Vishay Siliconix SQM40014EM_GE3 — 고신뢰성 트랜지스터(FET, MOSFET) 단일 패키지로 효율적 전력 및 신호 제어 개요 및 주요 특징 Vishay Siliconix의 SQM40014EM_GE3는 고성능 트랜지스터- FET, MOSFET 단일 소자로 설계되어 낮은 전도 손실과 빠른 스위칭 특성을 제공합니다. 이 부품은 Vishay의 첨단 실리콘 공정을 바탕으로 구성되어 전력 변환 효율을 높이고, 다양한 작동 조건에서 안정적인 동작을 보장합니다. RDS(on)가 낮아 전도 손실을 최소화하고, 고주파 응용에서 최적의 스위칭 속도를 제공합니다. 열적 안정성도 우수하여 낮은 열 저항과 뛰어난 방열 특성을 갖추고 있으며, 폭넓은 전압 및 온도 범위를 지원합니다. 패키지 측면에서도 TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 산업 표준 패키지로 다양하게 제공되어 설계 유연성을 높이며, 고객의 PCB 레이아웃과 실장 옵션에 쉽게 맞출 수 있습니다. 품질과 규정 준수 측면에서도 JEDEC, AEC-Q101(자동차 등급의 모델), RoHS 및 REACH를 충족하여 자동차 및 산업용 애플리케이션에서의 신뢰성을 확보합니다. 적용 분야 SQM40014EM_GE3는 전력 관리 및 신호 제어의 폭넓은 영역에서 사용됩니다. 전력…
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Vishay Siliconix
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Vishay Siliconix SIRA84DP-T1-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터: 효율적인 전력 및 신호 제어를 위한 MOSFET Vishay Siliconix는 고성능 MOSFET, 전력 IC 및 이산 반도체 솔루션을 전문으로 하는 Vishay Intertechnology의 자회사로, 전력 효율성, 열 성능 및 장기적인 신뢰성에 대한 강력한 집중으로 잘 알려져 있습니다. Vishay Siliconix의 제품은 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 응용 프로그램에서 널리 채택되고 있습니다. 그 중에서도 SIRA84DP-T1-GE3는 우수한 성능을 자랑하는 고성능 트랜지스터로, 전력 및 신호 제어에서 중요한 역할을 합니다. SIRA84DP-T1-GE3의 주요 특징 저 RDS(on) SIRA84DP-T1-GE3는 낮은 드레인-소스 저항(RDS(on))을 제공하여 전도 손실을 최소화합니다. 이는 높은 효율성을 요구하는 전력 관리 시스템에서 중요한 요소로 작용하며, 전체 시스템의 에너지 손실을 줄여줍니다. 빠른 스위칭 성능 이 MOSFET는 고주파수 애플리케이션에 최적화된 빠른 스위칭 성능을 자랑합니다. 빠른 스위칭은 높은 전력 밀도를 요구하는 애플리케이션에서 중요한 역할을 하며, 전력 변환 효율성을 더욱 향상시킵니다. 우수한 열 안정성 낮은 열 저항과 뛰어난 열 방출 특성을 통해…
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Vishay Siliconix SI2312BDS-T1-BE3 — 고신뢰성 트랜지스터: 효율적인 전력 및 신호 제어를 위한 MOSFET Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology의 일원으로, 고성능 MOSFET, 전력 IC, 분리형 반도체 솔루션을 전문으로 하는 브랜드입니다. 이 브랜드는 전력 효율성, 열 성능 및 장기적인 신뢰성에 강력한 중점을 두고 있으며, 그 제품들은 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨터 응용 분야에서 널리 사용되고 있습니다. SI2312BDS-T1-BE3의 특징 Vishay Siliconix SI2312BDS-T1-BE3는 전력 전환 효율성과 정확한 전력 제어를 지원하는 고성능 트랜지스터입니다. 이 제품은 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 성능 및 열적인 안정성을 자랑하며, 복잡한 전기적 및 열적 조건에서도 안정적인 작동을 보장합니다. Vishay의 고급 실리콘 공정을 통해 설계된 SI2312BDS-T1-BE3는 다양한 운영 시나리오에서 효율적인 전력 변환을 지원합니다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 전도 손실을 최소화하여 더 높은 효율성을 제공합니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 애플리케이션에 최적화되어 있습니다. 열적 안정성: 낮은 열 저항과 강력한 열 방산 성능을 제공합니다. 넓은 동작 범위: 확장된 전압 및…
