Vishay Siliconix

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SQM50028EM_GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SQM50028EM_GE3 — High-RReliability Transistors - FETs, MOSFETs - Single for Efficient Power and Signal Control Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology 산하의 선도적 반도체 브랜드로, 고성능 MOSFET, 파워 IC 및 디스크리트 솔루션에 집중해 왔습니다. 전력 효율, 열 성능, 장기 신뢰성 면에서 강한 역량을 갖춘 이 브랜드의 제품은 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 애플리케이션에서 널리 채택되고 있습니다. SQM50028EM_GE3은 이러한 배경 속에서 설계된 고성능 단일 트랜지스터- FET로, 낮은 컨덕션 손실, 빠른 스위칭 특성, 열악한 조건에서도 안정적 작동을 제공합니다. Vishay의 첨단 실리콘 공정으로 제작된 이 소자는 다양한 작동 시나리오에서 효율적인 전력 변환과 정밀한 파워 제어를 가능하게 합니다. 다양한 산업 표준 패키지로 제공되어 PCB 레이아웃의 유연성도 크게 향상됩니다. 핵심 특징과 기술 포인트 낮은 RDS(on): 도통 손실을 줄여 시스템 전반의 효율을 높여줍니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 애플리케이션에 최적화되어 짧은 스위칭 손실과 간섭 감소에 기여합니다. 열적 안정성: 낮은 열저항과 견고한 방열…
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SI2306BDS-T1-BE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SI2306BDS-T1-BE3 — 고신뢰성 FET로 효율적 전력 및 신호 제어 Vishay Siliconix는 고성능 MOSFET, 파워 IC 및 디스크리트 솔루션 분야에서 오랜 역사를 쌓아 온 반도체 브랜드다. 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 분야에서 전력 효율과 열 특성, 신뢰성을 중시하는 설계 문화로 널리 채택되고 있다. SI2306BDS-T1-BE3는 이러한 철학을 계승한 고성능 트랜지스터- MOSFET으로, 낮은 도통 손실과 빠른 스위칭 특성, 악조건에서도 안정적으로 작동하는 설계를 제공한다. 여러 산업 표준 패키지로 제공되어 현대 파워 흐름 및 신호 제어 설계에 유연하게 적용할 수 있다. 주요 특징 저 RDS(on)으로 도통 손실 감소 및 시스템 효율 향상: 회로 전력 손실을 최소화하여 발열 관리 부담을 줄이고, 작은 폼팩터에서도 높은 실전 효율을 달성한다. 빠른 스위칭 특성: 고주파 응용에서 스위칭 지연과 리커버리 시간을 줄여 전력 변환기의 응답성을 개선한다. 열 안정성: 낮은 열저항과 견고한 방열 성능으로 폭넓은 작업 환경에서도 일정한 성능을 유지한다. 광범위한 작동 특성: 다양한 전압…
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IRFR9014TRLPBF Vishay Siliconix
IRFR9014TRLPBF — Vishay Siliconix의 고신뢰성 MOSFET로 효율과 제어를 한 차원 올리다 Vishay Siliconix의 IRFR9014TRLPBF는 고성능 Transistors - FETs, MOSFETs 시리즈의Single 형으로, 낮은 전도 손실과 빠른 스위칭 특성, 열적 안정성을 조합해 까다로운 전기/열 조건에서도 안정적으로 작동하도록 설계됐다. Vishay의 첨단 실리콘 공정을 통해 개발된 이 소자는 효율적인 전력 변환과 정밀한 파워 제어를 다양한 작동 시나리오에서 가능하게 한다. 표준 산업용 패키지로 제공되어 PCB 레이아웃의 유연성과 현대 파워/시그널 제어 설계의 손쉬운 통합을 뒷받침한다. 핵심 특징과 성능 이점 낮은 RDS(on): 전도 손실을 줄여 시스템 효율을 높이는 주요 요소로 작용한다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에서 열, 손실, EMI 관리에 유리한 응답 속도를 제공한다. 열적 안정성: 낮은 열저항과 우수한 방열 특성으로 고하중 환경에서도 안정적으로 작동한다. 넓은 동작 범위: 전압과 온도 범위가 넓어 다양한 전력 시스템에서 여유 있는 사용이 가능하다. 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 구성되어 설계 및 조립의…
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IRFBC40PBF Vishay Siliconix
