IRFD9010PBF — 고신뢰성 트랜지스터/전력 MOSFET의 새로운 표준 IRFD9010PBF는 Vishay Siliconix가 선보이는 단일 고성능 MOSFET로, 낮은 컨덕션 손실과 빠른 스위칭 특성, 그리고 까다로운 열 조건에서도 안정적인 작동을 구현합니다. 전력 변환의 효율과 제어 정확성을 동시에 요구하는 현대 회로에서, 이 소자는 고주파 구동과 고전압/고온 환경에서도 신뢰도 높은 성능을 제공합니다. 다양한 프로세스 기술로 설계된 이 기기는 현대의 전력 및 신호 제어 설계에 필요한 유연성과 견고함을 갖추고 있습니다. 주요 특징 저 RDS(on)로 컨덕션 손실 감소: 전력 손실을 최소화하여 전력 변환 효율을 높이고 발열 관리의 부담을 줄입니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에 최적화되어 전력 변환 모듈의 응답 속도와 제어 정밀도를 개선합니다. 열 안정성: 낮은 열저항과 견고한 방열 특성으로 고부하 상태에서도 작동 신뢰성을 유지합니다. 광범위한 작동 범위: 고전압 및 고온 환경에서도 안정적인 동작을 지원합니다. 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 구성되어 PCB 레이아웃의 융통성과 설계 편의성을 제공합니다. 품질 및…
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Vishay Siliconix
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Vishay Siliconix SQJQ112ER-T1_GE3 — 고신뢰성 트랜지스터: 효율적인 전력 및 신호 제어를 위한 MOSFET Vishay Siliconix는 전 세계에서 인정받는 반도체 브랜드로, 고성능 MOSFET, 파워 IC, 이산 반도체 솔루션을 전문적으로 생산합니다. Vishay는 전력 효율성, 열 성능, 장기적인 신뢰성에 강력한 집중을 하고 있으며, 자동차, 산업, 소비자, 컴퓨팅 분야에 광범위하게 적용되는 제품을 제공합니다. 그 중 SQJQ112ER-T1_GE3 모델은 전력 변환 및 정밀 전력 제어를 위한 고성능 트랜지스터로, 높은 전력 효율성 및 신뢰성을 자랑합니다. 주요 특징 낮은 RDS(on) SQJQ112ER-T1_GE3는 낮은 RDS(on) 값을 제공하여 전도 손실을 줄이고, 시스템의 전력 효율성을 크게 향상시킵니다. 이는 고효율 전력 변환 및 제어를 위한 중요한 특성으로, 에너지 손실을 최소화하여 더 나은 시스템 성능을 보장합니다. 빠른 스위칭 성능 이 MOSFET는 고주파 응용 분야에 최적화되어 빠른 스위칭 성능을 제공합니다. 고속 스위칭은 효율적인 전력 제어와 더불어, 시스템의 응답 속도를 개선하여 다양한 전자 시스템에서 효과적인 작동을 보장합니다. 열 안정성 낮은 열…
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Vishay Siliconix SIS438DN-T1-GE3는 단일 형태의 고신뢰성 FET로, 낮은 전도 손실과 빠른 스위칭 특성, 열적 안정성을 한 번에 제공하도록 설계되었습니다. Vishay Siliconix의 강력한 파워 반도체 포트폴리오는 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 분야에서의 긴 수명·높은 신뢰성 요구를 충족하며, SIS438DN-T1-GE3는 효율적인 전력 변환과 정밀한 제어를 가능하게 하는 핵심 소자입니다. 이 소자는 최적의 전력 관리와 신호 제어를 위한 폭넓은 운용 범위를 지니고 있으며, 최신 실리콘 공정 기술로 구현되어 다양한 작동 상황에서도 견고한 동작을 보장합니다. 또한 다양한 업계 표준 패키지로 제공되어 PCB 레이아웃을 유연하게 구성하고 현대의 파워/신호 제어 설계에 쉽게 통합될 수 있습니다. 주요 특징과 설계 이점 낮은 RDS(on)으로 작동 중 전도 손실 감소와 효과적인 효율 향상 빠른 스위칭 성능으로 고주파 응용에 최적화 열 저항이 낮고 열 분산이 우수한 열 안정성으로 고온 환경에서도 안정적인 동작 넓은 작동 전압/온도 범위로 다양한 설계 시나리오 대응 TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지에서…
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Vishay Siliconix SIHB33N60ET5-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터: 효율적인 전력 및 신호 제어를 위한 FET, MOSFET Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology의 일환으로 고성능 MOSFET, 전력 IC 및 이산 반도체 솔루션을 전문으로 하는 유명한 반도체 브랜드입니다. 이 브랜드는 전력 효율성, 열 성능, 그리고 장기적인 신뢰성에 중점을 두고 있으며, 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 응용 프로그램에서 널리 사용됩니다. Vishay Siliconix SIHB33N60ET5-GE3 개요 Vishay Siliconix의 SIHB33N60ET5-GE3는 고성능 트랜지스터로, 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 성능, 그리고 열적 안정성을 제공합니다. 