Vishay Siliconix SI2304DDS-T1-BE3 — 고신뢰성 트랜지스터(FET)로 효율적 전력 및 신호 제어의 새로운 기준 현대 전력 관리 설계에서 작은 면적에 큰 성능을 담아내는 MOSFET의 역할은 날이 갈수록 커지고 있습니다. Vishay Siliconix의 SI2304DDS-T1-BE3는 저전도 손실과 빠른 스위칭 특성, 고온에서도 안정적인 동작을 통해 다양한 전력 변환 및 신호 제어 애플리케이션에서 신뢰성과 효율을 동시에 제공합니다. 이 기기는 Vishay의 진보된 실리콘 공정으로 제작되어 폭넓은 작동 범위를 커버하고, 경쟁력 있는 열 관리 성능과 함께 설계 유연성을 제공합니다. 주요 특징 Low RDS(on): 도전 손실을 최소화해 시스템의 전체 효율을 향상 Fast Switching Performance: 고주파 애플리케이션에 적합한 신속한 스위칭 Thermal Stability: 낮은 열저항과 우수한 발열 관리로 안정성 강화 Wide Operating Range: 넓은 전압 및 온도 범위에서 신뢰성 유지 Package Flexibility: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 산업 표준 패키지 다양성 Quality
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Vishay Siliconix
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Vishay Siliconix SIDR626DP-T1-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터, 효율적인 전력 및 신호 제어를 위한 단일 MOSFET Vishay Intertechnology의 자회사인 Vishay Siliconix는 고성능 MOSFET, 전력 IC, 디스크리트 반도체 솔루션을 전문으로 하는 신뢰할 수 있는 반도체 브랜드입니다. 이 회사는 전력 효율, 열 성능, 장기 신뢰성에 집중하며, 자동차, 산업, 소비자, 컴퓨팅 분야에서 폭넓게 활용되는 제품을 제공합니다. SIDR626DP-T1-GE3는 Vishay Siliconix가 설계한 고성능 단일 MOSFET 트랜지스터로, 낮은 도통 손실과 빠른 스위칭 특성을 제공하며, 까다로운 전기적·열적 환경에서도 안정적인 동작을 보장합니다. 첨단 실리콘 공정을 적용하여 설계된 이 제품은 다양한 작동 조건에서도 효율적인 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 지원합니다. 또한, 여러 산업 표준 패키지로 제공되어 PCB 설계의 유연성을 높이고 현대적인 전력 및 신호 제어 설계에 손쉽게 통합할 수 있습니다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 도통 손실을 최소화하여 높은 효율 달성 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에 최적화 열 안정성: 낮은 열저항과 강력한 열 방출 넓은 동작 범위:…
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Vishay Siliconix SI1416EDH-T1-BE3 — 효율적인 전력 및 신호 제어를 위한 고신뢰성 트랜지스터 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology의 자회사로, 고성능 MOSFETs, 전력 ICs 및 이산 반도체 솔루션을 전문으로 하는 브랜드입니다. 전력 효율성, 열 성능 및 장기적인 신뢰성에 강력히 집중하고 있는 Vishay Siliconix의 제품들은 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨터 응용 프로그램에서 널리 채택되고 있습니다. 그 중 Vishay Siliconix SI1416EDH-T1-BE3는 전력 및 신호 제어 시스템에서 높은 효율성과 안정적인 성능을 제공합니다. SI1416EDH-T1-BE3: 높은 효율성과 빠른 스위칭 성능 Vishay Siliconix SI1416EDH-T1-BE3는 낮은 전도 손실과 빠른 스위칭 성능을 제공하는 고성능 트랜지스터입니다. 이 MOSFET은 Vishay의 고급 실리콘 공정을 사용하여 설계되었으며, 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 지원합니다. 특히 고주파 응용에서 최적화된 성능을 발휘하며, 요구 사항이 까다로운 전기적 및 열적 조건에서도 안정적인 작동을 보장합니다. 이 MOSFET은 낮은 온 저항(RDS(on))을 특징으로 하여 전도 손실을 줄이고, 결과적으로 시스템의 효율성을 향상시킵니다. 또한, 뛰어난 열 안정성으로 열 저항이 낮고…