Vishay Siliconix IRFBC40PBF — 고신뢰성 트랜지스터 FET, MOSFET - 효율적인 전력 및 신호 제어를 위한 솔루션 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology의 자회사로, 고성능 MOSFET, 전력 IC, 그리고 분리형 반도체 솔루션을 전문으로 하는 브랜드입니다. 이 회사는 전력 효율성, 열 성능, 그리고 장기적인 신뢰성을 중시하는 제품 설계로 잘 알려져 있으며, 이 제품들은 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 분야에서 널리 채택되고 있습니다. Vishay Siliconix IRFBC40PBF의 특징 Vishay Siliconix의 IRFBC40PBF는 고성능 트랜지스터 FET, MOSFET 싱글 소자로, 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 동작, 그리고 높은 안정성의 특성을 제공합니다. 이 소자는 Vishay의 고급 실리콘 공정을 통해 설계되어, 다양한 전기적 및 열적 조건 하에서도 안정적인 작동을 보장합니다. IRFBC40PBF는 효율적인 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 지원하며, 광범위한 운영 환경에 적합한 성능을 발휘합니다. 이 MOSFET는 여러 산업 표준 패키지로 제공되어, 회로 기판 레이아웃에 유연성을 제공하고, 현대적인 전력 및 신호 제어 설계에 쉽게 통합할 수 있습니다.…
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SI4386DY-T1-E3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SI4386DY-T1-E3 — 고신뢰성 MOSFET으로 효율적 전력 및 신호 제어 주요 특징 SI4386DY-T1-E3은 저전력 손실과 빠른 스위칭 특성을 동시에 구현하는 고성능 트랜지스터- FET입니다. 낮은 RDS(on)으로 도통 손실을 최소화해 전력 효율을 높이며, 고주파 환경에서도 안정적인 동작을 제공합니다. 빠른 스위칭 성능은 고주파 전력 변환 및 신호 제어 응용에서 유리하며, 열 저항이 낮은 설계로 열 관리가 용이합니다. 넓은 작동 전압 및 온도 범위를 지원해 다양한 엔지니어링 조건에 대응할 수 있습니다. 패키지 측면에서도 TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 등 표준 패키지로 제공되어 PCB 레이아웃의 유연성과 설계 간소화를 돕습니다. 품질과 규정 준수 측면에서는 JEDEC, AEC-Q101(자동차급 모델), RoHS, REACH 등 글로벌 표준을 충족하도록 설계되었습니다. 이 모든 요소가 모여 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 분야의 고효율 전력 관리와 신호 제어를 가능하게 합니다. 패키징 및 설계 유연성 SI4386DY-T1-E3는 다양한 산업 표준 패키지 옵션을 지원하므로 시스템 인테그레이션 시 레이아웃 유연성이 크게 향상됩니다. TO,…
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SIHD3N50D-GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SIHD3N50D-GE3는 고신뢰성 트랜지스터(FET/MOSFET)로, 단일 소자에서 전도 손실 감소와 빠른 스위칭 특성, 열 관리의 안정성을 한꺼번에 제공합니다. 자동차, 산업, 소비자 전자 및 컴퓨팅 분야의 까다로운 전력 제어 요구에 맞춰 설계된 이 부품은 효율적인 전력 변환과 정밀한 신호 제어를 가능하게 합니다. 개요 및 설계 이점 저 RDS(on)로 전도 손실을 낮춰 효율성을 향상 빠른 스위칭 성능으로 고주파 응용에 유리 열 저항이 낮고 열 방출이 원활한 열적 안정성 확보 넓은 작동 범위: 전압 및 온도 조건에 대한 내구성 강화 패키지 다양성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 설계 유연성 증가 품질 및 규정 준수: JEDEC, AEC-Q101(자동차 등급 모델), RoHS, REACH를 충족하는 신뢰성 주요 특징 및 운용 이점 SIHD3N50D-GE3는 전력 관리 회로에서의 반도체 기여도를 극대화하도록 설계되었습니다. DC-DC 컨버터의 입력/출력 스위칭에서 손실을 최소화하고, 고주파 환경에서도 안정적인 동작을 보장합니다. 고온/고전압 조건에서도 전기 특성이 크게 흔들리지 않도록 내부 트랜지스터 구조와…
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SI8425DB-T1-E1 Vishay Siliconix
SI8425DB-T1-E1 — 높은 신뢰성과 효율로 힘과 신호를 정밀 제어하는 단일형 MOSFET Vishay Siliconix는 전력 MOSFET, 파워 IC, 디스크리트 솔루션 분야에서 오랜 역사를 자랑하는 브랜드로, 전력 효율성, 열 성능, 장기 신뢰성에 중점을 두고 있습니다. 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 응용 분야에서 널리 채택되는 이유는 바로 이 점들 때문입니다. SI8425DB-T1-E1은 Vishay의 첨단 실리콘 공정으로 설계된 고성능 트랜지스터- MOSFET으로, 낮은 컨덕션 손실, 빠른 스위칭 특성, 까다로운 전기적·열적 조건에서도 안정적인 동작을 제공합니다. 이 부품은 현대의 전력 변환 및 정밀 파워 제어 설계에 필수적인 효율성과 신뢰성을 제공합니다. 주요 특징 및 성능 이점 저 RDS(on): 도통 손실을 최소화하여 시스템 효율 향상 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에 최적화된 전환 속도 열 안정성: 낮은 열 저항과 우수한 방열 성능으로 고온에서도 안정적 넓은 작동 범위: 다양한 전압 및 온도 조건에서 일관된 동작 보장 패키지 다양성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 설계 유연성…