이 장치는 Vishay의 첨단 실리콘 공정을 통해 설계되어, 다양한 전기적 및 열적 조건 하에서도 안정적인 동작을 보장하며 효율적인 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 지원합니다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 전도 손실을 최소화하여 높은 효율성을 제공합니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용 프로그램에 최적화되어 있습니다. 열적 안정성: 낮은 열 저항과 우수한 열 분산 성능을 자랑합니다. 넓은 동작 범위: 확장된 전압 및 온도 범위를 지원하여 다양한 환경에서…
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Vishay Siliconix SI7309DN-T1-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터(FET/MOSFET) 단일 소자: 효율적인 전력 및 신호 제어 Vishay Siliconix는 고성능 MOSFET, 파워 IC 및 디 cre트 솔루션으로 잘 알려진 브랜드로서, 전력 효율, 열 성능, 장기 신뢰성에 중점을 둔 제품군을 제공합니다. SI7309DN-T1-GE3는 이러한 철학을 담아 설계된 단일 고성능 MOSFET로, 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 특성, 그리고 엄격한 열 조건에서도 안정적으로 작동하도록 구성되었습니다. Vishay의 첨단 실리콘 공정을 바탕으로 만들어져 다양한 구동 환경에서 효율적인 전력 변환과 정밀한 파워 제어를 지원합니다. 여러 산업 표준 패키지로 제공되어 현대의 전력 및 신호 제어 설계에 유연한 PCB 레이아웃과 손쉬운 통합을 가능하게 합니다. 특징 요약 및 동작 원리 Low RDS(on) 저저항: 전도 손실을 줄여 시스템 효율을 높임. Fast Switching 성능: 고주파 응용에 적합한 전환 속도 제공. 열 안정성: 낮은 열 저항과 우수한 방열 특성으로 안정적인 동작 유지. 넓은 작동 범위: 다양한 전압 및 온도 조건에서 신뢰성 있는…
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Vishay Siliconix SI1403BDL-T1-E3 — 고신뢰성 트랜지스터(FET, MOSFET) 단일 소자, 효율적 전력 및 신호 제어를 위한 솔루션 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology 산하의 잘 알려진 반도체 브랜드로, 고성능 MOSFET, 파워 IC 및 디 discrete 솔루션에 특화되어 있습니다. 전력 효율성, 열 성능, 장기 신뢰성에 대한 강한 집중으로 자동차, 산업, 가전 및 컴퓨팅 분야에서 널리 채택되고 있습니다. SI1403BDL-T1-E3는 이러한 배경에서 개발된 고성능 MOSFET으로, 낮은 컨덕션 손실과 빠른 스위칭 특성, 그리고 까다로운 전기적·열적 조건에서도 안정적인 작동을 제공합니다. 이 소자는 Vishay의 최첨단 실리콘 공정으로 설계되어, 폭넓은 작동 시나리오에서 효율적인 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 가능하게 합니다. 핵심 기술 포인트 및 설계 특징 낮은 RDS(on): 도통 손실이 적어 시스템 효율을 높여 주며, 열 관리 부담을 줄여 줍니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용 분야에서 우수한 전환 속도를 제공하여 크로스오버 손실을 최소화합니다. 열 안정성: 낮은 열 저항 값과 강력한 열 방출 특성으로 고부하에서도 안정적으로…
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개요 Vishay Siliconix의 SQD15N06-42L_T4GE3는 단일형 고신뢰성 트랜지스터(FET, MOSFET)로, 전력 및 신호 제어에서 낮은 구동 손실과 빠른 스위칭 특성, 그리고 극한의 전기적‧열적 조건에서도 안정적인 동작을 제공하도록 설계되었습니다. Vishay의 첨단 실리콘 공정으로 제조되어 폭넓은 전력 변환과 정밀한 전력 제어에 적합하며, 다양한 작동 시나리오에서 효율성을 극대화합니다. 이 소자는 표준 산업 패키지로 제공되어 현대 파워/신호 제어 설계의 PCB 레이아웃과 통합을 유연하게 지원합니다. TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 여러 패키지 옵션을 통해 설계 여유를 확보하고, 제조 및 조립 공정과의 호환성도 높였습니다. 주요 특징과 적용 분야 주요 특징 저 RDS(on): 전도 손실을 줄여 시스템 효율성을 향상시킵니다. 빠른 스위칭 퍼포먼스: 고주파 애플리케이션에서도 안정적인 동작을 보장합니다. 열 안정성: 낮은 열 저항과 효과적인 방열 특성으로 고부하 상황에서도 신뢰도를 유지합니다. 폭 넓은 작동 범위: 다양한 전압·온도 조건에서 성능을 발휘합니다. 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 설계 자유도가 높습니다. 품질 및 규정 준수:…
