Vishay Siliconix SIJH112E-T1-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 소자로 효율적인 전력 및 신호 제어 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology의 일부로, 고성능 MOSFET, 전력 IC, 분리형 반도체 솔루션을 전문으로 하는 잘 알려진 반도체 브랜드입니다. 전력 효율성, 열 성능 및 장기적인 신뢰성에 집중하는 Vishay Siliconix의 제품은 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 애플리케이션에서 널리 사용되고 있습니다. 그 중 Vishay Siliconix SIJH112E-T1-GE3는 뛰어난 성능의 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 소자로, 전력 변환 효율성과 정밀한 전력 제어를 위한 다양한 동작 조건에서 안정적인 작동을 제공합니다. SIJH112E-T1-GE3의 주요 특징 낮은 RDS(on) SIJH112E-T1-GE3는 낮은 RDS(on) 값을 제공하여 전도 손실을 줄이고 높은 효율을 보장합니다. 이로 인해 전력 관리 시스템에서 중요한 역할을 합니다. 빠른 스위칭 성능 이 MOSFET는 고주파 애플리케이션을 위한 최적화된 빠른 스위칭 성능을 제공하여, 고속 전력 변환과 신호 제어를 필요로 하는 다양한 시스템에서 중요한 역할을 합니다. 열 안정성 이 부품은 낮은 열 저항과 강력한…
더 읽어보기 →
Vishay Siliconix
해당 카테고리에 5004개의 글이 있습니다.
Vishay Siliconix SIHA4N80E-GE3 고신뢰성 트랜지스터-FET: 효율과 안정성의 균형 Vishay Siliconix는 파워 MOSFET, 전력 IC, 디스크리트 반도체 솔루션에서 오랜 역사를 가진 브랜드로, 전력 효율, 열 성능, 장기 신뢰성에 중점을 둔 제품군으로 잘 알려져 있습니다. SIHA4N80E-GE3는 이러한 철학을 바탕으로 설계된 고성능 싱글 MOSFET으로, 낮은 전도 손실과 빠른 스위칭 특성, 열 조건이 극심한 환경에서도 안정적인 동작을 제공합니다. 이 칩은 Vishay의 최신 실리콘 공정을 통해 폭넓은 작동 조건에서 효율적인 전력 변환과 정밀한 파워 제어를 구현하도록 만들어졌습니다. 주요 특징 저 RDS(on): 전도 손실을 최소화해 시스템 효율을 향상시키는 핵심 지표 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용 분야에서의 신뢰성 있는 동작과 응답 속도 제공 열 안정성: 낮은 열 저항과 우수한 열 확산으로 지속적 고부하에서의 안정성 강화 넓은 작동 범위: 전압 및 온도 조건의 확장성을 지원 패키지 다양성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지로 유연한 PCB 레이아웃 가능 품질 및 규정 준수: JEDEC,…
더 읽어보기 →
Vishay Siliconix IRF9520PBF — 고신뢰성 트랜지스터 FET, MOSFET - 효율적인 전력 및 신호 제어 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology의 자회사로, 고성능 MOSFET, 전력 IC 및 분리형 반도체 솔루션을 전문으로 하는 브랜드입니다. 전력 효율성, 열 성능 및 장기적인 신뢰성에 집중하는 Vishay Siliconix 제품은 자동차, 산업, 소비자, 컴퓨팅 분야에서 널리 채택되고 있습니다. Vishay Siliconix IRF9520PBF 소개 Vishay Siliconix IRF9520PBF는 뛰어난 성능을 제공하는 트랜지스터 FET, MOSFET - Single로 설계되었습니다. 이 부품은 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 성능, 그리고 까다로운 전기적 및 열적 조건에서 안정적인 동작을 제공합니다. Vishay의 고급 실리콘 공정을 사용하여 설계된 이 제품은 효율적인 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 지원하며, 다양한 운영 시나리오에서 탁월한 성능을 발휘합니다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 전도 손실을 줄여 높은 효율성을 제공합니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용 프로그램에 최적화되어 있습니다. 열 안정성: 낮은 열 저항과 강력한 열 방산 능력으로 높은 열 환경에서도 안정적입니다. 넓은…
더 읽어보기 →
