개요 및 성능 특성 Vishay Siliconix SI4423DY-T1-E3는 단일 모스펫으로서 고신뢰도 트랜지스터- FET, MOSFET 솔루션의 핵심 구성요소입니다. 저항 로스가 낮은 RDS(on)과 빠른 스위칭 특성을 결합해 전도 손실을 최소화하고 고주파에서도 안정적인 동작을 제공합니다. 또한 전기적 및 열적 조건이 까다로운 환경에서도 신뢰성 있는 성능을 유지하도록 설계되었으며, Vishay의 첨단 실리콘 공정을 통해 효율적인 전력 변환과 정밀한 파워 제어가 가능합니다. 다양한 표준 패키지로 제공되어 현대 파워/신호 제어 설계에서 PCB 레이아웃의 유연성을 크게 높여줍니다. 주요 특징 저 RDS(on): 전도 손실 감소로 시스템 효율 향상 빠른 스위칭 성능: 고주파 애플리케이션에 최적화된 전환 속도 열 안정성: 낮은 열저항과 효과적인 방열로 신뢰성 유지 광범위한 작동 범위: 전압 및 온도 조건의 확장된 운영 가능 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 다양한 표준 패키지 제공 품질 및 규격 준수: JEDEC, AEC-Q101( automotive-grade 모델), RoHS, REACH 등 준수 적용 분야 SI4423DY-T1-E3는 전력 관리 회로 전반에서 두루…
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Vishay Siliconix
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Vishay Siliconix SIHA25N60EFL-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터: 효율적인 전력 및 신호 제어를 위한 FET, MOSFET Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology 산하의 반도체 브랜드로, 고성능 MOSFET, 전력 IC, 이산 반도체 솔루션을 전문으로 합니다. 전력 효율성, 열 성능, 장기 신뢰성에 중점을 둔 Vishay Siliconix 제품은 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 애플리케이션에서 널리 채택되고 있습니다. Vishay Siliconix의 SIHA25N60EFL-GE3는 효율적인 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 지원하는 고성능 트랜지스터 - FET, MOSFET - Single입니다. 이 부품은 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 성능, 그리고 까다로운 전기적 및 열적 조건에서도 안정적인 동작을 제공합니다. Vishay의 고급 실리콘 공정을 통해 설계된 이 MOSFET는 다양한 운영 환경에서 뛰어난 성능을 발휘합니다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 전도 손실이 적어 효율성을 높입니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파수 애플리케이션에 최적화되어 있습니다. 열 안정성: 낮은 열 저항과 뛰어난 열 방출 성능을 제공합니다. 광범위한 작동 범위: 확장된 전압 및 온도 범위를 지원하여 다양한 환경에…
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Vishay Siliconix SIB4316EDK-T1-GE3는 고신뢰성 트랜지스터(FET, MOSFET) 단일 소자로, 효율적인 전력 및 신호 제어를 위한 최적화된 성능을 제공합니다. Vishay Siliconix는 전력 반도체 분야에서 오랜 역사를 가진 브랜드로, 전력 효율성, 열 성능, 장기 신뢰성에 초점을 맞춰 왔습니다. SIB4316EDK-T1-GE3는 이러한 강점을 바탕으로 저전도 손실, 빠른 스위칭 특성, 열악한 조건에서도 안정적인 동작을 구현하도록 설계되었습니다. 고급 실리콘 공정을 통해 제조되며, 광범위한 작동 조건에서 효율적인 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 지원합니다. 다양한 산업 표준 패키지로 제공되어 현대 파워 및 신호 제어 설계에 유연하게 적용할 수 있습니다. 고성능 MOSFET의 핵심 특징 저 RDS(on): 도통 손실을 낮춰 전력 효율을 높여 주는 핵심 요소로 작동합니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에서의 신호 손실 최소화 및 응답 속도 향상에 기여합니다. 열 안정성: 낮은 열저항과 우수한 방열 특성으로 고부하 환경에서도 안정적인 동작이 가능합니다. 넓은 작동 범위: 전압과 온도 범위가 넓어 다양한 시스템에서 신뢰성 있게 작동합니다. 패키지 유연성:…
