Vishay Siliconix SIR472ADP-T1-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터(FET, MOSFET) 단일 소자, 효율적 전력 및 신호 제어를 위한 솔루션 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology 산하의 유명 반도체 브랜드로, 고성능 MOSFET, 파워 IC 및 디스크리트 솔루션에 특화되어 있습니다. 전력 효율성과 열 성능, 장기 신뢰성에 중점을 두는 이들 제품은 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 애플리케이션에서 널리 채택됩니다. SIR472ADP-T1-GE3는 이러한 강점 위에 설계된 고성능 트랜지스터/ MOSFET 단일 소자이며, 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 특성, 열 조건이 엄격한 환경에서도 안정적인 동작을 제공합니다. Vishay의 첨단 실리콘 공정으로 제작되어 폭넓은 동작 시나리오에서 효율적 전력 변환과 정밀한 파워 제어를 지원합니다. 다양한 산업 표준 패키지로 제공되어 현대 전력 및 신호 제어 설계에 유연하게 통합할 수 있습니다. 주요 특징 낮은 RDS(on)으로 전도 손실 감소: 회로의 효율성을 높이고 발열을 낮춰 전력 시스템의 전반적인 성능 향상에 기여합니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 애플리케이션에서의 응답 속도와 제어 정확성을 확보합니다. 열 안정성: 낮은…
더 읽어보기 →
Vishay Siliconix
해당 카테고리에 5004개의 글이 있습니다.
Vishay Siliconix IRFD123PBF: 고신뢰성 트랜지스터- FET, MOSFET 단일 소자의 효율적 전력 및 신호 제어 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology 산하의 핵심 파워 MOSFET 및 디스크리트 솔루션 분야에서 오랜 역사를 자랑하는 브랜드입니다. 전력 효율성, 열 성능, 장기 신뢰성에 집중해 자동차, 산업, 소비자, 컴퓨팅 분야의 솔루션에 널리 채택됩니다. IRFD123PBF는 이러한 기술적 강점을 바탕으로 낮은 컨덕션 손실과 빠른 스위칭 특성, 그리고 열 환경이 까다로운 조건에서도 안정적인 작동을 제공하도록 설계된 단일형 고성능 MOSFET 트랜지스터입니다. 실리콘 공정의 진보를 통해 전력 변환의 효율을 높이고 정밀한 전력 제어를 가능하게 하며, 다양한 작동 시나리오에 적합한 유연한 디자인 옵션을 제공합니다. 또한 여러 표준 패키지로 제공되어 현대적인 파워/신호 제어 설계의 PCB 배치와 통합이 용이합니다. 주요 특징 Low RDS(on): 도통 손실을 최소화해 시스템 효율을 높임. Fast Switching Performance: 고주파 애플리케이션에서의 스위칭 속도 최적화. Thermal Stability: 낮은 열 저항과 우수한 방열 특성으로 고부하 환경에서도 안정적 작동. Wide Operating…
더 읽어보기 →
Vishay Siliconix SQ3419EV-T1_GE3 — 효율적인 전력 및 신호 제어를 위한 고신뢰성 트랜지스터 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology의 자회사로, 고성능 MOSFET, 전력 IC 및 분리형 반도체 솔루션을 전문으로 하는 세계적 기업입니다. 이 회사는 전력 효율성, 열 성능 및 장기적인 신뢰성에 중점을 두고 있으며, 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 애플리케이션에서 광범위하게 사용되는 제품들을 제공합니다. Vishay Siliconix SQ3419EV-T1_GE3 개요 Vishay Siliconix SQ3419EV-T1_GE3는 전력 변환 및 정밀한 전력 제어를 지원하는 고성능 트랜지스터(FET, MOSFET)로, 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 동작 및 열적 안정성을 제공하며, 열과 전기적 조건이 까다로운 환경에서도 안정적으로 작동합니다. Vishay의 첨단 실리콘 공정을 통해 설계된 이 부품은 다양한 작동 시나리오에서 효율적인 전력 관리를 가능하게 합니다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 전도 손실이 적어 높은 효율성을 제공합니다. 이는 전력 손실을 줄이고, 시스템의 전반적인 성능을 향상시킵니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 애플리케이션에 최적화되어 빠른 스위칭이 가능하며, 고속 작동에서 뛰어난 성능을 발휘합니다. 열적 안정성:…
더 읽어보기 →
