Vishay Siliconix

Vishay Siliconix

해당 카테고리에 5004개의 글이 있습니다.
SIR688DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SIR688DP-T1-GE3 — 고신뢰성 FET로 효율과 제어를 한 차원 높이다 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology 산하의 글로벌 반도체 브랜드로, 고성능 MOSFET, 파워 IC, 디스크리트 솔루션에 특화되어 있습니다. 전력 효율, 열 성능, 장기 신뢰성에 중점을 둔 설계 철학으로 자동차, 산업, IT 및 컴퓨팅 분야에서 널리 채택되고 있습니다. SIR688DP-T1-GE3는 단일 소자로 설계된 고성능 트랜지스터-포맷의 FET로, 낮은 컨덕션 로스와 빠른 스위칭 특성, 열악한 조건에서도 안정적인 동작을 제공합니다. 다채로운 산업 표준 패키지로 구성되어 있어 설계 유연성도 뛰어납니다. 주요 특징 및 기술 사양 저 RDS(on)로 도통 손실 최소화: 고효율 전력 관리와 미세한 열 증가를 억제 빠른 스위칭 성능: 고주파 애플리케이션의 효율성 극대화에 기여 열 안정성: 낮은 열저항과 견고한 방열 특성으로 고전압, 고온 환경에서도 안정적 동작 광범위한 동작 범위: 확장된 전압 및 온도 조건에서 신뢰성 유지 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 설계 및 보드 레이아웃에 적용 용이…
더 읽어보기 →
SIHA6N65E-GE3 Vishay Siliconix
SIHA6N65E-GE3: 고신뢰성 파워 MOSFET의 표준을 재정의하는 단일 FET Vishay Siliconix의 SIHA6N65E-GE3는 고성능 트랜지스터-전력용 FET로, 낮은 전도 손실과 빠른 스위칭 특성, 까다로운 전기적·열적 조건에서도 안정적인 동작을 제공하도록 설계되었습니다. 이 모듈형 단일 MOSFET은 전력 변환과 정밀한 전력 제어가 필요한 다양한 애플리케이션에서 효율성과 신뢰성을 동시에 끌어올리는 솔루션으로 자리매김합니다. 실리콘 공정의 최신 기술로 만들어진 이 소자는 광범위한 작동 환경에 대응하도록 개발되었으며, 현대의 모듈형 파워 설계에 부합하는 유연한 패키지 옵션을 제공합니다. 주요 특징 및 설계 이점 저 RDS(on): 도통 손실을 줄여 전체 시스템 효율을 향상시키고, 열 관리 부담도 완화합니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에서도 안정적인 동작과 낮은 스위칭 손실을 제공합니다. 열 안정성: 낮은 열저항과 견고한 방열 특성으로 악조건에서도 성능 일관성을 유지합니다. 넓은 동작 범위: 전압과 온도 조건이 넓어 다양한 전력 구성에 유연하게 적용됩니다. 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 설계 배열이 용이하고 PCB 레이아웃의 융통성이 큽니다. 품질…
더 읽어보기 →
SIHL630STRL-GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SIHL630STRL-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터/ MOSFET로 효율적 전력 및 신호 제어 Vishay Siliconix는 고성능 MOSFET, 파워 IC 및 분리 소자 솔루션으로 널리 알려진 브랜드로, 전력 효율성과 열 성능, 장기 신뢰성에 초점을 맞춘 기술력을 자랑합니다. SIHL630STRL-GE3는 이러한 강점을 바탕으로 저전도 손실, 빠른 스위칭 특성, 그리고 열 악조건에서도 안정적인 동작을 제공하도록 설계된 단일 형태의 트랜지스터- FET/MOSFET입니다. 이 기기는 Vishay의 첨단 실리콘 공정을 통해 다양한 동작 시나리오에서 효율적인 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 뒷받침합니다. 다양한 표준 패키지로 제공되어, 현대의 파워 및 신호 제어 설계에서 PCB 레이아웃의 유연성과 손쉬운 통합이 가능합니다. 주요 특징과 설계 이점 저 RDS(on): 전도 손실을 줄여 시스템 전반의 효율성을 향상시킵니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에서의 제어 정확성과 응답 속도를 강화합니다. 열 안정성: 낮은 열 저항과 우수한 열 방출 특성으로 고부하 조건에서도 안정적인 동작을 유지합니다. 넓은 작동 범위: 전압 및 온도 범위 확대로 다양한 환경에서…
더 읽어보기 →