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IRFBC40APBF-BE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix IRFBC40APBF-BE3 — 고신뢰성 FET로 효율적 전력 및 신호 제어 개요 Vishay Siliconix의 IRFBC40APBF-BE3는 단일 고성능 MOSFET으로, 낮은 전도 손실과 빠른 스위칭 특성을 통해 전력 변환과 신호 제어에서 안정성과 효율성을 동시에 제공합니다. Vishay Siliconix는 파워 MOSFET 및 디스크리트 솔루션 분야에서 오랜 역사를 자랑하며, 자동차, 산업, 가전 및 컴퓨팅 분야에서 신뢰성과 성능을 중시하는 설계자들에게 널리 채택되고 있습니다. 이 부품은 첨단 실리콘 공정을 바탕으로 다양한 작동 조건에서 우수한 열 관리와 일관된 동작을 제공하도록 설계되었습니다. 핵심 특징 낮은 RDS(on): 전도 손실을 줄여 시스템 효율을 높임 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에 최적화된 전환 속도 열 안정성: 낮은 열 저항과 효과적 방열 구조로 고부하에서도 안정적 넓은 동작 범위: 전압 및 온도 범위가 넓은 환경에서 신뢰성 유지 패키지 다양성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 레이아웃 유연성 확보 품질 및 규정 준수: JEDEC, AEC-Q101(자동차 등급 모델), RoHS, REACH를 충족…
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IRF740LCPBF-BE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix IRF740LCPBF-BE3 — 고신뢰도 트랜지스터(FET)로 효율적 전력 및 신호 제어 핵심 특성 및 설계 이점 IRF740LCPBF-BE3는 단일 고성능 MOSFET으로, 낮은 RDS(on)으로 전도 손실을 줄이고 빠른 스위칭 특성을 통해 고주파 응용에서 효율을 극대화합니다. 열악한 열 환경에서도 안정적으로 작동하도록 설계된 열적 안정성은 견고한 열 저항과 우수한 방열 성능을 제공합니다. 넓은 작동 범위를 통해 전압과 온도 변화가 큰 실전 조건에서도 예측 가능한 동작을 보장하며, 다양한 PCB 설계에 쉽게 맞물리도록 패키지 유연성을 제공합니다. TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 업계 표준 패키지로 제공되어 레이아웃과 조립 옵션이 넓고, JEDEC, AEC-Q101(자동차 등급 모델), RoHS, REACH와 같은 품질 및 규정 준수 기준을 충족합니다. 이러한 특성은 고효율 DC-DC 컨버터, 파워 모듈, 로드 스위치 같은 시스템에서 신뢰성과 성능의 균형을 제공합니다. 다양한 시장에서의 응용 및 설계 고려사항 IRF740LCPBF-BE3의 설계 기능은 다방면의 전력 관리에 잘 맞습니다. 전력 관리 분야에서는 DC-DC 컨버터와 로드 스위치, 파워 모듈의 핵심…
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SQJ481EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SQJ481EP-T1_GE3 — 고신뢰성 트랜지스터: 효율적 전력 및 신호 제어를 위한 단일 FET Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology 산하의 대표적인 반도체 브랜드로, 고성능 MOSFET, 파워 IC, 디스크리트 솔루션에 집중합니다. 전력 효율성, 열 성능, 신뢰성에 대한 강한 초점을 바탕으로 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 분야에서 널리 채택되고 있습니다. SQJ481EP-T1_GE3는 이러한 철학을 반도체 설계에 구현한 고성능 트랜지스터- FET/MOSFET- 단일형으로, 낮은 컨덕션 손실, 빠른 스위칭 특성, 그리고 까다로운 전기적/열적 조건에서도 안정적인 작동을 제공합니다. 첨단 실리콘 공정으로 설계된 이 소자는 광범위한 작동 시나리오에서 효율적인 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 지원합니다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 컨덕션 손실을 줄여 시스템 효율 향상 빠른 스위칭 성능: 고주파 애플리케이션에 최적화 열 안정성: 낮은 열저항과 우수한 방열 특성 넓은 작동범위: 전압 및 온도 범위의 확장성 제공 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 다양한 PCB 레이아웃에 호환 품질 및 규격 준수: JEDEC,…
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