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Vishay Siliconix IRL620SPBF — 고신뢰성 트랜지스터 - FET, MOSFET - 효율적인 전력 및 신호 제어를 위한 단일 소자 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology의 산하 브랜드로, 고성능 MOSFET, 전력 IC, 그리고 이산 반도체 솔루션을 전문적으로 제조하는 회사입니다. 전력 효율성, 열 성능 및 장기적인 신뢰성에 중점을 둔 제품들을 통해 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 분야에서 널리 사용되고 있습니다. 그 중에서도 Vishay Siliconix IRL620SPBF는 뛰어난 전력 제어 능력과 효율성을 제공하는 고성능 MOSFET로, 다양한 전기적 및 열적 조건에서 안정적인 동작을 보장합니다. IRL620SPBF의 주요 특징 낮은 RDS(on): IRL620SPBF는 낮은 온 저항(RDS(on))을 제공하여 전도 손실을 최소화합니다. 이로 인해 높은 효율성을 자랑하며, 전력 소비가 중요한 설계에서 뛰어난 성능을 발휘합니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파수 애플리케이션에 최적화된 설계를 통해, IRL620SPBF는 빠른 스위칭 속도를 제공합니다. 이는 전력 변환 효율을 높이고, 회로의 반응 속도를 개선하는 데 중요한 요소입니다. 우수한 열 안정성: 이 MOSFET는 낮은 열 저항과 우수한…
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Vishay Siliconix SIHH21N65EF-T1-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터 FET, MOSFET 단일형 효율적인 전력 및 신호 제어 Vishay Siliconix는 고성능 MOSFET, 전력 IC 및 분리형 반도체 솔루션을 전문으로 하는 Vishay Intertechnology의 하위 브랜드로, 전력 효율성, 열 성능 및 장기적인 신뢰성에 중점을 둔 제품을 제공합니다. 이러한 제품들은 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 애플리케이션에서 널리 채택되고 있습니다. Vishay Siliconix SIHH21N65EF-T1-GE3는 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 성능 및 열적 안정성을 제공하는 고성능 트랜지스터 FET, MOSFET 단일형 제품입니다. 주요 특징 낮은 RDS(on) 이 제품은 낮은 RDS(on)을 제공하여 전도 손실을 최소화하고, 그로 인해 높은 효율을 실현합니다. 전도 손실이 적을수록 시스템 전반의 에너지 효율이 높아지며, 이는 장기적으로 시스템의 안정성 향상에도 기여합니다. 빠른 스위칭 성능 SIHH21N65EF-T1-GE3는 고주파 애플리케이션에 최적화된 빠른 스위칭 성능을 자랑합니다. 이 특성 덕분에 고속으로 전력 전환을 처리할 수 있으며, 특히 DC-DC 변환기와 같은 전력 관리 시스템에서 중요한 역할을 합니다. 열적 안정성 낮은…
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Vishay Siliconix SIHD1K4N60E-GE3는 단일 고신뢰성 트랜지스터 FET으로, 저전도 손실과 빠른 스위칭 특성, 열환경이 까다로운 조건에서도 안정적으로 작동하도록 설계되었습니다. 이 부품은 Vishay의 첨단 실리콘 공정을 활용해 효율적인 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 가능하게 하며, 현대의 파워 및 신호 제어 설계에서 폭넓은 운용 범위를 제공합니다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 전도 손실을 최소화하여 시스템 효율을 높이고 열 관리 부담을 줄입니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 애플리케이션에서의 응답 속도와 제어 정밀도를 개선합니다. 열적 안정성: 낮은 열저항과 강한 방열 특성으로 고부하 조건에서도 안정적인 동작을 유지합니다. 넓은 동작 범위: 전압과 온도 범위가 확장되어 다양한 환경에서 사용이 가능합니다. 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 제공되어 PCB 레이아웃의 설계 유연성을 제공합니다. 품질 및 규격 준수: JEDEC, AEC-Q101(자동차급 모델), RoHS, REACH를 포함한 국제 표준을 충족합니다. 적용 영역 SIHD1K4N60E-GE3는 전력 관리 분야에서 DC-DC 컨버터, 로드 스위치, 파워 모듈 등에 널리 활용됩니다. 자동차 전자…
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Vishay Siliconix SI4134DY-T1-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터(FET, MOSFET) 단일 소자, 효율적 전력 및 신호 제어를 위한 선택 개요 Vishay Siliconix가 제공하는 SI4134DY-T1-GE3은 단일 소형 MOSFET로서, 낮은 전도 손실(RDS(on))과 빠른 스위칭 특성, 그리고 까다로운 전기 및 열 조건에서도 안정적인 동작을 실현하도록 설계되었습니다. 이 부품은 Vishay가 보유한 첨단 실리콘 공정 기술을 바탕으로 전력 변환 효율을 높이고, 폭넓은 작동 조건에서 정밀한 파워 컨트롤을 가능하게 합니다. 다양한 산업 표준 패키지로 제공되어 PCB 설계의 융통성과 구현 편의성을 높이며, 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 분야의 애플리케이션에 폭넓게 적용됩니다. 주요 특징 및 적용 분야 주요 특징 저 RDS(on): 전도 손실을 최소화해 시스템 효율을 향상합니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 애플리케이션에 최적화된 전환 속도를 제공합니다. 열 안정성: 낮은 열 저항과 우수한 방열 특성으로 고부하 환경에서도 안정적 동작을 유지합니다. 넓은 작동 범위: 전압과 온도 조건이 넓은 범위에서 신뢰성 있게 작동합니다. 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO…