SI2316BDS-T1-GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SI2316BDS-T1-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터(FET/MOSFET) 싱글 소자, 효율적 전력 및 신호 제어를 위한 선택 고성능 FET의 핵심 특성 SI2316BDS-T1-GE3은 낮은 RDS(on)으로 전도 손실을 줄이고, 빠른 스위칭 특성으로 고주파 응용에서 효율을 높여 주는 단일형 MOSFET입니다. 이 소자는 열 저항이 낮아 열 분산이 용이하고, 고온에서도 안정적으로 작동하도록 설계되어 까다로운 전력 변환 환경에서도 신뢰성을 유지합니다. 넓은 동작 전압 및 온도 범위를 지원하여 DC-DC 컨버터, 로드 스위치, 파워 모듈 등 다양한 구동 회로에서 예측 가능한 성능을 제공합니다. 제조 공정에서의 품질 관리도 두드러지는데, JEDEC 표준과 AEC-Q101(자동차 등급 모델), RoHS 및 REACH 규정 준수를 통해 자동차 및 산업용 애플리케이션의 품질 요구를 뒷받침합니다. 이처럼 SI2316BDS-T1-GE3는 빠른 스위칭과 낮은 손실의 균형을 통해 전력 변환 효율과 신호 제어의 정밀성을 모두 달성하도록 설계되었습니다. 패키지 다양성과 적용 영역 다양한 산업 표준 패키지로 제공되어 인쇄회로기판(PCB) 레이아웃의 유연성을 극대화합니다. TO, DPAK, PowerPAK, SO 및 그 외 표준…
더 읽어보기 →
SIHP17N60D-E3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SIHP17N60D-E3는 고신뢰성 트랜지스터- FET, MOSFET 중 하나로, 단일 소자로 설계되어 저항성(conduction) 손실을 줄이고 빠른 스위칭 특성을 제공하며, 까다로운 전기 및 열 조건에서도 안정적으로 동작합니다. 이 칩은 Vishay의 첨단 실리콘 공정을 통해 개발되었으며, 효율적 파워 변환과 신호 제어를 폭넓은 작동 시나리오에서 가능하게 합니다. 다양한 산업 표준 패키지로 제공되어 보드 레이아웃의 유연성을 확보하고, 현대 파워/신호 제어 설계의 구현을 간소화합니다. 특징 및 성능 SIHP17N60D-E3는 낮은 RDS(on)으로 컨덕션 로스를 크게 줄여 시스템의 overall 효율을 향상시킵니다. 빠른 스위칭 성능은 고주파 환경에서의 작동을 용이하게 하며, 열 저항이 낮고 열 방출이 우수한 구조로 열 폭주를 억제합니다. 넓은 작동 범위는 고전압 및 고온 환경에서도 안정적인 동작을 가능하게 하고, 재료의 열적 안정성을 바탕으로 반복적인 사이클에서도 성능 저하를 최소화합니다. 이 디바이스는 TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 제공되어 다양한 PCB 설계와 조립 공정에 쉽게 적용됩니다. 또한 JEDEC 준수는 물론 AEC-Q101(자동차용) 모델, RoHS…
더 읽어보기 →
SIHG70N60AEF-GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SIHG70N60AEF-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터, FET, MOSFET - 효율적인 전력 및 신호 제어 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology의 자회사로, 고성능 MOSFET, 전력 IC, 및 분리형 반도체 솔루션을 전문으로 하는 브랜드입니다. 전력 효율성, 열 성능, 및 장기적인 신뢰성에 집중하는 Vishay Siliconix의 제품은 자동차, 산업, 소비자, 컴퓨팅 분야에서 널리 사용되고 있습니다. 이 회사는 우수한 품질과 신뢰성으로 세계 시장에서 인정받고 있으며, 그 제품은 매우 다양한 응용 분야에 적합합니다. Vishay Siliconix SIHG70N60AEF-GE3는 고성능 트랜지스터(FET), MOSFET 제품으로, 저전도 손실, 빠른 스위칭 성능, 및 안정적인 작동을 보장합니다. 이 부품은 Vishay의 고급 실리콘 공정을 통해 설계되어 효율적인 전력 변환 및 정밀한 전력 제어가 가능합니다. 다양한 전압 및 온도 범위에서 안정적으로 작동하며, 특히 전력 및 신호 제어 시스템의 효율성을 극대화하는 데 유리한 특성을 제공합니다. 주요 특징 저 RDS(on): 낮은 전도 손실로 고효율을 제공하며, 시스템의 전반적인 에너지 소비를 줄입니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용…
더 읽어보기 →
SI2367DS-T1-BE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SI2367DS-T1-BE3 — 고신뢰성 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - 효율적인 전력 및 신호 제어를 위한 단일 소자 Vishay Siliconix는 전력 효율성, 열 성능 및 장기적인 신뢰성에 집중하는 세계적인 반도체 브랜드로, 전력 IC 및 디스크리트 반도체 솔루션에서 뛰어난 성능을 자랑합니다. Vishay Intertechnology의 자회사로서, 다양한 산업 분야에서 전자 제품의 핵심 부품을 공급하고 있으며, 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨터 응용 분야에서 광범위하게 채택되고 있습니다. SI2367DS-T1-BE3: 고성능 FETs 및 MOSFETs Vishay Siliconix의 SI2367DS-T1-BE3는 뛰어난 성능을 제공하는 단일 FETs, MOSFETs 소자로 설계되었습니다. 이 소자는 낮은 전도 손실과 빠른 스위칭 성능을 자랑하며, 전기적 및 열적 조건이 까다로운 환경에서도 안정적인 동작을 보장합니다. Vishay의 고급 실리콘 공정을 통해 설계된 SI2367DS-T1-BE3는 효율적인 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 지원하여, 다양한 작업 조건에서 탁월한 성능을 발휘합니다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 전도 손실을 최소화하여 높은 효율성을 제공합니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용 분야에 최적화되어 있습니다. 열적…
