Vishay Siliconix

Vishay Siliconix IRFPE50PBF — 고신뢰성 트랜지스터(FET, MOSFET) 단일 소자, 효율적 전력 및 신호 제어를 위한 선택 Vishay Siliconix는 전력 MOSFET, 파워 IC 및 디스크리트 솔루션에서 오랜 역사를 가진 브랜드로서, 전력 효율성, 열 성능, 장기 신뢰성에 집중합니다. IRFPE50PBF는 이 같은 철학을 바탕으로 설계된 고성능 MOSFET로, 낮은 전도 손실과 빠른 스위칭 특성, 그리고 까다로운 전기/열 조건에서도 안정적인 동작을 제공합니다. 고급 실리콘 공정을 통해 폭넓은 작동 범위를 지원하며, 효율적인 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 가능하게 합니다. 다양한 산업 표준 패키지로 공급되어 현대의 전력/신호 제어 설계에서 PCB 레이아웃의 융통성과 구현 용이성을 제공합니다. 주요 특징과 설계 이점 저 RDS(on): 도통 손실을 낮춰 시스템 효율을 높이고, 열 관리 부담을 줄입니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 애플리케이션에서의 전력-electronics 설계에 적합합니다. 열적 안정성: 낮은 열저항과 견고한 방열 특성으로 고부하 조건에서도 일관된 동작. 넓은 작동 범위: 전압 및 온도 범위를 넓게 커버하여 다양한 시스템에서 재설계…

Vishay Siliconix SIHB10N40D-GE3: 고신뢰성 FET으로 효율적 파워 및 신호 제어 Vishay Siliconix SIHB10N40D-GE3는 단일 MOSFET 형태의 고성능 트랜지스터로, 낮은 온저항(RDS(on))과 빠른 스위칭 특성, 그리고 견고한 열 안정성을 바탕으로 폭넓은 파워 변환 및 신호 제어 어플리케이션에서 신뢰성을 제공합니다. 이 제품은 Vishay의 정교한 실리콘 공정 기술을 적용해 고효율의 전력 변환, 정밀한 전력 제어를 실현하며, 다양한 작동 조건에서도 안정적인 동작을 보장합니다. 여러 표준 패키지로 제공되어 현대 PCB 설계에서 레이아웃 유연성과 간편한 통합이 가능하다는 점도 큰 강점으로 꼽힙니다. 주요 특징 Low RDS(on): 컨덕션 손실을 최소화해 시스템 효율을 높이고, 열 관리 부담을 줄여 줍니다. Fast Switching Performance: 고주파 환경에서의 안정적 동작과 응답 속도 향상을 제공합니다. Thermal Stability: 낮은 열저항과 우수한 방열 특성으로 고부하 상황에서도 성능 저하를 억제합니다. Wide Operating Range: 폭넓은 전압 및 온도 범위를 지원해 다양한 어플리케이션에서 사용 가능. Package Flexibility: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 제공되어…

Vishay Siliconix SQJ444EP-T1_BE3 — 고신뢰성 트랜지스터(FET)로 효율적 전력 및 신호 제어 개요 Vishay Siliconix는 파워 MOSFET, 파워 IC 및 디스크리트 반도체 솔루션에서 오랜 역사를 자랑하는 브랜드로, 전력 효율, 열 성능, 장기 신뢰성에 중점을 두고 있습니다. 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 분야에서 널리 채택되는 이들 솔루션은 고주파 스위칭과 저전도 손실을 통해 전력 변환의 효율을 높이고, 까다로운 열 환경에서도 안정적인 동작을 제공합니다. SQJ444EP-T1_BE3는 이러한 브랜드의 기술력으로 설계된 고성능 트랜지스터-펄스 MOSFET으로, 다양한 운영 조건에서 효율적 전력 제어와 신호 제어를 가능하게 합니다. 주요 특징 및 설계 이점 저 RDS(on)으로 전도 손실 감소: 전력 변환 효율을 개선하고 발열을 억제합니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에 최적화되어 시스템 반응 속도와 제어 정확성을 향상시킵니다. 열 안정성: 낮은 열 저항과 우수한 방열 특성으로 고하중에서도 안정적인 동작을 제공합니다. 넓은 동작 범위: 전압 및 온도 범위가 넓어 다양한 설계 조건에 적합합니다. 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK,…