Vishay Siliconix SIR668ADP-T1-RE3는 고신뢰성 트랜지스터- FET, MOSFET 단일 소자로서 전력 변환과 신호 제어에 있어 낮은 전도 손실과 빠른 스위칭 특성, 견고한 열 성능을 모두 제공합니다. 이 소자는 첨단 실리콘 제조 공정을 바탕으로 폭넓은 동작 조건에서 안정적인 전력 제어를 가능하게 하며, 다양한 애플리케이션에서 효율과 신뢰성을 동시에 높이는 솔루션으로 자리매김합니다. 주요 특징 SIR668ADP-T1-RE3은 RDS(on) 저감으로 구동 손실을 크게 낮추고, 고주파 적용에서도 빠른 스위칭으로 시스템의 전반적 효율을 향상시킵니다. 열 특성 측면에서 낮은 열 저항과 뛰어난 방열 성능을 제공하여 고부하 상황에서도 안정적인 작동을 유지합니다. 넓은 동작 범위 덕분에 고전압 및 고온 환경의 설계 여지가 커지며, 패키지 경량화와 레이아웃의 융통성을 높여 실장 공간과 재료 비용을 절감합니다. 패키지 면에서도 TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 표준 패키지를 폭넓게 지원하여 다양한 PCB 레이아웃에 쉽게 적용할 수 있습니다. 품질과 규격 면에서 JEDEC 기준 준수는 물론 AEC-Q101(자동차 등급 모델), RoHS, REACH를 충족해 자동차 및 산업…
더 읽어보기 →
Vishay Siliconix SUM110P06-07L-E3 — 효율적인 전력 및 신호 제어를 위한 고신뢰성 트랜지스터 FET, MOSFET 단일 소자 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology의 전자부품 전문 브랜드로, 고성능 MOSFET, 전력 IC 및 이산 반도체 솔루션을 제공하는 회사입니다. 전력 효율성, 열 성능 및 장기적인 신뢰성에 중점을 둔 제품으로 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 분야에서 널리 사용되고 있습니다. Vishay Siliconix SUM110P06-07L-E3는 뛰어난 성능을 자랑하는 트랜지스터 - FET, MOSFET 단일 소자로, 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 동작 및 열적 및 전기적 요구가 높은 환경에서 안정적인 동작을 제공합니다. Vishay의 고급 실리콘 공정 기술로 설계된 이 제품은 효율적인 전력 변환 및 정밀한 전력 제어를 지원하며, 다양한 작동 조건에서 우수한 성능을 발휘합니다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 낮은 전도 손실로 인해 높은 효율성 제공 빠른 스위칭 성능: 고주파수 애플리케이션에 최적화된 동작 열적 안정성: 낮은 열 저항 및 뛰어난 열 발산 성능 광범위한 작동 범위: 확장된 전압…
더 읽어보기 →
Vishay Siliconix IRF610PBF — 고신뢰성 트랜지스터 FETs, MOSFETs - 단일형 효율적인 전력 및 신호 제어 Vishay Siliconix는 고성능 MOSFETs, 전력 IC, 및 이차 반도체 솔루션을 전문으로 하는 Vishay Intertechnology의 자회사로, 전력 효율성, 열 성능, 그리고 장기적인 신뢰성에 집중하는 브랜드입니다. 이러한 특성 덕분에 Vishay Siliconix의 제품은 자동차, 산업, 소비자, 컴퓨팅 응용 프로그램에서 널리 사용되고 있습니다. Vishay Siliconix IRF610PBF는 낮은 도통 손실, 빠른 스위칭 성능, 그리고 열적 및 전기적 조건이 까다로운 환경에서도 안정적인 작동을 제공하는 고성능 트랜지스터 FETs, MOSFETs입니다. Vishay의 고급 실리콘 공정 기술을 통해 설계되어, 효율적인 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 지원합니다. 이 장치는 다양한 동작 시나리오에서 안정적인 성능을 제공하며, 최신 전력 및 신호 제어 설계에 쉽게 통합할 수 있습니다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 이 MOSFET은 도통 손실을 줄여 높은 전력 효율성을 제공합니다. 낮은 온저항(RDS(on)) 덕분에, 전력 소모를 최소화하고 고효율 시스템을 구현할 수 있습니다. 빠른 스위칭…
더 읽어보기 →
Vishay Siliconix SQJA00EP-T1_GE3 — 고신뢰성 트랜지스터(FET)로 효율적 전력 및 신호 제어 실현 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology 계열에서 파워 MOSFET, 파워 IC, 디스크리트 솔루션 분야의 오랜 역사를 가진 브랜드로, 전력 효율성, 열 성능, 신뢰성에 초점을 맞춘 제품 포트폴리오로 널리 알려져 있다. SQJA00EP-T1_GE3은 이러한 전통을 계승한 고성능 단일 트랜지스터로, 엄격한 전기적 및 열적 조건에서도 낮은 컨덕션 손실과 빠른 스위칭 특성을 제공하도록 설계되었다. 이 칩은 Vishay의 첨단 실리콘 공정으로 제조되어 효율적인 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 폭넓은 작동 환경에서 가능하게 한다. 고성능 MOSFET로서의 역할 SQJA00EP-T1_GE3은 낮은 RDS(on)으로 도전 손실을 줄이고 시스템의 전반적 에너지 효율을 향상시킨다. 빠른 스위칭 특성은 고주파 애플리케이션에서 운용 품질을 높이며, 열 관리 측면에서도 우수한 성능을 제공한다. 이 기기의 열 저항이 낮고 열 방출 특성이 견고하므로 넓은 동작 온도와 전압 범위에서도 안정적으로 작동한다. 또한 TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 다양한 표준 패키지로 공급되므로 설계자는 PCB 레이아웃과…