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Vishay Siliconix SI2301BDS-T1-BE3는 고효율 전력 및 신호 제어를 위한 단일 채널 MOSFET으로, 낮은 전도 손실과 빠른 스위칭 특성을 구현합니다. 이 부품은 Vishay Intertechnology 산하의 Vishay Siliconix 브랜드가 추구하는 고성능 파워 솔루션의 한 축으로, 자동차, 산업, 가전 및 컴퓨팅 애플리케이션에서 긴 수명과 안정적인 동작을 목표로 설계되었습니다. ICHOME은 100% 정품 Vishay Siliconix 부품을 제공하며 SI2301BDS-T1-BE3 시리즈의 공급과 지원에 있어 인증된 소싱, 경쟁력 있는 가격, 부품 선정에 대한 기술 지원, 전 세계 신속 배송을 약속합니다. 개요 Vishay Siliconix는 고효율 전력 MOSFET, 파워 IC 및 디스크리트 반도체 솔루션 분야에서 오랜 역사를 가진 브랜드로, 열 성능, 안정성, 신뢰성에 중점을 두고 있습니다. SI2301BDS-T1-BE3은 이러한 철학을 바탕으로 설계되어, 다양한 작동 조건에서도 낮은 RDS(on)과 우수한 열 특성을 유지하면서 효율적인 전력 변환과 정밀한 제어를 가능하게 합니다. 또한 TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 업계 표준 패키지로 제공되어 PCB 레이아웃의 융통성과 설계 편의성을 극대화합니다. 품질과 규격은…
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Vishay Siliconix SIHP21N60EF-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터로 효율적인 전력 및 신호 제어 Vishay Siliconix는 고성능 MOSFET, 전력 IC, 및 분리형 반도체 솔루션을 전문으로 하는 Vishay Intertechnology의 브랜드입니다. 이 회사는 전력 효율성, 열 성능 및 장기적인 신뢰성에 중점을 둔 제품을 제공하며, 자동차, 산업, 소비자, 컴퓨팅 응용 분야에서 널리 사용됩니다. Vishay Siliconix의 SIHP21N60EF-GE3 모델은 높은 성능의 트랜지스터로, 저전도 손실, 빠른 스위칭 성능, 그리고 까다로운 전기적 및 열적 조건에서도 안정적인 작동을 보장합니다. 이 제품은 효율적인 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 지원하는 특징을 지니고 있습니다. 핵심 기능 저 RDS(on) (저전도 손실) SIHP21N60EF-GE3는 낮은 RDS(on)을 제공하여 전도 손실을 최소화하고, 그 결과 높은 효율성을 보장합니다. 이는 특히 전력 소비가 중요한 시스템에서 유리하게 작용합니다. 빠른 스위칭 성능 이 MOSFET는 고주파 응용 프로그램에 최적화된 빠른 스위칭 성능을 제공합니다. 빠른 스위칭은 전력 변환의 효율을 높이고, 시스템의 동작을 안정적으로 유지하는 데 중요한 역할을 합니다. 열 안정성…
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Vishay Siliconix SI7636DP-T1-GE3 — 효율적인 전력 및 신호 제어를 위한 고신뢰성 트랜지스터 Vishay Siliconix는 고성능 MOSFETs, 전력 ICs 및 이산 반도체 솔루션을 전문으로 하는 Vishay Intertechnology의 자회사로, 전력 효율성, 열 성능 및 장기적인 신뢰성에 강한 초점을 맞춘 제품을 제공합니다. Vishay Siliconix의 제품은 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 응용 분야에서 널리 사용되고 있습니다. 그 중에서도 SI7636DP-T1-GE3는 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 지원하는 뛰어난 성능을 자랑하는 트랜지스터입니다. SI7636DP-T1-GE3의 주요 특징 Vishay Siliconix의 SI7636DP-T1-GE3는 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 성능, 안정적인 작동을 제공하는 고성능 트랜지스터입니다. 이 부품은 Vishay의 고급 실리콘 공정을 사용하여 설계되었으며, 다양한 전기적 및 열적 조건에서도 효율적인 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 지원합니다. 이 장치는 높은 주파수 응용 분야에 최적화되어 있으며, 열 저항이 낮고 열 방출이 우수하여 안정적인 작동을 보장합니다. 낮은 RDS(on): 전도 손실 감소로 효율성 향상 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용 분야에 최적화 열 안정성:…
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