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Vishay Siliconix SQJ423EP-T1_GE3 — 고신뢰성 트랜지스터(FET)로 효율적 전력 및 신호 제어를 실현하는 싱글 소자 Vishay Siliconix는 파워 MOSFET, 파워 IC 및 이산 반도체 솔루션 분야에서 긴 역사를 가진 브랜드로, 전력 효율과 열 성능, 장기 신뢰성에 집중하는 특징이 있습니다. SQJ423EP-T1_GE3는 이러한 강점을 바탕으로 낮은 전도 손실과 빠른 스위칭 특성, 그리고 까다로운 열환경에서도 안정적으로 작동하도록 설계된 단일 트랜지스터- FET입니다. 이 부품은 고성능 파워 컨버전트와 정밀한 파워 제어를 필요로 하는 다양한 시나리오에서 효율성을 극대화하도록 고안되었습니다. 주요 특징 저 RDS(on): 도통 손실을 줄여 시스템 전반의 효율 향상에 기여 빠른 스위칭 성능: 고주파 애플리케이션에 최적화되어 전력 변환 품질 개선 열 안정성: 낮은 열 저항과 우수한 방열 특성으로 고온에서도 안정적 동작 넓은 동작 범위: 전압 및 온도 범위가 넓어 다양한 조건에서 신뢰성 유지 패키지 다양성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 제공되어 레이아웃과 설계의 유연성 증가 품질 및 규정 준수:…
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Vishay Siliconix SQJA76EP-T1_GE3는 단일형 고신뢰성 트랜지스터-펫(FET, MOSFET)으로, 전력과 신호 제어를 위한 효율적 전력 변환과 안정적인 동작을 목표로 설계되었습니다. 이 부품은 Vishay Siliconix의 첨단 실리콘 공정으로 만들어져 높은 전력 밀도와 뛰어난 열 성능을 제공합니다. 다양한 산업 환경에서 필요한 안정성, 신뢰성, 그리고 설계 유연성을 한꺼번에 충족시키는 솔루션으로 자리매김하고 있습니다. 주요 특징 낮은 RDS(on)으로 전도 손실 감소: 고효율 전력 관리 및 배터리 수명 연장에 기여합니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 애플리케이션에서의 제어 정밀성과 응답 속도를 향상시킵니다. 열 안정성: 낮은 열저항과 효과적인 방열 특성으로 고부하 상황에서도 안정적인 작동을 유지합니다. 넓은 작동 범위: 다양한 전압 및 온도 조건에서도 신뢰성 있는 동작이 가능하도록 설계되었습니다. 패키지 옵션의 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 다양한 PCB 레이아웃에 쉽게 통합할 수 있습니다. 품질 및 규정 준수: JEDEC, AEC-Q101(자동차용 모델), RoHS, REACH 등의 국제 표준을 충족합니다. 적용 분야 SQJA76EP-T1_GE3는 전력 관리 솔루션과 제어 시스템…
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Vishay Siliconix SIR438DP-T1-GE3 — 고신뢰성 FET으로 효율적 전력 및 신호 제어를 실현 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology 산하의 선도적인 반도체 브랜드로, 고성능 MOSFET, 파워 IC, 디스크리트 솔루션을 집중적으로 제공한다. 전력 효율성, 열 성능, 장기 신뢰성에 대한 강한 집중으로 자동차, 산업, 가전 및 컴퓨팅 분야에서 널리 채택되고 있다. SIR438DP-T1-GE3는 이러한 배경에서 고성능 Transistors - FETs, MOSFETs - Single로 설계되어, 낮은 컨덕션 손실과 빠른 스위칭 특성, 그리고 열 악조건에서도의 안정적 작동을 조합한다. Vishay의 첨단 실리콘 공정을 통해 개발된 이 소자는 넓은 작동 조건에서 효율적인 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 가능하게 한다. 주요 특징과 설계 이점 낮은 RDS(on): 도통 손실을 줄여 시스템 효율을 높이며, 열 관리 부담도 완화한다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 애플리케이션에서의 제어 반응을 개선하고 전력 변환 모듈의 응답성을 향상시킨다. 열 안정성: 낮은 열저항과 견고한 방열 특성으로 고부하 상황에서도 안정적인 동작을 유지한다. 넓은 작동 범위: 다양한 전압과 온도…
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SIHK055N60EF-T1GE3는 Vishay Siliconix의 고신뢰성 전력 트랜지스터(FET, MOSFET)로서, 단일 소자로 구성된 고성능 솔루션을 제공합니다. Vishay Siliconix는 전력 효율성, 열 성능, 장기 신뢰성에 집중하는 브랜드로서, 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 애플리케이션에서 널리 채택되고 있습니다. 이 부품은 고주파 및 고전력 조건에서도 낮은 컨덕션 손실과 빠른 스위칭 특성을 유지하도록 설계되었으며, 폭넓은 작동 조건에서 안정적인 동작을 보장합니다. 정교한 실리콘 공정을 통해 효율적인 전력 변환과 정밀한 파워 제어가 가능하며, 다양한 산업 표준 패키지로 제공되어 PCB 레이아웃의 유연성도 높습니다. 주요 특징 저 RDS(on)으로 컨덕션 손실 감소: 고효율 전력 관리에 유리한 저항값을 제공합니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 애플리케이션에 최적화된 전환 속도와 응답성을 갖춥니다. 열 안정성: 낮은 열저항과 견고한 방열 특성으로 열 관리가 용이합니다. 넓은 작동 범위: 전압과 온도 범위가 넓어 다양한 설계 조건에 대응합니다. 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 제공되어 설계 및 조립의 융통성을 제공합니다. 품질 및 준수: JEDEC,…