Vishay Siliconix SI4456DY-T1-GE3 — 고신뢰성 FET로 효율적 전력 및 신호 제어 실현 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology 산하의 확고한 반도체 브랜드로, 고성능 MOSFET, 파워 IC, 디스크리트 솔루션을 제공합니다. 전력 효율성, 열 성능 및 장기 신뢰성에 중점을 두고 있어 자동차, 산업, 소비자, 컴퓨팅 시장에서 폭넓게 채택되고 있습니다. SI4456DY-T1-GE3는 이러한 브랜드 철학을 바탕으로 설계된 고성능 트랜지스터(FET, MOSFET) 싱글 솔루션으로, 낮은 구동 손실과 빠른 스위칭 특성, 열적 안정성을 한데 모아 다양한 전력 변환 및 제어 애플리케이션에 적합합니다. 다양한 업계 표준 패키지로 제공되어 PCB 레이아웃의 유연성과 현대 전력·신호 제어 설계에의 간편한 통합을 돕습니다. 주요 특징 저 RDS(on)로 구동 손실 감소 및 효율 향상: 전력 손실을 줄여 더 작고 가벼운 시스템 설계가 가능 빠른 스위칭 성능: 고주파 애플리케이션에서의 응답성과 제어 정확도 개선 열 특성의 안정성: 낮은 열저항과 우수한 방열 구조로 고부하 조건에서도 신뢰성 유지 넓은 동작 범위: 전압과 온도 범위가 넓어…
더 읽어보기 →
Vishay Siliconix SQ2361ES-T1_BE3 — 고신뢰성 트랜지스터 FETs, MOSFETs – 효율적인 전력 및 신호 제어를 위한 솔루션 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology의 브랜드로, 고성능 MOSFET, 전력 IC, 그리고 다양한 반도체 솔루션을 전문으로 하는 기업입니다. 전력 효율성, 열 성능, 그리고 장기적인 신뢰성에 중점을 두고 설계된 Vishay Siliconix 제품은 자동차, 산업, 소비자, 컴퓨터 분야에서 널리 채택되고 있습니다. 이번 글에서는 Vishay Siliconix의 SQ2361ES-T1_BE3 모델에 대해 살펴보겠습니다. SQ2361ES-T1_BE3 특징 Vishay Siliconix SQ2361ES-T1_BE3는 전력 변환 및 정밀한 전력 제어를 지원하는 고성능 트랜지스터로 설계되었습니다. 이 제품은 낮은 도통 손실, 빠른 스위칭 성능, 그리고 열적 안정성을 제공하여 고온 및 고전류 환경에서도 안정적인 작동을 보장합니다. 특히, Vishay의 고급 실리콘 공정으로 제조되어 다양한 전기적 및 열적 조건에서 효율적으로 동작할 수 있습니다. 주요 특징은 다음과 같습니다: 낮은 RDS(on): 도통 손실을 줄여 높은 효율성을 제공합니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 애플리케이션에 최적화되어 빠른 전환을 지원합니다. 열적 안정성: 낮은 열…
더 읽어보기 →
Vishay Siliconix SIS128LDN-T1-GE3 — 고신뢰성 FET로 효율적 전력 및 신호 제어 Vishay Siliconix는 고성능 MOSFET, 파워 IC 및 디스크리트 반도체 솔루션 분야에서 오랜 역사를 가진 브랜드로, 전력 효율성과 열 성능, 장기 신뢰성에 집중합니다. SIS128LDN-T1-GE3는 단일 트랜지스터 FET로 설계되어, 낮은 컨덕션 손실과 빠른 스위칭 특성을 통해 다양한 전력 변환 및 신호 제어 애플리케이션에서 안정적으로 작동합니다. 이 소자는 Vishay의 첨단 실리콘 공정으로 제조되어, 고정밀 전력 변환과 정밀 제어가 필요한 설계에 적합합니다. 여러 industry-standard 패키지로 제공되어 PCB 레이아웃의 유연성과 최신 구동 설계에 원활하게 통합될 수 있습니다. 주요 특징과 설계 이점 저 RDS(on) 구현: 컨덕션 손실을 낮춰 시스템 전체 효율성을 높이고, 발열 관리 부담을 경감합니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 애플리케이션에서의 스위칭 손실을 최소화하고 고주파 구동에 안정적인 동작을 제공합니다. 열적 안정성: 낮은 열 저항과 뛰어난 열 방산 특성으로, 고부하 환경에서도 지속적 성능 유지가 가능합니다. 넓은 작동 범위: 전압과 온도 범위가…
더 읽어보기 →
SIHB35N60EF-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터(FET, MOSFET) 단일 소자, 효율적 전력 및 신호 제어를 위한 선택 Vishay Siliconix는 고성능 MOSFET, 파워 IC 및 디스크리트 반도체 솔루션을 전문으로 하는 확고한 브랜드로, 전력 효율성, 열 성능, 장기 신뢰성에 중점을 둡니다. SIHB35N60EF-GE3는 이러한 철학을 반영한 고성능 MOSFET로, 낮은 컨덕션 손실, 빠른 스위칭 동작, 가혹한 전기 및 열 환경에서도 안정적인 작동을 제공하도록 설계되었습니다. Vishay의 첨단 실리콘 공정을 활용해 구동되는 이 소자는 폭넓은 동작 조건에서 전력 변환과 정밀 제어를 가능하게 하며, 다양한 산업 표준 패키지로 제공되어 현대 전력·신호 제어 설계에 유연한 PCB 레이아웃을 제공합니다. 주요 특징 Low RDS(on): 도통 손실을 줄여 시스템 전반의 효율성을 높입니다. Fast Switching Performance: 고주파 애플리케이션에 최적화된 빠른 스위칭 특성으로 전력 변환 효율을 향상합니다. Thermal Stability: 낮은 열저항성과 견고한 방열 성능으로 열 관리 부담을 완화합니다. Wide Operating Range: 광범위한 전압과 온도에서 안정적으로 작동합니다. Package Flexibility: TO, DPAK, PowerPAK,…
