Vishay Siliconix

Vishay Siliconix

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IRFI9Z34GPBF Vishay Siliconix
Vishay Siliconix IRFI9Z34GPBF는 단일형으로 설계된 고신뢰성 트랜지스터- FET, MOSFET으로, 전력 변환과 신호 제어에서 낮은 전도 손실과 빠른 스위칭 특성, 열 조건하에서의 안정적인 동작을 제공합니다. Vishay Siliconix는 전력 효율성과 열 성능, 장기 신뢰성에 초점을 맞춘 반도체 솔루션의 선두 브랜드로, 자동차, 산업, 가전 및 컴퓨팅 분야에서 널리 사용됩니다. IRFI9Z34GPBF는 이러한 포커스를 바탕으로 다양한 운영 시나리오에서 정밀한 전력 제어와 효율적 변환을 가능하게 하는 고성능 디바이스로 설계되었습니다. 주요 특징과 성능 낮은 RDS(on): 전도 손실을 줄여 더 높은 효율을 실현합니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에서의 신속한 전환으로 시스템 반응 속도를 높여 줍니다. 열 안정성: 낮은 열저항과 견고한 방열 특성으로 가혹한 열 환경에서도 안정적인 동작을 유지합니다. 넓은 동작 범위: 전압 및 온도 범위가 넓어 다양한 설계 조건에 대응합니다. 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 제공되어 PCB 레이아웃과 설계 융통성을 확보합니다. 품질 및 규정 준수: JEDEC, AEC-Q101(자동차용 모델), RoHS…
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IRFPC60PBF Vishay Siliconix
제목: Vishay Siliconix IRFPC60PBF — 고신뢰성 트랜지스터(FET, MOSFET) 단일 소자, 효율적 전력 및 신호 제어를 위한 선택 개요 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology 산하의 대표적인 파워 소자 브랜드로, 고성능 MOSFET, 파워 IC 및 디스크리트 솔루션 분야에서 긴 역사를 보유하고 있습니다. 전력 효율, 열 성능, 신뢰성에 집중하는 이들 제품은 자동차, 산업, 가전, 컴퓨팅 분야에서 널리 채택되고 있습니다. IRFPC60PBF는 저 conduction 손실과 빠른 스위칭 특성을 갖춘 단일 FET로, 넓은 작동 조건에서 안정적으로 동작하도록 설계되었습니다. Vishay의 첨단 실리콘 공정으로 제조되어 전력 변환과 정밀 제어를 필요로 하는 다양한 애플리케이션에 적합합니다. 또한 TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 여러 표준 패키지로 제공되어 PCB 레이아웃의 유연성을 제공합니다. 주요 특징 Low RDS(on): 도통 손실을 줄여 시스템 효율을 높임 Fast Switching Performance: 고주파 애플리케이션에 최적화된 스위칭 속도 Thermal Stability: 낮은 열 저항과 견고한 방열 특성으로 고부하 환경에서도 안정적 작동 Wide Operating Range: 고전압 및 고온…
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SUD08P06-155L-BE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SUD08P06-155L-BE3은 고신뢰성 트랜지스터(FET, MOSFET)로서 단일 소자로 고효율 파워 및 신호 제어를 가능하게 하는 솔루션입니다. Vishay Siliconix의 강력한 파워 MOSFET 전문성에 의해 설계된 이 부품은 낮은 전도 손실과 빠른 스위칭 특성, 열 관리의 견고함을 결합해 다양한 환경에서 안정적인 동작을 제공합니다. 넓은 작동 전압 범위와 다채로운 패키지 옵션으로 현대의 파워 회로 설계에서 높은 유연성을 발휘합니다. 주요 특징 낮은 RDS(on)으로 전도 손실 감소 및 시스템 효율 향상 빠른 스위칭 동작으로 고주파 응용 분야에서의 성능 극대화 열 안정성 우수: 낮은 열 저항과 우수한 방열로 고온 환경에서도 안정적 동작 넓은 작동 범위: 전압과 온도 범위가 넓어 다양한 설계 조건 수용 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 PCB 레이아웃과 설계에 유연성 제공 품질 및 규정 준수: JEDEC, AEC-Q101(자동차 등급 모델 포함), RoHS, REACH를 충족 적용 시나리오 및 설계 이점 SUD08P06-155L-BE3는 파워 매니지먼트와 신호 제어가 필요한 다양한…
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SI2316BDS-T1-BE3 Vishay Siliconix
