한 신뢰성 요구를 커버합니다. 주요 특징과 설계 이점 낮은 RDS(on)로 전도 손실 감소: SI2374DS-T1-GE3는 저저항 특성을 통해 구동 중인 회로의 열 발생과 에너지 낭비를 최소화합니다. 이로써 고효율 DC-DC 컨버터와 로드 스위치 설계에서 전력 손실이 크게 줄어듭니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에서의 열 관리와 빠른 전압 변화를 가능하게 하여, 고속 스위칭이 필요한 전력 변환기와 신호 경로에서 우수한 응답성을 제공합니다. 열 안정성: 낮은 열저항과 효과적인 방열…
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SQ2337ES-T1_BE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SQ2337ES-T1_BE3 — 고신뢰성 트랜지스터(FET)로 효율적 전력 및 신호 제어 주요 특징 Vishay Siliconix의 SQ2337ES-T1BE3은 단일형 FET로 설계되어 낮은 전도 손실과 빠른 스위칭 특성을 동시에 제공합니다. 저 RDS(on) 설계는 작동 중 전력 손실을 최소화해 시스템의 효율을 높이며, 고주파 환경에서도 안정적인 동작이 가능하도록 돕습니다. 고온에서도 견고한 성능을 유지하는 열적 안정성은 열 저항이 낮고 열 방출이 원활한 구조를 반영합니다. 또한 폭넓은 동작 전압과 온도 범위를 지원해 다양한 전력 변환 및 제어 회로에서 여유로운 설계 여지를 제공합니다. 패키지 면에서도 TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지를 폭넓게 지원해 PCB 레이아웃의 유연성을 확보하고, 설계 변경 시에도 쉬운 통합이 가능합니다. 품질과 규격 측면에서도 JEDEC, AEC-Q101( automotive-grade 모델), RoHS, REACH를 충족하여 자동차용 및 산업용 애플리케이션의 신뢰성 요구를 만족합니다. 이처럼 SQ2337ES-T1BE3은 고효율 전력 관리와 정밀 신호 제어를 함께 필요로 하는 modern 시스템에 적합한 솔루션으로 자리매김합니다. 적용 사례 SQ2337ES-T1BE3은 전력 관리 영역에서…
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IRF630PBF-BE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix IRF630PBF-BE3 — 고신뢰성 트랜지스터(FET)로 효율적 전력 및 신호 제어 Vishay Siliconix는 고성능 MOSFET과 전력 소자 영역에서 오랜 역사를 가진 브랜드로, 전력 효율성과 열 성능, 장기 신뢰성에 집중합니다. IRF630PBF-BE3는 단일 소자로 설계된 고성능 트랜지스터로, 낮은 전도 손실과 빠른 스위칭 특성, 열 관리가 까다로운 조건에서도 안정적인 작동을 제공합니다. Vishay의 선진 실리콘 공정 덕분에 다양한 작동 환경에서 효율적인 전력 변환과 정밀 제어가 가능하며, TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 제공되어 현대적인 PCB 설계에 유연성을 부여합니다. 주요 특징 및 설계 이점 낮은 RDS(on)으로 전도 손실 감소와 효율 향상 빠른 스위칭 성능으로 고주파 응용에 적합 열적 안정성: 낮은 열 저항과 탁월한 방열 능력 넓은 동작 범위: 폭넓은 전압 및 온도에서 안정 작동 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지 호환 품질 및 규정 준수: JEDEC, AEC-Q101(자동차 등급), RoHS, REACH 준수 적용 사례 및 시스템 이점…
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SISA88DN-T1-GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SISA88DN-T1-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터 - FET, MOSFET - 효율적인 전력 및 신호 제어를 위한 단일 소자 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology의 하위 브랜드로, 고성능 MOSFET, 파워 IC 및 이산 반도체 솔루션을 전문으로 하는 기업입니다. 효율적인 전력 관리, 뛰어난 열 성능 및 장기적인 신뢰성에 중점을 두고 개발된 Vishay Siliconix의 제품은 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨터 응용 분야에서 널리 사용됩니다. 그 중에서도 Vishay Siliconix SISA88DN-T1-GE3는 전력 변환 및 정밀한 전력 제어를 지원하는 고성능 트랜지스터로 주목받고 있습니다. 뛰어난 성능과 효율성 Vishay Siliconix SISA88DN-T1-GE3는 전도 손실을 최소화하고 빠른 스위칭 성능을 제공하는 MOSFET로, 고주파 응용 분야에 최적화되어 있습니다. 이 소자는 Vishay의 고급 실리콘 공정 기술을 바탕으로 설계되어, 열적 안정성이 뛰어나며 까다로운 전기적 및 열적 조건에서도 안정적인 동작을 보장합니다. 특히 낮은 RDS(on)을 자랑하며, 이는 높은 효율을 필요로 하는 시스템에서 전도 손실을 크게 줄이는 데 중요한 역할을 합니다. 폭넓은 응용 분야와…
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SUP90100E-GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SUP90100E-GE3은 단일 포맷의 고신뢰도 트랜지스터(FET/MOSFET)로서, 전력 변환과 정밀 신호 제어에서 높은 효율과 안정성을 제공하도록 설계되었다. 이 부품은 Vishay의 첨단 실리콘 공정 기술을 바탕으로 낮은 conduction 손실과 빠른 스위칭 특성, 열 조건 하에서도 안정적인 동작을 구현한다. 다양한 작동 환경과 폭넓은 전압·온도 범위를 지원하며, 현대의 파워 앤 신호 제어 설계에 필요한 유연한 레이아웃 옵션을 제공한다. 특징 Low RDS(on): 도통 손실을 최소화해 시스템 효율을 높이고 발열을 줄인다. Fast Switching Performance: 고주파 응용에서 필요한 빠른 스위칭 속도를 구현해 전력 관리 회로의 응답성을 향상시킨다. Thermal Stability: 낮은 열 저항 및 우수한 열 방출 특성으로 높은 신뢰성과 긴 수명을 확보한다. Wide Operating Range: 광범위한 전압 및 온도에서 안정적으로 동작해 다양한 어플리케이션에서 재설계 부담을 줄인다. Package Flexibility: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 제공되어 PCB 레이아웃의 유연성과 설계 편의성을 높인다. Quality
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SQJ415EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SQJ415EP-T1_GE3는 고신뢰성 트랜지스터 FET, MOSFET 싱글로 설계된 전력 및 신호 제어 솔루션이다. 낮은 RDS(on)으로 전도 손실을 줄이고, 빠른 스위칭 특성으로 고주파 응용에서 효율을 높이며, 열 조건이 까다로운 환경에서도 안정적인 동작을 제공한다. 이 칩은 Vishay의 고급 실리콘 공정을 통해 다양한 전력 변환 및 제어 시나리오에 걸쳐 뛰어난 성능을 발휘하도록 설계되었으며, 표준 산업 패키지로 제공되어 현대의 파워/신호 제어 설계에 손쉽게 통합될 수 있다. 주요 특징 Low RDS(on): 전도 손실을 낮춰 시스템 효율을 높임 Fast Switching Performance: 고주파 응용에 최적화된 스위칭 속도 Thermal Stability: 저 열저항과 우수한 방열 성능으로 고부하 조건에서도 안정적 Wide Operating Range: 넓은 전압/온도 범위를 지원 Package Flexibility: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 제공 Quality
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