Vishay Siliconix SI3464DV-T1-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터(FET) 및 MOSFET 단일 소자 주요 특징과 성능 SI3464DV-T1-GE3는 단일 소자의 고성능 전력 트랜지스터로 설계되어 낮은 RDS(on)으로 전도 손실을 최소화하고 빠른 스위칭 특성을 제공합니다. 이 부품은 열 관리가 중요하고 고전류 및 고주파 환경에서도 안정적으로 동작하도록 설계되었으며, 넓은 작동 전압 및 온도 범위에서 일관된 성능을 발휘합니다. 실리콘 공정의 최신 기술로 제조된 이 소자는 전력 변환 효율을 높이고 정밀한 전력 제어를 가능하게 합니다. 다양한 산업 표준 패키지로 제공되어 PCB 레이아웃에 융통성을 부여하며, 고온에서도 견고한 열 저항과 방열 특성을 갖춰 까다로운 조건에서도 신뢰성을 유지합니다. 또한 JEDEC, AEC-Q101(자동차 등급 모델), RoHS, REACH와 같은 품질 및 규정 기준을 충족합니다. 적용 분야와 설계 유연성 이 소자는 전력 관리와 신호 제어 설계에서 광범위하게 활용됩니다. 구체적으로는 DC-DC 컨버터, 로드 스위치, 파워 모듈 등 전력 변환기에서의 핵심 구성요소로 적합합니다. 자동차 전자 분야에서는 바디 전자, 인포테인먼트, 조명 시스템, EV 서브시스템에서의…

Vishay Siliconix SIHB24N80AE-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터(FET/MOSFET) 단일 소자: 효율적 전력 및 신호 제어를 위한 선택 주요 특징 및 이점 Vishay Siliconix의 SIHB24N80AE-GE3은 단일 소자로 설계된 고성능 트랜지스터-전력 MOSFET 시리즈의 한 축을 이룹니다. 이 소자는 낮은 RDS(on) 값을 통해 도전 손실을 줄여 전력 변환 효율을 높이고, 빠른 스위칭 특성으로 고주파 응용에서 응답 속도를 강화합니다. 또한 열 저항이 낮고 열 관리 성능이 뛰어나며, 폭넓은 동작 온도 및 전압 범위를 지원합니다. 이러한 특성은 연속 작동에서의 안정성을 보장하고, 고전력 시스템의 과열 리스크를 줄여줍니다. 패키지 면에서도 TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 다양한 표준 패키지를 제공하여 PCB 레이아웃의 유연성과 설계 편의성을 높입니다. 품질과 신뢰성 측면에서는 JEDEC 표준 준수, AEC-Q101(자동차 등급 모델), RoHS 및 REACH와 같은 국제 규정을 충족하거나 넘어서며, 다양한 산업 환경에서도 일관된 성능을 기대할 수 있습니다. 이 기기는 실질적으로 전력 관리와 신호 제어를 하나의 단일 소자에서 효율적으로 수행하도록 최적화된 설계로,…

Vishay Siliconix SIHP35N60E-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터: 효율적인 전력 및 신호 제어를 위한 FET, MOSFET Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology의 하위 브랜드로, 고성능 MOSFET, 전력 IC, 그리고 이산 반도체 솔루션을 전문적으로 개발하는 회사입니다. 높은 전력 효율성, 뛰어난 열 성능, 그리고 오랜 신뢰성에 중점을 둔 Vishay Siliconix의 제품들은 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 애플리케이션에서 널리 사용되고 있습니다. SIHP35N60E-GE3의 특징과 성능 Vishay Siliconix의 SIHP35N60E-GE3는 고성능 트랜지스터(FET, MOSFET - Single)로 설계되어 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 성능, 그리고 열적 및 전기적 조건에서 안정적인 작동을 제공합니다. 이 제품은 Vishay의 첨단 실리콘 공정을 통해 제작되어, 다양한 운용 시나리오에서 효율적인 전력 변환 및 정확한 전력 제어를 지원합니다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 전도 손실이 적어 효율성이 뛰어나며, 높은 전력 효율성을 제공합니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파수 애플리케이션에 최적화되어 빠른 응답과 낮은 지연시간을 구현합니다. 열적 안정성: 낮은 열 저항과 강력한 열 방출 성능을 갖추고 있어, 고온에서도…

Vishay Siliconix SQ3460EV-T1_GE3 — 고신뢰성 MOSFET으로 효율적 전력 및 신호 제어를 구현하다 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology 산하의 핵심 브랜드로, 고성능 MOSFET, 파워 IC 및 디스크리트 솔루션을 통해 전력 효율성과 열 성능, 장기 신뢰성에 집중합니다. 이 브랜드의 제품은 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 분야에서 널리 채택되며, 고주파에서도 안정적으로 작동하는 파워 스테이지와 정밀 제어 회로를 가능하게 합니다. SQ3460EV-T1_GE3는 이러한 철학을 반영한 단일 트랜지스터(FET/MOSFET)로, 낮은 전도 손실과 빠른 스위칭 특성, 그리고 까다로운 열 조건에서도 견고한 작동을 제공합니다. 주요 특징 Low RDS(on): 전도 손실을 최소화하여 시스템 효율을 높이고, 소형 방열 솔루션으로도 강한 성능을 유지합니다. Fast Switching Performance: 고주파 응용에서의 스위칭 손실을 줄이고 빠른 제어 반응을 지원합니다. Thermal Stability: 낮은 열저항과 뛰어난 방열 특성으로 고부하 조건에서도 안정적인 동작을 제공합니다. Wide Operating Range: 넓은 전압 및 온도 범위를 커버하여 다양한 설계 상황에 적용할 수 있습니다. Package Flexibility: TO, DPAK, PowerPAK, SO…