더 읽어보기 →
Vishay Siliconix SIS468DN-T1-GE3: 고신뢰성 트랜지스터–FET 단일 소자로 효율적 전원 및 신호 제어를 실현 개요 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology 산하의 대표적인 반도체 브랜드로, 고성능 MOSFET, 파워 IC, 디스크리트 반도체 솔루션에 집중합니다. 전력 효율, 열 성능, 장기 신뢰성에 대한 강한 노선을 추구하는 이 브랜드의 제품은 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 분야에서 널리 채택되고 있습니다. SIS468DN-T1-GE3는 낮은 컨덕션 손실과 빠른 스위칭 특성, 열 조건에서도 안정적인 동작을 목표로 설계된 고성능 트랜지스터-전력 MOSFET 단일 소자입니다. 이 소자는 Vishay의 첨단 실리콘 공정을 바탕으로, 전력 변환 효율을 높이고 전력 제어의 정밀성을 확보하도록 설계되어 다양한 동작 시나리오에서 폭넓은 운용 범위를 제공합니다. 또한 다수의 산업표준 패키지로 제공되어 현대 파워 및 신호 제어 설계에 유연한 PCB 레이아웃과 간편한 통합을 지원합니다. 주요 특징 및 적용 분야 특징 낮은 RDS(on): 전도 손실 감소로 시스템 효율성 향상 빠른 스위칭 성능: 고주파 애플리케이션에 최적화 열 안정성: 낮은 열 저항과…
더 읽어보기 →
Vishay Siliconix TN2404K-T1-GE3 — 효율적인 전력 및 신호 제어를 위한 고신뢰성 트랜지스터 Vishay Siliconix는 전력 효율성, 열 성능 및 장기적인 신뢰성에 집중하는 세계적인 반도체 브랜드로, 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨터 애플리케이션에서 널리 사용됩니다. Vishay Intertechnology의 일환으로, 고성능 MOSFETs, 전력 IC 및 이산 반도체 솔루션을 제공하는 Vishay Siliconix는 다양한 분야에서 중요한 역할을 합니다. TN2404K-T1-GE3의 특징과 성능 Vishay Siliconix의 TN2404K-T1-GE3는 고성능 트랜지스터로, 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 성능, 안정적인 작동을 제공합니다. 이 MOSFET은 전력 변환 및 정밀한 전력 제어를 지원하여 다양한 작동 조건에서도 뛰어난 성능을 발휘합니다. Vishay의 첨단 실리콘 프로세스를 사용하여 설계된 TN2404K-T1-GE3는 전자 기기에서 요구하는 고주파수 및 고전압 조건에서 우수한 성능을 보장합니다. 주요 특징으로는 낮은 RDS(on) (전도 손실 감소), 빠른 스위칭 성능, 우수한 열 안정성(저열 저항 및 강력한 열 방출), 광범위한 작동 범위(확장된 전압 및 온도 범위 지원), 패키지 유연성(TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 다양한 표준…
더 읽어보기 →
Vishay Siliconix SQJ147ELP-T1_GE3: 고신뢰성 FET로 효율적 전력 및 신호 제어 개요 및 기술적 특징 Vishay Siliconix SQJ147ELP-T1_GE3은 단일 포지션의 고성능 MOSFET으로, 저전도 손실과 빠른 스위칭 특성, 열적 견고성을 강조하도록 설계되었다. 이 소자는 Vishay의 첨단 실리콘 공정을 바탕으로 전력 변환의 효율성을 높이고 넓은 작동 조건에서도 안정적인 제어를 가능하게 한다. 주요 특징으로는 다음과 같은 요소들이 있다. 저 RDS(on): 도전 손실을 줄여 전체 시스템 효율을 높임 빠른 스위칭 성능: 고주파 애플리케이션에 최적화된 동작 열 안정성: 낮은 열저항과 우수한 방열 특성으로 고부하 조건에서도 성능 유지 넓은 작동 범위: 전압 및 온도 범위를 확장해 다양한 환경에 적합 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 설계 유연성 증가 품질 및 규격 준수: JEDEC, AEC-Q101(자동차 등급 모델), RoHS, REACH 표준 충족 적용 시나리오 및 이점 SQJ147ELP-T1_GE3은 전력 관리와 신호 제어가 핵심인 다양한 영역에서 널리 활용된다. 이 MOSFET의 특징들이 실제 설계에서…
더 읽어보기 →