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Vishay Siliconix SIHP18N60E-GE3 — 고신뢰성 MOSFET으로 효율적 전력 및 신호 제어 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology 산하의 대표적인 파워 MOSFET, 파워 IC, 이산 반도체 솔루션 브랜드로서, 전력 효율성, 열 성능, 장기 신뢰성에 중점을 둔 설계로 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 분야에 널리 채택되고 있다. SIHP18N60E-GE3는 이러한 철학을 바탕으로 고성능 트랜지스터- FET, MOSFET 단일 소자로서 낮은 도통 손실과 빠른 스위칭 특성, 열 악조건에서도 안정적인 작동을 제공하도록 설계되었다. 실리콘 공정의 최신 기술을 활용해 전력 변환 및 제어를 효율적으로 수행하며, 다양한 운영 시나리오에서 일관된 성능을 보인다. 표준 산업패키지로 제공되어 PCB 레이아웃의 융통성과 현대 파워/신호 제어 디자인에의 통합이 용이하다. 주요 특징 저 RDS(on)로 도통 손실 감소와 고효율 실현 빠른 스위칭 성능으로 고주파 애플리케이션에 최적화 열 안정성: 낮은 열저항과 우수한 방열 특성으로 고온 환경에서도 견고 넓은 작동 범위: 확장된 전압 및 온도 조건에서의 안정적 동작 지원 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK,…
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Vishay Siliconix SQJA38EP-T1_GE3 — 고신뢰성 트랜지스터, 효율적인 전력 및 신호 제어를 위한 FET, MOSFET Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology의 자회사로, 고성능 MOSFET, 전력 IC 및 이산 반도체 솔루션을 전문으로 하는 잘 알려진 반도체 브랜드입니다. 이 회사는 전력 효율성, 열 성능 및 장기적인 신뢰성에 중점을 둔 제품을 제공하며, 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 분야에서 널리 채택되고 있습니다. Vishay Siliconix의 SQJA38EP-T1_GE3는 전력 및 신호 제어 시스템에서 중요한 역할을 하는 고성능 트랜지스터로, 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 성능 및 안정적인 작동을 제공합니다. 핵심 기능 낮은 RDS(on): SQJA38EP-T1_GE3는 전도 손실을 최소화하여 높은 효율성을 자랑합니다. 이로 인해 시스템의 에너지 손실이 줄어들고, 더 나은 전력 효율을 실현할 수 있습니다. 빠른 스위칭 성능: 이 트랜지스터는 고주파 응용 분야에 최적화되어 있어 빠른 스위칭 성능을 제공합니다. 이 특성은 고속 동작이 요구되는 시스템에서 필수적인 기능입니다. 열 안정성: 낮은 열 저항과 강력한 열 방출 성능을 갖춘 이…
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Vishay Siliconix SISA14DN-T1-GE3: 고신뢰성 FET으로 효율적 전력 및 신호 제어 개요 및 브랜드 소개 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology 산하의 대표적인 파워 MOSFET, 파워 IC 및 디스크리트 반도체 솔루션 공급업체로서, 전력 효율성, 열 성능 및 신뢰성에 중점을 두고 왔다. 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 분야에서 널리 채택되는 이 브랜드는 열 관리와 긴 수명 주기에 걸친 안정적인 작동을 핵심 강점으로 삼아 왔다. SISA14DN-T1-GE3는 이러한 결합된 강점 위에 설계된 고성능 단일 MOSFET으로, 낮은 전도 손실과 빠른 스위칭 특성을 바탕으로 다양한 전력 변환 및 신호 제어 애플리케이션에서 신뢰성 높은 성능을 제공합니다. 주요 특징 및 설계 이점 SISA14DN-T1-GE3는 Vishay의 첨단 실리콘 공정으로 제작되어 폭넓은 작동 조건에서 효율적 전력 관리와 정밀 제어를 가능하게 합니다. 주요 이점은 다음과 같습니다. Low RDS(on): 전도 손실을 줄여 시스템 효율 향상 Fast Switching Performance: 고주파 애플리케이션에 최적화된 신속한 스위칭 Thermal Stability: 낮은 열저항과 우수한 열 방출로…
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