개요 및 핵심 특징 Vishay Siliconix의 SI2316BDS-T1-BE3은 단일 소자로 설계된 고신뢰성 MOSFET으로, 전력 및 신호 제어를 위한 효율성과 안정성을 한 차원 높입니다. 이 소자는 낮은 RDS(on)으로 전도 손실을 줄이고, 빠른 스위칭 특성으로 고주파 응용에서의 성능을 강화합니다. 또한 넓은 작동 온도 및 전압 범위를 지원해 까다로운 전기적/열적 조건에서도 안정적인 동작을 유지합니다. 제작 공정은 Vishay의 첨단 실리콘 공정을 기반으로 하여, 전력 변환 및 정밀 전력 제어에서 높은 효율을 달성합니다. 다양한 표준 패키지로 제공되므로 레이아웃의 융통성과 설계 편의성이 크게 향상됩니다. 품질 및 신뢰성 측면에서는 JEDEC, AEC-Q101(자동차 등급 모델), RoHS, REACH와의 일치를 통해 자동차 및 산업용 애플리케이션에서도 신뢰할 수 있는 선택으로 평가됩니다. 주요 특징 저 RDS(on)로 전도 손실 축소 및 시스템 효율 개선 고주파 응용에 적합한 빠른 스위칭 성능 열 저항이 낮고 열 방출이 우수한 열적 안정성 넓은 작동 전압 및 온도 범위 TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준…
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SIRA60DP-T1-GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SIRA60DP-T1-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터(FET, MOSFET) 단품으로 효율적 전력 및 신호 제어 Vishay Siliconix는 전력 MOSFET, 파워 IC 및 디스크리트 솔루션 분야에서 널리 인정받는 브랜드로, 전력 효율성, 열 성능, 장기 신뢰성에 중점을 두고 있습니다. SIRA60DP-T1-GE3는 이러한 DNA를 바탕으로 고성능 트랜지스터-전력 MOSFET 단품으로 설계되어, 낮은 컨덕션 손실과 빠른 스위칭 특성을 제공하며 열 조건이 까다로운 환경에서도 안정적으로 작동합니다. 이 부품은 Vishay의 첨단 실리콘 공정을 활용해 효율적인 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 넓은 작동 범위에서 가능하게 합니다. 또한 TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 산업 표준 패키지로 제공되어 현대 파워/신호 제어 설계에서 PCB 레이아웃의 유연성과 통합 용이성을 높입니다. 주요 특징 저 RDS(on): 도통 손실을 최소화해 시스템 효율 향상에 기여 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에 최적화된 전환 속도 열 안정성: 낮은 열 저항과 우수한 방열 특성으로 긴 작동 수명 보장 넓은 작동 범위: 전압 및 온도 확장에도 견딜 수…
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SQM25N15-52_GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SQM25N15-52_GE3는 고신뢰성 트랜지스터- FETs, MOSFETs 단일 소자로, 낮은 전도 손실과 빠른 스위칭 특성, 그리고 열적 안정성을 결합해 까다로운 전력 제어 요구를 충족합니다. 이 소자는 Vishay의 첨단 실리콘 공정을 적용해 다양한 작동 시나리오에서 효율적 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 가능하게 하며, 자동차, 산업, 소비자 전자 및 컴퓨팅 분야의 설계에 폭넓은 유연성을 제공합니다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 전도 손실을 줄여 시스템 효율 향상 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에 적합한 스위칭 속도 제공 열적 안정성: 낮은 열저항과 뛰어난 방열 설계로 고열에서도 안정성 유지 넓은 작동 범위: 확장된 전압 및 온도 범위에서의 신뢰성 보장 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 설계 편의성 증가 품질 및 규격 준수: JEDEC, AEC-Q101(자동차 등급 모델), RoHS 및 REACH 준수 적용 분야 전력 관리: DC-DC 컨버터, 로드 스위치, 파워 모듈 자동차 전자: 차체 전자, 인포테인먼트, 조명, 전기차 서브시스템 산업…
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SIHJ8N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SIHJ8N60E-T1-GE3 — High-Reliability Transistors - FETs, MOSFETs - Single for Efficient Power and Signal Control 제품 개요 및 특징 Vishay Siliconix SIHJ8N60E-T1-GE3은 단일 고신뢰성 MOSFET으로서 전력 변환과 신호 제어를 동시에 효율적으로 수행하도록 설계되었습니다. 저도통손실과 빠른 스위칭 특성을 바탕으로 다양한 전력 관리 애플리케이션에서 안정적인 동작을 제공하며, 엄격한 열 조건에서도 성능 저하를 최소화합니다. 이 소자는 Vishay의 정교한 실리콘 공정을 적용해 고온에서도 신뢰성 있는 작동을 보장하고, 폭넓은 작동 전압과 온도 범위를 지원합니다. 또한 TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 산업 표준 패키지로 제공되어 기존 보드 레이아웃에 쉽게 통합할 수 있습니다. 주요 특징 저 RDS(on): 도통 손실을 줄여 시스템 효율성 향상 빠른 스위칭 성능: 고주파 애플리케이션에 적합한 응답 속도 열 안정성: 낮은 열저항 및 효과적인 발열 관리로 신뢰성 높은 작동 넓은 동작 범위: 전압 및 온도 조건의 확장된 커버리지 패키지 다양성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 다양한 표준…