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Vishay Siliconix SI7322DN-T1-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터(FET, MOSFET) 단일 소자 SI7322DN-T1-GE3는 전력 제어와 신호 제어를 고효율로 수행하기 위해 설계된 단일 MOSFET 트랜지스터로, Vishay Siliconix의 최신 실리콘 공정 기술이 적용되어 있습니다. Vishay Siliconix는 전력 효율성, 열 성능, 장기 신뢰성에 중점을 둔 고성능MOSFET, 파워 IC 및 이산 반도체 솔루션으로 잘 알려진 브랜드이며, 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 분야에서 널리 채택되고 있습니다. 이 시리즈는 낮은 RDS(on)과 빠른 스위칭 특성, 그리고 다양한 작동 조건에서도 안정적인 동작을 제공하기 위해 설계되었습니다. SI7322DN-T1-GE3의 핵심 특성 이 소자는 낮은 전도 손실을 가능하게 하는 낮은 RDS(on) 값을 갖고 있어 고효율 전력 변환에 유리합니다. 또한 빠른 스위칭 특성을 통해 고주파 응용에서도 우수한 성능을 발휘하며, 열 저항이 낮아 열 관리가 용이합니다. 넓은 작동 전압 및 온도 범위를 지원해 급격한 부하 변화나 고온 환경에서도 안정적인 동작을 확보합니다. 패키지 측면에서도 TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 다양하게 제공되어…
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Vishay Siliconix의 SI7308DN-T1-GE3는 단일 구성의 고신뢰성 트랜지스터-전력 MOSFET으로, 낮은 conduction 손실과 빠른 스위칭 특성, 까다로운 열 조건에서도 안정적인 동작을 제공합니다. 이 소자는 효율적 전력 변환과 정밀한 파워 컨트롤이 필요한 애플리케이션에서 핵심 구성요소로 자리매김합니다. 핵심 특징 낮은 RDS(on)으로 컨덕션 손실 최소화 및 높은 효율 달성 빠른 스위칭 성능으로 고주파 애플리케이션에 적합 열 안정성 우수: 낮은 열저항과 뛰어난 방열 특성으로 열 관리 용이 넓은 작동 범위: 높은 전압 및 온도에서도 안정적 동작 가능 패키지 선택의 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 다양한 PCB 레이아웃에 대응 품질·준수 표준: JEDEC, 자동차용 AEC-Q101(모델에 따라), RoHS, REACH 등 국제 규격에 부합 적용 분야 및 설계 포인트 파워 매니지먼트: DC-DC 컨버터, 로드 스위치, 파워 모듈에서의 효율적 전력 관리 자동차 전자: 바디 일렉트로닉스, 인포테인먼트, 조명 및 EV 서브시스템의 신뢰성 높은 전력 제어 산업 시스템: 모터 드라이브, 전원 공급장치, 자동화 제어기에서의 견고한…
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Vishay Siliconix SQ4435EY-T1_GE3는 고신뢰성 트랜지스터(FET/MOSFET) 단일 소자로, 효율적인 전력 제어와 정밀한 신호 관리가 필요한 현대의 전력 전자 설계에 최적화되어 있습니다. Vishay Siliconix의 첨단 실리콘 공정으로 제작되어 넓은 작동 범위와 안정적인 작동 특성을 제공하며, 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 애플리케이션의 까다로운 환경에서도 일관된 성능을 발휘합니다. 다양한 표준 패키지로 제공되어 PCB 레이아웃의 융통성과 설계 편의성을 높입니다. 주요 특징과 성능 포인트 저 RDS(on): 전도 손실을 줄여 시스템의 전력 효율을 높이고 열 관리 부담을 감소시킵니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에서도 안정적인 스위칭 동작으로 간섭을 최소화합니다. 열 안정성: 낮은 열 저항과 우수한 방열 특성으로 고온 환경에서도 안정적인 작동을 유지합니다. 넓은 작동 역범위: 전압과 온도 범위가 넓어 다양한 조건에서의 신뢰성 높은 작동이 가능합니다. 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 제공되어 설계 및 제조 흐름에 맞춘 선택이 쉽습니다. 품질 및 규격 준수: JEDEC 표준, AEC-Q101(자동차 등급 모델), RoHS 및…
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Vishay Siliconix SIRS700DP-T1-RE3 — 고신뢰성 트랜지스터(FETs, MOSFETs) 단일 패키지로 효율적 전력 및 신호 제어 개요 및 특징 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology 산하의 알려진 반도체 브랜드로, 고성능 MOSFET과 전력 IC, 디스크리트 솔루션을 중심으로 한 전력 효율성과 열 성능, 장기 신뢰성에 집중합니다. 이 브랜드의 제품들은 자동차, 산업, 가전, 컴퓨팅 분야에서 널리 채택되어 왔습니다. SIRS700DP-T1-RE3는 고성능 Transistors - FETs, MOSFETs - Single로 설계되어 낮은 컨덕션 손실과 빠른 스위칭 특성, 그리고 까다로운 전기적/열적 조건에서도 안정적인 작동을 제공합니다. 첨단 실리콘 제조 공정을 바탕으로, 폭넓은 작동 시나리오에서 효율적인 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 지원합니다. 또한 TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 다양한 표준 패키지로 제공되어 설계자들이 PCB 레이아웃과 통합을 쉽게 할 수 있습니다. 주요 특징으로는 낮은 RDS(on)으로 전도 손실을 줄이고, 고주파 응용에 최적화된 빠른 스위칭, 낮은 열 저항과 견고한 방열 성능의 열 안정성, 넓은 작동 전압 및 온도 범위, 그리고 JEDEC, AEC-Q101(자동차…