더 읽어보기 →
Vishay Siliconix SQ2351ES-T1_GE3 — 고신뢰성 트랜지스터 FET, MOSFET - 효율적인 전력 및 신호 제어를 위한 솔루션 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology의 주요 브랜드로, 고성능 MOSFET, 전력 IC, 및 이산 반도체 솔루션을 전문으로 하는 기업입니다. Vishay는 전력 효율성, 열 성능, 장기적인 신뢰성에 중점을 두고 있으며, 그 제품들은 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 애플리케이션에서 널리 사용됩니다. SQ2351ES-T1_GE3: 고성능 MOSFET으로 전력 변환 및 신호 제어 최적화 Vishay Siliconix의 SQ2351ES-T1_GE3는 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 성능, 뛰어난 열 안정성으로 설계된 고성능 MOSFET입니다. 이 소자는 Vishay의 첨단 실리콘 프로세스를 기반으로 하여, 다양한 전기적 및 열적 조건에서 안정적인 작동을 보장합니다. 효율적인 전력 변환 및 정밀한 전력 제어를 지원하며, 여러 산업 표준 패키지 옵션을 제공하여 유연한 PCB 레이아웃과 손쉬운 통합이 가능합니다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 전도 손실이 적어 효율성이 높습니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파 응용 분야에 최적화되어 있습니다. 열 안정성: 낮은 열 저항과…
더 읽어보기 →
Vishay Siliconix IRFU9010PBF — 고신뢰성 트랜지스터 및 MOSFET으로 효율적인 전력 및 신호 제어 Vishay Siliconix는 Vishay Intertechnology의 산하에 위치한 반도체 전문 브랜드로, 고성능 MOSFET, 전력 IC, 그리고 개별 반도체 솔루션을 제공하는 선도적인 기업입니다. 이 회사는 전력 효율성, 열 성능 및 장기 신뢰성에 중점을 두고 있으며, 그 제품들은 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨팅 애플리케이션에서 널리 채택되고 있습니다. 특히 Vishay Siliconix의 IRFU9010PBF는 고성능 트랜지스터 및 MOSFET으로서 다양한 전력 및 신호 제어 시스템에 최적화된 솔루션을 제공합니다. IRFU9010PBF의 주요 특성 Vishay Siliconix IRFU9010PBF는 저 RDS(on) 특성을 가지고 있어 낮은 전도 손실을 실현하며, 고효율을 달성할 수 있습니다. 이 MOSFET은 빠른 스위칭 성능을 제공하여 고주파 애플리케이션에 최적화되어 있으며, 열 안정성 또한 우수하여 높은 전압 및 온도 환경에서도 안정적으로 작동합니다. 다양한 표준 패키지 옵션(TO, DPAK, PowerPAK, SO 등)을 제공하여, PCB 레이아웃에 대한 유연성과 현대적인 전력 및 신호 제어 설계에 쉽게 통합할 수…
더 읽어보기 →
Vishay Siliconix SIS782DN-T1-GE3 — 고신뢰성 트랜지스터 및 MOSFET으로 효율적인 전력 및 신호 제어 Vishay Siliconix는 고성능 MOSFET, 전력 IC, 이산 반도체 솔루션을 전문으로 하는 브랜드로, Vishay Intertechnology의 일환으로 잘 알려져 있습니다. 전력 효율성, 열 성능 및 장기적인 신뢰성에 중점을 둔 제품들을 제공하며, 자동차, 산업, 소비자 및 컴퓨터 분야에서 널리 채택되고 있습니다. Vishay Siliconix의 SIS782DN-T1-GE3는 고성능 트랜지스터로, 낮은 전도 손실, 빠른 스위칭 성능, 그리고 열적 조건에 강한 안정성을 제공합니다. Vishay의 첨단 실리콘 공정을 통해 설계된 이 장치는 다양한 운영 환경에서 효율적인 전력 변환과 정밀한 전력 제어를 지원합니다. 주요 특징 낮은 RDS(on): 전도 손실을 줄여 높은 효율성을 제공합니다. 빠른 스위칭 성능: 고주파수 애플리케이션에 최적화되어 있습니다. 열적 안정성: 낮은 열 저항과 견고한 열 분산 기능을 제공합니다. 광범위한 작동 범위: 넓은 전압 및 온도 범위를 지원합니다. 패키지 유연성: TO, DPAK, PowerPAK, SO 등 다양한 산업 표준 패키지 옵션을 제공합니다.…
더 읽어보기 →