Vishay Siliconix SQJA02EP-T1GE3는 고신뢰성 트랜지스터- FET, MOSFET로 설계된 단일 소자이며, 효율적인 전력 및 신호 제어를 가능하게 합니다. Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology 산하의 널리 알려진 반도체 브랜드로, 고성능 MOSFET, 파워 IC 및 디스크리트 솔루션에 집중합니다. 전력 효율성, 열 성능, 장기 신뢰성에 대한 강한 focus로 자동차, 산업, 가전 및 컴퓨팅 분야에서 널리 채택되고 있습니다. SQJA02EP-T1GE3는 이러한 기술적 강점을 바탕으로, 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 특성, 까다로운 전기적/열 조건에서도 안정적인 동작을 제공합니다. Vishay의 첨단 실리콘 공정으로 설계된 이 소자는 폭넓은 작동 범위에서 효율적인 전력 변환과 정밀한 파워 제어를 지원합니다. 다양한 표준 패키지로 제공되어 현대 파워 및 신호 제어 설계에 유연한 PCB 레이아웃과 손쉬운 통합을 가능하게 합니다. 주요 특징과 설계 이점 저 RDS(on): 도통 손실을 줄여 더 높은 효율을 실현합니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 애플리케이션에 최적화되어 시스템의 응답 속도를 향상시키고 손실을 최소화합니다. 열적 안정성: 낮은 열저항과 견고한 열 방출…

Vishay Siliconix IRFI9620GPBF — 고신뢰성 Transistors, FETs, MOSFETs 단일 소자로 효율적 전력 및 신호 제어를 구현 Vishay Siliconix는 고성능 MOSFET, 파워 IC 및 디스크리트 솔루션을 전문으로 하는 유명한 반도체 브랜드로, 전력 효율성, 열 성능, 장기 신뢰성에 집중합니다. IRFI9620GPBF는 이러한 강점을 바탕으로 낮은 전도 손실과 빠른 스위칭 특성을 제공하며, 까다로운 전기 및 열 조건에서도 안정적으로 동작하도록 설계되었습니다. 고급 실리콘 공정을 통해 폭넓은 동작 범위를 지원하고, 현대의 파워 변환 및 정밀 제어 설계에 최적화되어 있습니다. 주요 특징 저 RDS(on): 전도 손실을 줄여 시스템 효율성 향상 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에 적합한 최적화된 스위칭 열 안정성: 낮은 열 저항 및 우수한 방열 특성 넓은 동작 범위: 전압 및 온도 범위 확장 지원 패키지 다양성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지에서 선택 가능 품질 및 규정 준수: JEDEC, AEC-Q101(자동차 등급 모델), RoHS, REACH를 충족하는 신뢰성 적용 분야 IRFI9620GPBF는…

Vishay Siliconix SIHF30N60E-GE3 — 고신뢰성 FET로 효율과 제어를 한 차원 높이다 Vishay Siliconix는 전력 반도체 분야에서 오랜 역사를 가진 브랜드로, 고성능 MOSFET과 파워 IC를 비롯한 디스크리트 솔루션으로 잘 알려져 있다. SIHF30N60E-GE3는 이러한 계보를 이어받아 단일 게이트 MOSFET로 설계되었으며, 낮은 컨덕션 손실, 빠른 스위칭 특성, 그리고 열 관리가 용이한 구성을 제공한다. 이 소자는 고전압·고온 환경에서도 안정적인 동작을 목표로 만들어졌고, 고주파 파워 변환과 정밀 제어가 필요한 현대의 전력 설계에 매력적인 선택지로 자리 잡고 있다. 핵심 특징 저 RDS(on): 도전 손실을 줄여 시스템 효율을 높이는 핵심 요소다. SIHF30N60E-GE3는 낮은 온저항으로 더 적은 열로 더 많은 전력을 전달한다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 영역에서의 전환 속도가 빨라 PWM 제어와 디지털 구동에서 이점이 크다. 과도 현상과 스위칭 손실을 최소화하는 데 도움이 된다. 열 안정성: 낮은 열 저항과 우수한 방열 특성으로 고부하에서도 안정적인 동작을 유지한다. 시스템 설계 시 방열 경로를 간소화할 수…