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Vishay Siliconix의 SI4812BDY-T1-GE3는 고성능 단일 FET, MOSFET로 설계되어 낮은 컨덕션 손실과 빠른 스위칭 특성, 열적 조건에서도 안정적인 동작을 제공합니다. 이 기기는 Vishay의 첨단 실리콘 공정을 바탕으로 전력 변환의 효율을 높이고 정밀한 파워 컨트롤을 구현하도록 설계되었으며, 다양한 작동 환경에서 탁월한 성능을 발휘합니다. 자동차, 산업, 소비자 기기, 컴퓨팅 애플리케이션에 이르기까지 폭넓은 분야에서 채택되어 온 점이 이를 뒷받침합니다. 다층적인 설계와 패키지 호환성은 현대의 전원 관리 솔루션에서의 손쉬운 통합을 가능하게 합니다. 주요 특징 낮은 RDS(on)로 전도 손실 감소로 효율 향상 빠른 스위칭 속도로 고주파 애플리케이션에 적합 열 안정성 우수: 낮은 열 저항과 효과적인 방열 성능 넓은 작동 범위: 전압 및 온도 폭 넓은 환경에서 안정적으로 작동 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 다양한 PCB 레이아웃에 대응 품질 및 규정 준수: JEDEC, AEC-Q101(자동차 등급 모델), RoHS, REACH를 충족 적용 시나리오 SI4812BDY-T1-GE3는 다양한 전력 관리 및 제어 솔루션에서…
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Vishay Siliconix SQD50N06-09L_GE3 — 고신뢰성 트랜지스터(FET, MOSFET) 단일 소자, 효율적인 전력 및 신호 제어를 위한 설계 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology의 대표 브랜드로, 고성능 MOSFET, 파워 IC 및 디스크리트 솔루션 분야에서 축적된 기술력과 신뢰성을 제공합니다. 전력 효율성, 열 성능, 장기 신뢰성에 집중해 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 애플리케이션에서 널리 채택되고 있습니다. SQD50N06-09L_GE3는 이러한 배경 속에서, 낮은 컨덕션 손실, 빠른 스위칭 특성, 혹독한 전기적 및 열적 조건에서도 안정적으로 작동하도록 설계된 고성능 MOSFET 단일 소자입니다. 비접합적인 실리콘 공정 기술과 함께, 다양한 표준 패키지로 제공되어 현대의 파워 및 신호 제어 설계에 유연하게 통합할 수 있습니다. 주요 특징 저 RDS(on)로 전도 손실 감소: 높은 효율의 전력 전환을 가능하게 하여 열 관리 부담을 줄입니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 애플리케이션에서 안정적인 제어를 지원합니다. 열 안정성: 낮은 열 저항과 우수한 방열 특성으로 고부하에서도 견고하게 작동합니다. 넓은 작동 온도와 전압 범위: 다양한 시스템 환경에…
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Vishay Siliconix SIR680DP-T1-RE3 — 고신뢰성 트랜지스터 FETs, MOSFETs - 효율적인 전력 및 신호 제어를 위한 솔루션 Vishay Siliconix는 고성능 MOSFET, 전력 IC 및 이산 반도체 솔루션을 전문으로 하는 Vishay Intertechnology의 신뢰받는 반도체 브랜드입니다. 효율적인 전력 관리, 열 성능 및 장기적인 신뢰성에 중점을 둔 Vishay Siliconix 제품은 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 분야에서 널리 채택되고 있습니다. 그 중에서도 SIR680DP-T1-RE3 모델은 뛰어난 전력 변환 효율성과 정밀한 전력 제어를 지원하는 고성능 FET(MOSFET)입니다. 고성능 전력 제어를 위한 SIR680DP-T1-RE3 Vishay Siliconix의 SIR680DP-T1-RE3는 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 성능, 그리고 열적 안정성을 제공하는 고신뢰성 트랜지스터입니다. 이 MOSFET는 Vishay의 첨단 실리콘 공정을 기반으로 설계되어 다양한 전기적 및 열적 조건에서도 안정적인 작동을 보장합니다. 고주파 응용 분야에 최적화된 빠른 스위칭 성능을 자랑하며, 낮은 RDS(on)을 통해 전도 손실을 최소화하고 높은 효율을 구현합니다. 이 특성은 특히 전력 변환 시스템에서 중요하며, 전체 시스템의 효율성을 크게 향상시킬 수…
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