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SIHA240N60E-GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SIHA240N60E-GE3: 고신뢰성 트랜지스터로 효율적 전력 및 신호 제어 실현 Vishay Siliconix는 고성능 MOSFET과 전력 IC, 디스크리트 솔루션 분야에서 오랜 전통과 신뢰성을 자랑하는 브랜드로, 전력 효율성과 열 성능, 장기 신뢰성에 중점을 두고 있습니다. SIHA240N60E-GE3는 이러한 연구 개발 역량이 집약된 단일 게이트 트랜지스터- FET로, 낮은 RDS(on), 빠른 스위칭 특성, 열 및 전기적 스트레스 하에서도 안정적인 동작을 제공합니다. 다양한 작동 조건에서 효율적 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 가능하게 하며, 현대의 파워 관리 설계에 유연성을 제공합니다. 또한 표준 산업 패키지로 제공되어 PCB 레이아웃과 실장 설계가 용이합니다. 주요 특징 저 RDS(on)로 도통 손실 감소 및 효율 향상 빠른 스위칭 성능으로 고주파 응용에 적합 열 안정성 우수 및 견고한 방열 특성 넓은 동작 범위로 전압 및 온도 조건의 확장성 확보 패키지 다양성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 설계 융통성 강화 품질 및 규정 준수: JEDEC, AEC-Q101(오토모티브 등급…
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SIHB12N60E-GE3 Vishay Siliconix
개요 및 주요 특징 Vishay Siliconix는 전력 반도체 분야에서 오랜 전통과 신뢰를 쌓아온 브랜드로, 고성능 MOSFET과 파워 IC, 디스크리트 솔루션에 집중합니다. SIHB12N60E-GE3는 단일 채널의 고신뢰성 트랜지스터-전력 MOSFET으로서, 낮은 RDS(on)으로 작동 손실을 줄이고, 빠른 스위칭 특성으로 고주파 응용에서의 효율을 높이며, 열 관리가 어려운 환경에서도 안정적으로 작동하도록 설계되었습니다. 이 소자는 Vishay의 첨단 실리콘 공정을 통해 구성되어 폭넓은 작동 전압과 온도 범위에서 정밀한 전력 제어를 가능하게 합니다. 또한 TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 다양한 산업 표준 패키지로 제공되어 보드 레이아웃의 유연성을 크게 높입니다. 품질과 규정 준수 측면에서도 JEDEC 표준, AEC-Q101(자동차용 모델), RoHS, REACH를 충족해 자동차·산업·소비자 전자 분야에서의 신뢰성을 확보합니다. 적용 시나리오 전력 관리 분야에서 SIHB12N60E-GE3는 DC-DC 컨버터, 로드 스위치, 파워 모듈 등에 이상적입니다. 저손실 구동과 빠른 스위칭 덕에 고밀도 전력 변환 시스템에서 발열과 EMI를 효과적으로 관리할 수 있습니다. 자동차 전자장치에서는 차체 전자, 인포테인먼트, 조명 시스템, 전기차 서브시스템의 전력…
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SIA436DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix SIA436DJ-T1-GE3 – 고신뢰성 트랜지스터 FET, MOSFET – 효율적인 전력 및 신호 제어를 위한 단일 소자 Vishay Siliconix는 전력 효율성, 열 성능 및 장기적인 신뢰성에 강한 집중을 가진 반도체 브랜드로, 다양한 산업 분야에서 널리 채택되고 있습니다. Vishay Siliconix의 제품은 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 애플리케이션에서 뛰어난 성능을 발휘합니다. 이번에 소개할 SIA436DJ-T1-GE3는 고성능 트랜지스터로, 전력 변환과 정밀한 전력 제어가 필요한 다양한 응용 분야에서 중요한 역할을 합니다. SIA436DJ-T1-GE3의 특징 낮은 RDS(on) SIA436DJ-T1-GE3는 낮은 드레인-소스 온 저항(RDS(on))을 자랑하여 전도 손실을 최소화합니다. 이를 통해 효율적인 전력 변환이 가능하고, 전력 소비를 줄여 시스템의 전반적인 성능을 향상시킵니다. 빠른 스위칭 성능 이 소자는 고주파수 애플리케이션에 최적화된 빠른 스위칭 성능을 제공합니다. 고속 스위칭을 요구하는 전자 시스템에서 신뢰할 수 있는 동작을 보장하며, 전자기기에서의 처리 속도와 효율성을 크게 향상시킵니다. 우수한 열 안정성 SIA436DJ-T1-GE3는 낮은 열 저항과 우수한 열 방출 성능을 통해 열 안정성이 뛰어납니다.…
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