더 읽어보기 →
IRF644PBF-BE3 Vishay Siliconix
개요 및 특징 Vishay Siliconix는 고성능 MOSFET과 전력 반도체 솔루션으로 잘 알려진 브랜드로, 전력 효율, 열 성능, 그리고 장기 신뢰성에 초점을 맞춰 왔습니다. IRF644PBF-BE3는 단일형 FET로, 낮은 항간손실(RDS(on))과 빠른 스위칭 특성, 열적 조건에서도 안정적인 동작을 제공합니다. 이 소자는 Vishay의 첨단 실리콘 공정으로 설계되어 폭넓은 파워 변환 및 신호 제어 시나리오에서 효율적인 전력 관리와 정밀한 제어를 가능하게 합니다. 다양한 산업 표준 패키지로 제공되어 설계 차원에서 PCB 레이아웃의 유연성을 확보하고, 현대 파워 및 신호 제어 설계에 손쉬운 통합을 가능하게 합니다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 도전 손실을 줄여 시스템 효율성 향상 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에 최적화된 전환 속도 열 안정성: 낮은 열저항과 견고한 방열 특성으로 고온에서도 안정적 작동 넓은 동작 범위: 전압 및 온도 조건의 확대된 범위를 커버 패키지 다양성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 공급 품질 및 규정 준수: JEDEC, AEC-Q101(오토모티브 등급 모델), RoHS,…
더 읽어보기 →
SI2305CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SI2305CDS-T1-GE3 — 효율적인 전력 및 신호 제어를 위한 고신뢰성 트랜지스터 Vishay Siliconix는 고성능 MOSFET, 전력 IC, 및 이산 반도체 솔루션을 전문으로 하는 브랜드로, Vishay Intertechnology의 일환으로 전 세계에서 인정받고 있습니다. 이 회사는 전력 효율성, 열 성능 및 장기적인 신뢰성에 중점을 두어, 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 응용 분야에서 널리 채택되고 있습니다. Vishay Siliconix의 SI2305CDS-T1-GE3는 고성능 트랜지스터(FETs, MOSFETs)로, 효율적인 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 위한 뛰어난 성능을 제공합니다. SI2305CDS-T1-GE3의 주요 특징 Vishay Siliconix의 SI2305CDS-T1-GE3는 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 성능, 그리고 고온 및 고전압 환경에서의 안정적인 동작을 제공합니다. 이 장치는 Vishay의 첨단 실리콘 공정을 통해 설계되어, 다양한 전기적 및 열적 조건에서 뛰어난 효율성을 유지할 수 있습니다. 주요 특징은 다음과 같습니다: 낮은 RDS(on): 전도 손실이 적어 더 높은 효율성을 제공합니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용을 위한 최적화된 성능. 열 안정성: 낮은 열 저항과 강력한 열…
더 읽어보기 →
SI2314EDS-T1-E3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SI2314EDS-T1-E3: 고신뢰성 FET로 효율적인 전력 및 신호 제어 개요 및 기술적 특성 Vishay Siliconix가 제공하는 SI2314EDS-T1-E3는 단일 트랜지스터- MOSFET으로, 전력 변환과 신호 제어에서 낮은 컨덕션 손실과 빠른 스위칭 특성을 동시에 구현하도록 설계되었습니다. 이 소자는 낮은 RDS(on)를 통해 구동 시 전력 손실을 최소화하고, 고주파 애플리케이션에서의 빠른 스위칭 성능으로 시스템의 응답 속도를 향상시킵니다. 또한 열저항이 낮고 견고한 방열 특성을 갖춰 넓은 작동 온도 범위에서도 안정적 동작이 가능합니다. 다양한 표준 패키지로 제공되어 PCB 레이아웃의 유연성이 크고, TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 여러 유형의 패키지가 선택 가능해 설계에 맞춘 구성과 간편한 설치가 가능합니다. 품질과 규격 측면에서도 SI2314EDS-T1-E3는 JEDEC 준수, 자동차용 AEC-Q101(차량 등급 모델), RoHS 및 REACH와 같은 국제 표준을 만족합니다. 적용 분야 및 설계 이점 SI2314EDS-T1-E3의 설계 철학은 전력 관리와 신호 제어에서의 고효율과 신뢰성을 동시에 실현하는 데 있습니다. DC-DC 컨버터의 구동 소자나 로드 스위치, 파워 모듈과 같은…
더 읽어보기 →