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Vishay Siliconix SI2367DS-T1-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터: 효율적인 전력 및 신호 제어를 위한 FET 및 MOSFET 단일 소자 Vishay Siliconix는 고성능 MOSFET, 전력 IC 및 분리형 반도체 솔루션을 전문으로 하는 Vishay Intertechnology의 브랜드입니다. 전력 효율성, 열 성능 및 장기적인 신뢰성에 강한 중점을 둔 Vishay Siliconix의 제품은 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨터 분야에서 널리 사용되고 있습니다. SI2367DS-T1-GE3: 고성능 전력 제어 소자 Vishay Siliconix의 SI2367DS-T1-GE3는 전도 손실을 최소화하고, 빠른 스위칭 성능을 제공하며, 열적 및 전기적 조건에서 안정적인 작동을 보장하는 고성능 트랜지스터입니다. 이 소자는 Vishay의 고급 실리콘 프로세스를 사용하여 설계되었으며, 효율적인 전력 변환과 정확한 전력 제어를 지원하는 특성을 갖추고 있습니다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 전도 손실을 줄여 효율을 향상시킵니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용에 최적화되어 있습니다. 열 안정성: 낮은 열 저항과 강력한 열 방산 성능을 자랑합니다. 광범위한 운영 범위: 확장된 전압 및 온도 범위를 지원합니다. 패키지 유연성: TO, DPAK,…
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Vishay Siliconix SISS06DN-T1-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터, 효율적인 전력 및 신호 제어를 위한 MOSFET Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology의 대표적인 반도체 브랜드로, 고성능 MOSFET, 전력 IC 및 이산 반도체 솔루션을 전문으로 합니다. 전력 효율성, 열 성능, 장기적인 신뢰성에 중점을 두고 다양한 산업 분야에서 널리 채택되고 있습니다. Vishay Siliconix의 SISS06DN-T1-GE3는 이러한 특성을 잘 반영하는 고성능 트랜지스터로, 효율적인 전력 변환과 신호 제어가 중요한 애플리케이션에 적합한 제품입니다. 주요 특징 낮은 RDS(on)값 SISS06DN-T1-GE3는 낮은 RDS(on)값을 제공하여 전도 손실을 최소화합니다. 이는 고효율적인 전력 변환을 가능하게 하며, 에너지 소비를 줄이는 데 중요한 역할을 합니다. 낮은 저항 값 덕분에 고속 스위칭과 효율적인 전력 관리가 이루어집니다. 빠른 스위칭 성능 이 MOSFET는 고주파수 응용 프로그램에 최적화되어 있어, 빠른 스위칭 동작을 지원합니다. 높은 전류 및 전압에서의 동작 특성은 다양한 전력 관리 시스템에 매우 적합합니다. 이는 DC-DC 컨버터나 로드 스위치 등에서 전력 효율성을 극대화할 수 있도록 돕습니다. 우수한…
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Vishay Siliconix SIHB22N60EF-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터 및 MOSFET으로 효율적인 전력 및 신호 제어 Vishay Siliconix는 전 세계적으로 인정받는 반도체 브랜드로, 전력 효율성, 열 성능 및 장기적인 신뢰성을 중시하는 고성능 MOSFET, 전력 IC 및 분리형 반도체 솔루션을 제공합니다. Vishay의 고급 실리콘 공정을 통해 개발된 SIHB22N60EF-GE3는 전력 변환 효율을 극대화하고, 빠른 스위칭 성능과 안정적인 동작을 보장하는 고품질 MOSFET입니다. 이 제품은 다양한 산업 및 응용 분야에서 필수적인 전력 및 신호 제어를 가능하게 합니다. 주요 특징 저 RDS(on): SIHB22N60EF-GE3는 낮은 RDS(on) 값을 제공하여 전도 손실을 최소화하고, 높은 효율성을 구현합니다. 이를 통해 전력 소모를 줄이고 시스템의 전반적인 성능을 향상시킬 수 있습니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파수 응용 분야에 최적화된 설계를 통해 빠른 스위칭 동작을 지원합니다. 이는 고속 전력 변환 시스템에 필수적인 특성으로, 효율적이고 정확한 전력 제어가 가능합니다. 열 안정성: 이 MOSFET는 낮은 열 저항과 강력한 열 방출 성능을 자랑하며, 높은 온도와…
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